Wafer SiC da 4 pollici Substrati SiC semi-isolanti 6H prime, di ricerca e di grado fittizio

Wafer SiC da 4 pollici Substrati SiC semi-isolanti 6H di prima qualità, di ricerca e di grado fittizio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il substrato di carburo di silicio semi-isolato è formato mediante taglio, molatura, lucidatura, pulizia e altre tecnologie di lavorazione dopo la crescita del cristallo di carburo di silicio semi-isolato.Sul substrato viene coltivato uno strato o uno strato di cristallo multistrato che soddisfa i requisiti di qualità dell'epitassia, quindi viene realizzato il dispositivo RF a microonde combinando la progettazione del circuito e il confezionamento.Disponibili come substrati monocristallini in carburo di silicio semiisolati da 2 pollici 3 pollici 4 pollici gh 6 pollici 8 pollici per uso industriale, di ricerca e di prova.

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Specifiche di prodotto

Grado			Grado di produzione MPD zero (grado Z)			Grado di produzione standard (grado P)		Grado fittizio (grado D)
Diametro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientamento dei wafer			Fuori asse: 4,0° verso < 1120 > ±0,5° per 4H-N, In asse: <0001>±0,5° per 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5cm^-2		≤15cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientamento piatto primario		{10-10} ±5,0°
Lunghezza piatta primaria		32,5 mm±2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria		18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario		Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW.da Prime piatto ±5,0°
Esclusione dei bordi		3 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			faccia C				Polacco		Ra ≤ 1 nm
			Sì, faccia	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità		Nessuno						Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, singola lunghezza ≤2 mm
Piastre esagonali con luce ad alta intensità		Area cumulativa ≤0,05%						Area cumulativa ≤0,1%
Aree di politipo mediante luce ad alta intensità		Nessuno						Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio		Area cumulativa ≤0,05%						Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio dovuti alla luce ad alta intensità		Nessuno						Lunghezza cumulativa ≤ 1＊diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità luminosa		Nessuno consentito con larghezza e profondità ≥ 0,2 mm						5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità		Nessuno
Confezione		Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo