GaN su vetro da 4 pollici: opzioni di vetro personalizzabili tra cui JGS1, JGS2, BF33 e quarzo ordinario
Caratteristiche
●Ampio bandgap:Il GaN ha un bandgap di 3,4 eV, che consente una maggiore efficienza e una maggiore durata in condizioni di alta tensione e alta temperatura rispetto ai materiali semiconduttori tradizionali come il silicio.
●Substrati in vetro personalizzabili:Disponibile con opzioni di vetro JGS1, JGS2, BF33 e quarzo ordinario per soddisfare diversi requisiti di prestazioni termiche, meccaniche e ottiche.
● Elevata conduttività termica:L'elevata conduttività termica del GaN garantisce un'efficace dissipazione del calore, rendendo questi wafer ideali per applicazioni di potenza e dispositivi che generano calore elevato.
●Alta tensione di rottura:La capacità del GaN di sostenere tensioni elevate rende questi wafer adatti ai transistor di potenza e alle applicazioni ad alta frequenza.
●Eccellente resistenza meccanica:I substrati di vetro, uniti alle proprietà del GaN, garantiscono una notevole resistenza meccanica, aumentando la durata del wafer in ambienti difficili.
●Riduzione dei costi di produzione:Rispetto ai tradizionali wafer GaN su silicio o GaN su zaffiro, il GaN su vetro è una soluzione più conveniente per la produzione su larga scala di dispositivi ad alte prestazioni.
●Proprietà ottiche personalizzate:Diverse opzioni di vetro consentono di personalizzare le caratteristiche ottiche del wafer, rendendolo adatto ad applicazioni in optoelettronica e fotonica.
Specifiche tecniche
| Parametro | Valore |
| Dimensione del wafer | 4 pollici |
| Opzioni del substrato di vetro | JGS1, JGS2, BF33, Quarzo ordinario |
| Spessore dello strato di GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizzabile) |
| GaN Bandgap | 3,4 eV (ampio bandgap) |
| Tensione di rottura | Fino a 1200V |
| Conduttività termica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Mobilità elettronica | 2000 cm²/V·s |
| Rugosità della superficie del wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistenza del foglio di GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Resistività | Semi-isolante, tipo N, tipo P (personalizzabile) |
| Trasmissione ottica | >80% per lunghezze d'onda visibili e UV |
| Ordito del wafer | < 25 µm (massimo) |
| Finitura superficiale | SSP (lucidato su un solo lato) |
Applicazioni
Optoelettronica:
I wafer GaN su vetro sono ampiamente utilizzati inLEDEdiodi lasergrazie all'elevata efficienza e alle prestazioni ottiche del GaN. La possibilità di selezionare substrati di vetro comeJGS1EJGS2consente la personalizzazione della trasparenza ottica, rendendoli ideali per alta potenza e alta luminositàLED blu/verdiELaser UV.
Fotonica:
I wafer GaN su vetro sono ideali perfotodetector, circuiti integrati fotonici (PIC), Esensori otticiLe loro eccellenti proprietà di trasmissione della luce e l'elevata stabilità nelle applicazioni ad alta frequenza li rendono adatti percomunicazioniEtecnologie dei sensori.
Elettronica di potenza:
Grazie al loro ampio bandgap e all'elevata tensione di rottura, i wafer GaN su vetro vengono utilizzati intransistor ad alta potenzaEconversione di potenza ad alta frequenzaLa capacità del GaN di gestire tensioni elevate e dissipazione termica lo rende perfetto peramplificatori di potenza, Transistor di potenza RF, Eelettronica di potenzanelle applicazioni industriali e di consumo.
Applicazioni ad alta frequenza:
I wafer GaN su vetro mostrano eccellentimobilità degli elettronie possono funzionare ad alte velocità di commutazione, rendendoli ideali perdispositivi di potenza ad alta frequenza, dispositivi a microonde, Eamplificatori RFQuesti sono componenti cruciali inSistemi di comunicazione 5G, sistemi radar, Ecomunicazione satellitare.
Applicazioni automobilistiche:
I wafer GaN su vetro vengono utilizzati anche nei sistemi di alimentazione per autoveicoli, in particolare incaricabatterie di bordo (OBC)EConvertitori CC-CCper veicoli elettrici (EV). La capacità dei wafer di resistere ad alte temperature e tensioni ne consente l'utilizzo nell'elettronica di potenza per veicoli elettrici, offrendo maggiore efficienza e affidabilità.
Dispositivi medici:
Le proprietà del GaN lo rendono anche un materiale interessante per l'uso indiagnostica per immaginiEsensori biomediciLa sua capacità di operare ad alte tensioni e la sua resistenza alle radiazioni lo rendono ideale per applicazioni inapparecchiature diagnosticheElaser medicali.
Domande e risposte
D1: Perché il GaN su vetro è una buona opzione rispetto al GaN su silicio o al GaN su zaffiro?
Risposta 1:Il GaN su vetro offre diversi vantaggi, tra cuirapporto costo-efficaciaEmigliore gestione termicaSebbene GaN su silicio e GaN su zaffiro offrano prestazioni eccellenti, i substrati in vetro sono più economici, più facilmente reperibili e personalizzabili in termini di proprietà ottiche e meccaniche. Inoltre, i wafer GaN su vetro offrono prestazioni eccellenti in entrambi i casi.otticoEapplicazioni elettroniche ad alta potenza.
D2: Qual è la differenza tra le opzioni di vetro JGS1, JGS2, BF33 e quarzo ordinario?
A2:
- JGS1EJGS2sono substrati di vetro ottico di alta qualità noti per la loroelevata trasparenza otticaEbassa dilatazione termica, rendendoli ideali per dispositivi fotonici e optoelettronici.
- BF33offerte di vetroindice di rifrazione più elevatoed è ideale per applicazioni che richiedono prestazioni ottiche migliorate, comediodi laser.
- Quarzo ordinariofornisce altastabilità termicaEresistenza alle radiazioni, rendendolo adatto ad applicazioni ad alte temperature e in ambienti difficili.
D3: Posso personalizzare la resistività e il tipo di drogaggio per i wafer GaN su vetro?
A3:Sì, offriamoresistività personalizzabileEtipi di doping(tipo N o tipo P) per wafer GaN su vetro. Questa flessibilità consente di adattare i wafer ad applicazioni specifiche, tra cui dispositivi di potenza, LED e sistemi fotonici.
D4: Quali sono le applicazioni tipiche del GaN su vetro nell'optoelettronica?
A4:In optoelettronica, i wafer GaN su vetro sono comunemente utilizzati perLED blu e verdi, Laser UV, EfotodetectorLe proprietà ottiche personalizzabili del vetro consentono dispositivi con elevatatrasmissione della luce, rendendoli ideali per applicazioni intecnologie di visualizzazione, illuminazione, Esistemi di comunicazione ottica.
D5: Come si comporta il GaN su vetro nelle applicazioni ad alta frequenza?
A5:I wafer GaN-on-glass offronoeccellente mobilità degli elettroni, consentendo loro di ottenere buoni risultati inapplicazioni ad alta frequenzaad esempioamplificatori RF, dispositivi a microonde, ESistemi di comunicazione 5GLa loro elevata tensione di rottura e le basse perdite di commutazione li rendono adatti perdispositivi RF ad alta potenza.
D6: Qual è la tensione di rottura tipica dei wafer GaN su vetro?
A6:I wafer GaN su vetro supportano in genere tensioni di rottura fino a1200V, rendendoli adatti perad alta potenzaEalta tensioneapplicazioni. Il loro ampio bandgap consente loro di gestire tensioni più elevate rispetto ai materiali semiconduttori convenzionali come il silicio.
D7: I wafer GaN su vetro possono essere utilizzati nelle applicazioni automobilistiche?
A7:Sì, i wafer GaN su vetro vengono utilizzati inelettronica di potenza per autoveicoli, compresoConvertitori CC-CCEcaricabatterie di bordo(OBC) per veicoli elettrici. La loro capacità di operare ad alte temperature e gestire alte tensioni li rende ideali per queste applicazioni impegnative.
Conclusione
I nostri wafer GaN su vetro da 4 pollici offrono una soluzione unica e personalizzabile per una varietà di applicazioni in optoelettronica, elettronica di potenza e fotonica. Grazie a substrati in vetro come JGS1, JGS2, BF33 e quarzo ordinario, questi wafer offrono versatilità sia in termini di proprietà meccaniche che ottiche, consentendo soluzioni personalizzate per dispositivi ad alta potenza e alta frequenza. Che si tratti di LED, diodi laser o applicazioni RF, i wafer GaN su vetro
Diagramma dettagliato
