Macchina per il taglio di fili diamantati in carburo di silicio da 4/6/8/12 pollici per la lavorazione di lingotti SiC

Macchina per il taglio di lingotti di SiC da 4/6/8/12 pollici con filo diamantato in carburo di silicio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

La macchina per il taglio a filo diamantato al carburo di silicio è un tipo di attrezzatura di lavorazione ad alta precisione dedicata alla fetta di lingotti di carburo di silicio (SiC), che utilizza la tecnologia della sega a filo diamantato, attraverso un filo diamantato ad alta velocità (diametro della linea 0,1~0,3 mm) per il taglio multifilo di lingotti di SiC, per ottenere una preparazione di wafer ad alta precisione e a basso danneggiamento. L'attrezzatura è ampiamente utilizzata nella lavorazione di substrati di semiconduttori di potenza SiC (MOSFET/SBD), dispositivi a radiofrequenza (GaN-on-SiC) e dispositivi optoelettronici, ed è un'attrezzatura chiave nella filiera del SiC.

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Caratteristiche

Principio di funzionamento:

1. Fissaggio del lingotto: il lingotto SiC (4H/6H-SiC) viene fissato sulla piattaforma di taglio tramite il dispositivo di fissaggio per garantire la precisione della posizione (±0,02 mm).

2. Movimento della linea diamantata: la linea diamantata (particelle di diamante elettrodeposte sulla superficie) è azionata dal sistema di ruote guida per una circolazione ad alta velocità (velocità della linea 10~30 m/s).

3. Avanzamento di taglio: il lingotto viene alimentato lungo la direzione impostata e la linea diamantata viene tagliata simultaneamente con più linee parallele (100~500 linee) per formare più wafer.

4. Raffreddamento e rimozione dei trucioli: spruzzare refrigerante (acqua deionizzata + additivi) nella zona di taglio per ridurre i danni causati dal calore e rimuovere i trucioli.

Parametri chiave:

1. Velocità di taglio: 0,2~1,0 mm/min (a seconda della direzione del cristallo e dello spessore del SiC).

2. Tensione della linea: 20~50N (troppo alta può facilmente rompere la linea, troppo bassa può compromettere la precisione del taglio).

3. Spessore del wafer: standard 350~500μm, il wafer può raggiungere i 100μm.

Caratteristiche principali:

(1) Precisione di taglio
Tolleranza di spessore: ±5μm (wafer da 350μm), migliore del taglio con malta convenzionale (±20μm).

Rugosità superficiale: Ra<0,5μm (non è necessaria alcuna rettifica aggiuntiva per ridurre la quantità di lavorazione successiva).

Deformazione: <10μm (riduce la difficoltà della successiva lucidatura).

(2) Efficienza di elaborazione
Taglio multilinea: taglio di 100~500 pezzi alla volta, aumentando la capacità produttiva di 3~5 volte (rispetto al taglio a linea singola).

Durata della linea: la linea diamantata può tagliare 100~300 km di SiC (a seconda della durezza del lingotto e dell'ottimizzazione del processo).

(3) Elaborazione a basso danno
Rottura del bordo: <15μm (taglio tradizionale >50μm), migliora la resa del wafer.

Strato di danno sottosuperficiale: <5μm (ridurre la rimozione della lucidatura).

(4) Tutela ambientale ed economia
Nessuna contaminazione della malta: costi di smaltimento dei liquidi di scarto ridotti rispetto al taglio della malta.

Utilizzo del materiale: perdita di taglio <100μm/fresa, con risparmio di materie prime SiC.

Effetto di taglio:

1. Qualità del wafer: nessuna crepa macroscopica sulla superficie, pochi difetti microscopici (estensione della dislocazione controllabile). Possibilità di entrare direttamente nel collegamento di lucidatura grezza, riducendo il flusso di processo.

2. Coerenza: la deviazione dello spessore del wafer nel lotto è <±3%, adatta alla produzione automatizzata.

3. Applicabilità: supporta il taglio di lingotti 4H/6H-SiC, compatibile con il tipo conduttivo/semi-isolato.

Specifiche tecniche:

Specifica	Dettagli
Dimensioni (L × P × A)	2500x2300x2500 o personalizza
Gamma dimensionale del materiale di lavorazione	4, 6, 8, 10, 12 pollici di carburo di silicio
rugosità superficiale	Ra≤0,3u
Velocità di taglio media	0,3 mm/min
Peso	5,5 t
Fasi di impostazione del processo di taglio	≤30 passi
rumore dell'attrezzatura	≤80 dB
Tensione del filo d'acciaio	0~110N (la tensione del filo 0,25 è 45N)
Velocità del filo d'acciaio	0~30 m/S
Potenza totale	50 kW
Diametro del filo diamantato	≥0,18 mm
Planarità finale	≤0,05 mm
Velocità di taglio e rottura	≤1% (tranne per motivi umani, materiale in silicio, linea, manutenzione e altri motivi)

Servizi XKH:

XKH fornisce l'intero processo di lavorazione delle macchine per il taglio a filo diamantato in carburo di silicio, inclusa la selezione delle attrezzature (adattamento diametro filo/velocità filo), lo sviluppo del processo (ottimizzazione dei parametri di taglio), la fornitura dei materiali di consumo (filo diamantato, ruota di guida) e l'assistenza post-vendita (manutenzione delle attrezzature, analisi della qualità del taglio), per aiutare i clienti a raggiungere una produzione in serie di wafer SiC ad alta resa (>95%) e a basso costo. Offre inoltre aggiornamenti personalizzati (come taglio ultrasottile, carico e scarico automatizzati) con tempi di consegna di 4-8 settimane.