Dia300x1.0mmt Spessore Wafer Zaffiro C-Plane SSP/DSP
Introduzione della scatola per wafer
Materiali di cristallo | 99,999% di Al2O3, elevata purezza, monocristallino, Al2O3 | |||
Qualità del cristallo | Inclusioni, segni di blocco, gemelli, Colore, microbolle e centri di dispersione sono inesistenti | |||
Diametro | 2 pollici | 3 pollici | 4 pollici | 6 pollici ~ 12 pollici |
50,8±0,1 mm | 76,2±0,2 mm | 100±0,3 mm | In conformità con le disposizioni di produzione standard | |
Spessore | 430±15μm | 550±15μm | 650±20μm | Può essere personalizzato dal cliente |
Orientamento | Da piano C (0001) a piano M (1-100) o piano A (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, piano R (1-1 0 2), piano A (1 1-2 0 ), Piano M (1-1 0 0), Qualsiasi orientamento, Qualsiasi angolo | |||
Lunghezza piatta primaria | 16,0±1 mm | 22,0±1,0 mm | 32,5±1,5 mm | In conformità con le disposizioni di produzione standard |
Orientamento piatto primario | Piano A (1 1-2 0 ) ± 0,2° | |||
TTV | ≤10 µm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30 µm |
LTV | ≤10 µm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30 µm |
TIR | ≤10 µm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30 µm |
ARCO | ≤10 µm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30 µm |
Ordito | ≤10 µm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30 µm |
Superficie anteriore | Epi-lucidato (Ra<0,2 nm) |
*Arco: la deviazione del punto centrale della superficie mediana di un wafer libero e non bloccato dal piano di riferimento, dove il piano di riferimento è definito dai tre angoli di un triangolo equilatero.
*Deformazione: la differenza tra le distanze massima e minima della superficie mediana di un wafer libero e non bloccato dal piano di riferimento sopra definito.
Prodotti e servizi di alta qualità per dispositivi a semiconduttore di prossima generazione e crescita epitassiale:
Elevato grado di planarità (TTV controllato, arco, ordito ecc.)
Pulizia di alta qualità (bassa contaminazione di particelle, bassa contaminazione di metalli)
Foratura, scanalatura, taglio e lucidatura del substrato
Allegamento di dati quali pulizia e forma del supporto (facoltativo)
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