Wafer SiC in carburo di silicio da 6 pollici e 150 mm tipo 4H-N per ricerca sulla produzione MOS o SBD e grado fittizio

Wafer SiC in carburo di silicio da 6 pollici e 150 mm tipo 4H-N per ricerca sulla produzione MOS o SBD e qualità fittizia

Breve descrizione:

Il substrato monocristallino in carburo di silicio da 6 pollici è un materiale ad alte prestazioni con eccellenti proprietà fisiche e chimiche. Realizzato in materiale monocristallino di carburo di silicio di elevata purezza, presenta conduttività termica, stabilità meccanica e resistenza alle alte temperature superiori. Questo substrato, realizzato con processi produttivi di precisione e materiali di alta qualità, è diventato il materiale preferito per la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta efficienza in vari campi.

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Campi di applicazione

Il substrato monocristallino in carburo di silicio da 6 pollici svolge un ruolo cruciale in molteplici settori. Innanzitutto, è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta potenza come transistor di potenza, circuiti integrati e moduli di potenza. L'elevata conduttività termica e la resistenza alle alte temperature consentono una migliore dissipazione del calore, con conseguente miglioramento dell'efficienza e dell'affidabilità. In secondo luogo, i wafer di carburo di silicio sono essenziali nei campi di ricerca per lo sviluppo di nuovi materiali e dispositivi. Inoltre, il wafer di carburo di silicio trova ampie applicazioni nel campo dell'optoelettronica, compresa la produzione di LED e diodi laser.

Specifiche del prodotto

Il substrato monocristallino di carburo di silicio da 6 pollici ha un diametro di 6 pollici (circa 152,4 mm). La rugosità superficiale è Ra <0,5 nm e lo spessore è 600 ± 25 μm. Il substrato può essere personalizzato con conduttività di tipo N o di tipo P, in base alle esigenze del cliente. Inoltre, presenta un'eccezionale stabilità meccanica, in grado di resistere a pressioni e vibrazioni.

Diametro		150±2,0 mm（6 pollici）
Spessore		350μm±25μm
Orientamento		In asse: <0001>±0,5°		Fuori asse: 4,0° verso 1120±0,5°
Politipo		4H
Resistività(Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientamento piatto primario		{10-10}±5,0°
Lunghezza piatto primario (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Bordo		Smussare
TTV/Arco/Deformazione (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM anteriore (faccia Si)		Polacco Ra≤1 nm
		CMP Ra ≤ 0,5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Buccia d'arancia/noccioli/crepe/contaminazione/macchie/striature		Nessuno	Nessuno		Nessuno
rientri		Nessuno	Nessuno		Nessuno

Il substrato monocristallino in carburo di silicio da 6 pollici è un materiale ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nei settori dei semiconduttori, della ricerca e dell'optoelettronica. Offre eccellente conduttività termica, stabilità meccanica e resistenza alle alte temperature, rendendolo adatto alla fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta potenza e alla ricerca di nuovi materiali. Forniamo varie specifiche e opzioni di personalizzazione per soddisfare le diverse richieste dei clienti.Contattaci per maggiori dettagli sui wafer in carburo di silicio!