Dia50.8mm Wafer in zaffiro Finestra in zaffiro Alta trasmissione ottica DSP/SSP
Perchè Zaffiro?
Caratteristiche dello zaffiro monocristallo
1. Lo zaffiro ha un'elevata trasmittanza ottica, quindi è ampiamente utilizzato come materiale dielettrico per tubi microelettronici, elemento di conduzione ultrasonica, cavità laser a guida d'onda e altri elementi ottici, come materiali per finestre per dispositivi militari a infrarossi, veicoli spaziali, laser ad alta intensità e dispositivi ottici comunicazioni.
2. Lo zaffiro ha elevata rigidità, elevata resistenza, elevata temperatura di esercizio, resistenza all'abrasione, caratteristiche di resistenza alla corrosione, quindi il substrato di zaffiro viene spesso utilizzato in ambienti difficili, come indicatori dell'acqua della caldaia (resistenza alle alte temperature), scanner di codici a barre delle materie prime, cuscinetti, e altri prodotti manifatturieri di precisione (resistenza all'usura), carbone, gas, sensori di rilevamento di pozzi e finestre di rilevamento (anticorrosione).
3. Lo zaffiro ha le caratteristiche di isolamento elettrico, trasparenza, buona conduttività termica ed elevata rigidità, quindi può essere utilizzato come materiale di substrato di circuiti integrati, come LED e circuiti microelettronici, circuiti integrati ad altissima velocità.
Specifica
Diametro | 50,8 mm +/- 0,1 mm o +/- 0,02 mm |
Spessore | 0,43 mm ± 0,1 mm o +/- 0,02 mm |
Orientamento | Piano C/Piano A/Piano M/Piano R |
Qualità della superficie (scratch & dig) | 60/40, 40/20 o superiore |
Precisione della superficie | λ/10, λ/2, λ |
Apertura chiara | >85%, >90% |
Parallelismo | +/-3', +/-30'' |
Smusso | 0,1~0,3 mm×45 gradi |
Rivestimento | AR, BBAR o su richiesta del cliente (UV, VIS, IR) |
NO | Proprietà | Bersaglio | Tolleranza | Osservazioni | |
1 | Diametro | 50,8 mm | ± 0,1 mm | ||
2 | Spessore | 430μm | ±15μm | ||
3 | Orientamento della superficie del piano C | dall'asse C a M0,2° | ± 0,1° | ||
4 | Lunghezza piatta primaria | 16 mm | ±11 mm | ||
5 | Orientamento piatto primario | A-aereo(11-20) | ±0,1° | ||
6 | Rugosità del lato posteriore | 0,8~1,2um | |||
7 | Rugosità del lato anteriore | <0,3 nm | |||
8 | Bordo del wafer | Tipo R | |||
9 | Variazione dello spessore totale, TTV | ≤ 10μm(LTV≤5μm, 5*5) | |||
10 | SORI | ≤10μm | |||
11 | Arco | -10 μm ≤ ARCO ≤ 0 | |||
12 | Marchio laser | N / A | non avere | ||
Pacchetto | 25 wafer in una cassetta | ||||
Capacità di tracciare | I wafer devono essere tracciabili rispetto al numero della cassetta |
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