GaN da 150 mm 200 mm 6 pollici 8 pollici su wafer epi-strato di silicio Wafer epitassiale al nitruro di gallio

150 mm 200 mm 6 pollici 8 pollici GaN su wafer a strato Epi di silicio Wafer epitassiale al nitruro di gallio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il wafer GaN Epi-layer da 6 pollici è un materiale semiconduttore di alta qualità costituito da strati di nitruro di gallio (GaN) cresciuti su un substrato di silicio.Il materiale ha eccellenti proprietà di trasporto elettronico ed è ideale per la produzione di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e alta frequenza.

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Metodo di produzione

Il processo di produzione prevede la crescita di strati di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE).Il processo di deposizione viene effettuato in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità dei cristalli e un film uniforme.

Applicazioni GaN-On-Sapphire da 6 pollici: i chip con substrato in zaffiro da 6 pollici sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni a microonde, nei sistemi radar, nella tecnologia wireless e nell'optoelettronica.

Alcune applicazioni comuni includono

1. Amplificatore di potenza RF

2. Industria dell'illuminazione a LED

3. Apparecchiature di comunicazione di rete wireless

4. Dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura

5. Dispositivi optoelettronici

Specifiche del prodotto

- Dimensioni: il diametro del substrato è di 6 pollici (circa 150 mm).

- Qualità della superficie: la superficie è stata finemente lucidata per fornire un'eccellente qualità dello specchio.

- Spessore: lo spessore dello strato GaN può essere personalizzato in base ai requisiti specifici.

- Imballaggio: il substrato viene accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.

- Bordi di posizionamento: il substrato presenta bordi di posizionamento specifici che facilitano l'allineamento e il funzionamento durante la preparazione del dispositivo.

- Altri parametri: parametri specifici come sottigliezza, resistività e concentrazione di drogaggio possono essere regolati in base alle esigenze del cliente.

Grazie alle proprietà superiori dei materiali e alle diverse applicazioni, i wafer con substrato in zaffiro da 6 pollici rappresentano una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni in vari settori.

Substrato	6” 1mm <111> tipo p Si	6” 1mm <111> tipo p Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi SpessoUnif	<2%	<2%
Arco	+/-45um	+/-45um
Cracking	<5 mm	<5 mm
BV verticale	>1000 V	>1400 V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT SpessoreAvg	20-30 nm	20-30 nm
Tappo SiN in situ	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilità	~2000cm²/V (<2%)	~2000cm²/V (<2%)
Rsh	<330ohm/mq (<2%)	<330ohm/mq (<2%)