200 mm 8 pollici GaN su substrato wafer Epi-layer in zaffiro
Introduzione al prodotto
Il substrato GaN su zaffiro da 8 pollici è un materiale semiconduttore di alta qualità composto da uno strato di nitruro di gallio (GaN) cresciuto su un substrato di zaffiro. Questo materiale offre eccellenti proprietà di trasporto elettronico ed è ideale per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e alta frequenza.
Metodo di produzione
Il processo di produzione prevede la crescita epitassiale di uno strato di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica da vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE). La deposizione viene eseguita in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità cristallina e l'uniformità del film.
Applicazioni
Il substrato GaN su zaffiro da 8 pollici trova ampie applicazioni in vari campi, tra cui comunicazioni a microonde, sistemi radar, tecnologia wireless e optoelettronica. Alcune delle applicazioni più comuni includono:
1. Amplificatori di potenza RF
2. Industria dell'illuminazione a LED
3. Dispositivi di comunicazione di rete wireless
4. Dispositivi elettronici per ambienti ad alta temperatura
5. Odispositivi ptoelettronici
Specifiche del prodotto
-Dimensioni: il substrato ha un diametro di 8 pollici (200 mm).
- Qualità della superficie: la superficie è lucidata a specchio con un elevato grado di levigatezza.
- Spessore: lo spessore dello strato di GaN può essere personalizzato in base a requisiti specifici.
- Imballaggio: il substrato è accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.
- Orientamento piatto: il substrato ha uno specifico orientamento piatto per facilitare l'allineamento e la manipolazione dei wafer durante i processi di fabbricazione del dispositivo.
- Altri parametri: le specifiche relative a spessore, resistività e concentrazione del drogante possono essere personalizzate in base alle esigenze del cliente.
Grazie alle sue eccellenti proprietà materiali e alle applicazioni versatili, il substrato GaN-on-Sapphire da 8 pollici è una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni in vari settori.
Oltre al GaN su zaffiro, offriamo anche applicazioni per dispositivi di potenza; la famiglia di prodotti include wafer epitassiali AlGaN/GaN su Si da 8 pollici e wafer epitassiali AlGaN/GaN su Si con cappucci P da 8 pollici. Allo stesso tempo, abbiamo innovato l'applicazione della nostra avanzata tecnologia epitassifera GaN da 8 pollici nel campo delle microonde e sviluppato un wafer epitassia AlGaN/GAN su Si HR da 8 pollici che combina elevate prestazioni con grandi dimensioni, costi contenuti e compatibilità con i processi standard per dispositivi da 8 pollici. Oltre al nitruro di gallio a base di silicio, disponiamo anche di una linea di wafer epitassiali AlGaN/GaN su SiC per soddisfare le esigenze dei clienti in termini di materiali epitassiali in nitruro di gallio a base di silicio.
Diagramma dettagliato
