Wafer SiC del carburo di silicio da 8 pollici 200 mm tipo 4H-N Spessore del grado di produzione 500um

Dimensioni: 8 pollici;

Diametro: 200 mm±0,2;

Spessore: 500um±25;

Orientamento della superficie: 4 verso [11-20]±0,5°;

Orientamento della tacca:[1-100]±1°;

Profondità tacca: 1±0,25 mm;

Microtubo: <1cm2;

Piastre esagonali: nessuna consentita;

Resistività: 0,015~0,028Ω;

EPD: <8000 cm2;

TED:<6000 cm2

BPD:<2000 cm2

TSD:<1000 cm2

FS: area<1%

TTV≤15um;

Deformazione ≤40um;

Arco ≤25um;

Aree poli: ≤5%;

Graffio: <5 e lunghezza cumulativa <1 diametro del wafer;

Scheggiature/rientranze: nessuna consentita larghezza e profondità D>0,5 mm;

Crepe: nessuna;

Macchia: nessuna

Bordo del wafer: smussato;

Finitura superficiale: Double Side Polish, Si Face CMP;

Imballaggio: cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo;

Le attuali difficoltà nella preparazione dei cristalli 4H-SiC da 200 mm principali

1) La preparazione di cristalli di semi 4H-SiC da 200 mm di alta qualità;

2) Controllo del processo di nucleazione e disuniformità del campo di temperatura di grandi dimensioni;

3) L'efficienza del trasporto e l'evoluzione dei componenti gassosi nei sistemi di crescita dei cristalli di grandi dimensioni;

4) Incrinatura dei cristalli e proliferazione dei difetti causata da un notevole aumento dello stress termico.

Per superare queste sfide e ottenere wafer SiC da 200 mm di alta qualità vengono proposte:

In termini di preparazione del seme di cristallo da 200 mm, campo di flusso di campo a temperatura appropriata e assemblaggio di espansione sono stati studiati e progettati per tenere conto della qualità dei cristalli e delle dimensioni di espansione;Iniziando con un cristallo SiC se:d da 150 mm, eseguire l'iterazione del cristallo seme per espandere gradualmente la cristallizzazione del SiC fino a raggiungere i 200 mm;Attraverso la crescita e il processo di cristalli multipli, ottimizzare gradualmente la qualità dei cristalli nell'area di espansione dei cristalli e migliorare la qualità dei cristalli seme da 200 mm.

In termini di preparazione del cristallo conduttivo e del substrato da 200 mm, la ricerca ha ottimizzato la progettazione del campo di temperatura e del campo di flusso per la crescita di cristalli di grandi dimensioni, conduce la crescita di cristalli SiC conduttivi da 200 mm e controlla l'uniformità del drogaggio.Dopo la lavorazione grossolana e la modellatura del cristallo, è stato ottenuto un lingotto 4H-SiC elettricamente conduttivo da 8 pollici con un diametro standard.Dopo il taglio, la molatura, la lucidatura, la lavorazione per ottenere wafer SiC da 200 mm con uno spessore di circa 525um