GaN da 200 mm e 8 pollici su substrato wafer a strato epi in zaffiro

Breve descrizione:

Il processo di produzione prevede la crescita epitassiale di uno strato di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE). La deposizione viene effettuata in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità dei cristalli e uniformità del film.

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Dettagli del prodotto

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Presentazione del prodotto

Il substrato GaN su zaffiro da 8 pollici è un materiale semiconduttore di alta qualità composto da uno strato di nitruro di gallio (GaN) cresciuto su un substrato di zaffiro. Questo materiale offre eccellenti proprietà di trasporto elettronico ed è ideale per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e alta frequenza.

Metodo di produzione

Applicazioni

Il substrato GaN su zaffiro da 8 pollici trova ampie applicazioni in vari campi, tra cui le comunicazioni a microonde, i sistemi radar, la tecnologia wireless e l'optoelettronica. Alcune delle applicazioni comuni includono:

1. Amplificatori di potenza RF

2. Industria dell'illuminazione a LED

3. Dispositivi di comunicazione di rete wireless

4. Dispositivi elettronici per ambienti ad alta temperatura

5. Odispositivi ptoelettronici

Specifiche del prodotto

-Dimensione: la dimensione del substrato è di 8 pollici (200 mm) di diametro.

- Qualità della superficie: la superficie è lucidata con un elevato grado di levigatezza e presenta un'eccellente qualità a specchio.

- Spessore: lo spessore dello strato GaN può essere personalizzato in base a requisiti specifici.

- Imballaggio: il supporto viene accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.

- Orientamento piatto: il substrato ha un orientamento piatto specifico per facilitare l'allineamento e la manipolazione del wafer durante i processi di fabbricazione del dispositivo.

- Altri parametri: le specifiche di spessore, resistività e concentrazione di drogante possono essere personalizzate in base alle esigenze del cliente.

Grazie alle proprietà superiori del materiale e alle applicazioni versatili, il substrato GaN su zaffiro da 8 pollici è una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni in vari settori.

Ad eccezione del GaN-On-Sapphire, possiamo anche offrire nel campo delle applicazioni per dispositivi di potenza, la famiglia di prodotti comprende wafer epitassiali AlGaN/GaN-on-Si da 8 pollici e wafer epitassiali AlGaN/GaN-on-Si da 8 pollici P-cap wafer. Allo stesso tempo, abbiamo innovato l'applicazione della nostra avanzata tecnologia epitassia GaN da 8 pollici nel campo delle microonde e sviluppato un wafer epitassiale AlGaN/GAN-on-HR Si da 8 pollici che combina prestazioni elevate con grandi dimensioni e basso costo e compatibile con l'elaborazione di dispositivi standard da 8 pollici. Oltre al nitruro di gallio a base di silicio, disponiamo anche di una linea di prodotti di wafer epitassiali AlGaN/GaN-su-SiC per soddisfare le esigenze dei clienti in termini di materiali epitassiali di nitruro di gallio a base di silicio.