Dia50,8mm Wafer in zaffiro Finestra in zaffiro Alta trasmittanza ottica DSP/SSP

Immagine in evidenza DSP/SSP con wafer in zaffiro da 50,8 mm di diametro e finestra in zaffiro ad alta trasmittanza ottica

Breve descrizione:

Grazie al reticolo meno disomogeneo e alle proprietà chimiche e fisiche stabili, il wafer di zaffiro (Al₂O₂) è il substrato più diffuso per nitruri III-V, superconduttori ed epifilm magnetici. Sono ampiamente utilizzati nella crescita epitassiale di GaN e film sottili, silicio su zaffiro, nel mercato dei LED e nell'industria ottica.

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Perché Sapphire?

Caratteristiche dello zaffiro monocristallino
1. Lo zaffiro ha un'elevata trasmittanza ottica, per cui è ampiamente utilizzato come materiale dielettrico per tubi microelettronici, elemento di conduzione ultrasonica, cavità laser a guida d'onda e altri elementi ottici, come materiali per finestre per dispositivi militari a infrarossi, veicoli spaziali, laser ad alta intensità e comunicazioni ottiche.

2. Lo zaffiro ha elevata rigidità, elevata resistenza, elevata temperatura di lavoro, resistenza all'abrasione e alla corrosione, pertanto il substrato di zaffiro è spesso utilizzato in ambienti difficili, come indicatori di livello dell'acqua delle caldaie (resistenza alle alte temperature), scanner di codici a barre, cuscinetti e altre lavorazioni di precisione (resistenza all'usura), sensori di rilevamento di pozzi e finestre di rilevamento (anticorrosione).

3. Lo zaffiro ha le caratteristiche di isolamento elettrico, trasparenza, buona conduttività termica ed elevata rigidità, quindi può essere utilizzato come materiale di substrato di circuiti integrati, come LED e circuiti microelettronici, circuiti integrati ad altissima velocità.

Specificazione

Diametro	50,8 mm +/-0,1 mm o +/-0,02 mm
Spessore	0,43 mm± 0,1 mm o +/-0,02 mm
Orientamento	Piano C/Piano A/Piano M/Piano R
Qualità della superficie (graffio e scavo)	60/40, 40/20 o migliore
Precisione della superficie	λ/10, λ/2, λ
Apertura chiara	>85%, >90%
Parallelismo	+/-3', +/-30''
Smusso	0,1~0,3 mm×45 gradi
Rivestimento	AR, BBAR o su richiesta del cliente (UV, VIS, IR)

NO	Proprietà	Bersaglio	Tolleranza	Osservazioni
1	Diametro	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Spessore	430μm	±15μm
3	Orientamento della superficie del piano C	dall'asse C a M0,2°	± 0,1°
4	Lunghezza piana primaria	16 millimetri	±11 mm
5	Orientamento piatto primario	Piano A (11-20)	±0,1°
6	Rugosità del lato posteriore	0,8~1,2 µm
7	Rugosità frontale	<0,3 nm
8	Bordo del wafer	Tipo R
9	Variazione dello spessore totale, TTV	≤ 10μm (LTV ≤ 5μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	Arco	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Marchio laser	N / A		non avere
	Pacchetto	25 wafer in una cassetta
	Capacità di tracciamento	I wafer devono essere tracciabili rispetto al numero di cassetta

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