Wafer di substrato SiC 4H-N da 8 pollici in carburo di silicio Dummy Research grade, spessore 500 µm

Wafer di substrato SiC 4H-N da 8 pollici in carburo di silicio, grado di ricerca fittizio, spessore 500 µm. Immagine in evidenza

Breve descrizione:

I wafer di carburo di silicio vengono utilizzati in dispositivi elettronici come diodi di potenza, MOSFET, dispositivi a microonde ad alta potenza e transistor RF, consentendo un'efficiente conversione dell'energia e una gestione efficiente della potenza. I wafer e i substrati in SiC trovano impiego anche nell'elettronica automobilistica, nei sistemi aerospaziali e nelle tecnologie per le energie rinnovabili.

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Come si scelgono i wafer in carburo di silicio e i substrati SiC?

Nella scelta dei wafer e dei substrati in carburo di silicio (SiC), ci sono diversi fattori da considerare. Ecco alcuni criteri importanti:

Tipo di materiale: determina il tipo di materiale SiC più adatto alla tua applicazione, ad esempio 4H-SiC o 6H-SiC. La struttura cristallina più comunemente utilizzata è 4H-SiC.

Tipo di drogaggio: decidere se è necessario un substrato di SiC drogato o non drogato. I tipi di drogaggio più comuni sono di tipo N (drogato con n) o di tipo P (drogato con p), a seconda delle esigenze specifiche.

Qualità dei cristalli: valutare la qualità dei cristalli dei wafer o dei substrati di SiC. La qualità desiderata è determinata da parametri quali il numero di difetti, l'orientamento cristallografico e la rugosità superficiale.

Diametro del wafer: scegli la dimensione del wafer appropriata in base alla tua applicazione. Le dimensioni più comuni includono 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici. Maggiore è il diametro, maggiore è la resa ottenibile per wafer.

Spessore: Considerare lo spessore desiderato dei wafer o dei substrati di SiC. Le opzioni di spessore tipiche vanno da pochi micrometri a diverse centinaia di micrometri.

Orientamento: determinare l'orientamento cristallografico più adatto ai requisiti della vostra applicazione. Gli orientamenti più comuni includono (0001) per il 4H-SiC e (0001) o (0001̅) per il 6H-SiC.

Finitura superficiale: valutare la finitura superficiale dei wafer o dei substrati in SiC. La superficie deve essere liscia, lucida e priva di graffi o contaminanti.

Reputazione del fornitore: scegliete un fornitore affidabile con una vasta esperienza nella produzione di wafer e substrati SiC di alta qualità. Considerate fattori come la capacità produttiva, il controllo qualità e le recensioni dei clienti.

Costo: considerare le implicazioni in termini di costi, tra cui il prezzo per wafer o substrato e qualsiasi spesa aggiuntiva di personalizzazione.

È importante valutare attentamente questi fattori e consultare esperti del settore o fornitori per garantire che i wafer e i substrati SiC scelti soddisfino i requisiti specifici della tua applicazione.