Wafer di substrato SiC 4H-N da 8 pollici Manichino in carburo di silicio Grado di ricerca spessore 500um

Breve descrizione:

I wafer di carburo di silicio vengono utilizzati in dispositivi elettronici come diodi di potenza, MOSFET, dispositivi a microonde ad alta potenza e transistor RF, consentendo una conversione e una gestione energetica efficienti dell'energia. Wafer e substrati SiC trovano impiego anche nell'elettronica automobilistica, nei sistemi aerospaziali e nelle tecnologie di energia rinnovabile.

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Come scegliere i wafer in carburo di silicio e i substrati SiC?

Quando si scelgono wafer e substrati in carburo di silicio (SiC), ci sono diversi fattori da considerare. Ecco alcuni criteri importanti:

Tipo di materiale: determina il tipo di materiale SiC adatto alla tua applicazione, ad esempio 4H-SiC o 6H-SiC. La struttura cristallina più comunemente usata è 4H-SiC.

Tipo di drogaggio: decidi se hai bisogno di un substrato SiC drogato o non drogato. I tipi di drogaggio più comuni sono il tipo N (n-dopato) o il tipo P (p-dopato), a seconda dei requisiti specifici.

Qualità del cristallo: valutare la qualità del cristallo dei wafer o dei substrati SiC. La qualità desiderata è determinata da parametri quali il numero di difetti, l'orientamento cristallografico e la rugosità superficiale.

Diametro del wafer: scegli la dimensione del wafer appropriata in base alla tua applicazione. Le dimensioni comuni includono 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici. Maggiore è il diametro, maggiore è la resa che si può ottenere per wafer.

Spessore: considerare lo spessore desiderato dei wafer o dei substrati SiC. Le opzioni di spessore tipiche vanno da pochi micrometri a diverse centinaia di micrometri.

Orientamento: determina l'orientamento cristallografico che si allinea ai requisiti della tua applicazione. Gli orientamenti comuni includono (0001) per 4H-SiC e (0001) o (0001̅) per 6H-SiC.

Finitura superficiale: valutare la finitura superficiale dei wafer o dei substrati SiC. La superficie deve essere liscia, lucida e priva di graffi o contaminanti.

Reputazione del fornitore: scegli un fornitore affidabile con una vasta esperienza nella produzione di wafer e substrati SiC di alta qualità. Considera fattori quali capacità di produzione, controllo di qualità e recensioni dei clienti.

Costo: considerare le implicazioni in termini di costi, incluso il prezzo per wafer o substrato ed eventuali spese di personalizzazione aggiuntive.

È importante valutare attentamente questi fattori e consultare esperti del settore o fornitori per garantire che i wafer e i substrati SiC scelti soddisfino i requisiti applicativi specifici.