Wafer SiC semi-isolante in carburo di silicio da 3 pollici 76,2 mm 4H-Semi SiC

I wafer di substrato SiC (carburo di silicio) semi-isolati 4H da 3 pollici sono un materiale semiconduttore comunemente usato. 4H indica una struttura cristallina tetraesaedrica. Semi-isolamento significa che il substrato ha caratteristiche di elevata resistenza e può essere in qualche modo isolato dal flusso di corrente.

Tali wafer di substrato hanno le seguenti caratteristiche: elevata conduttività termica, bassa perdita di conduzione, eccellente resistenza alle alte temperature ed eccellente stabilità meccanica e chimica. Poiché il carburo di silicio ha un ampio gap energetico e può resistere alle alte temperature e a condizioni di campo elettrico elevato, i wafer semiisolati 4H-SiC sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza e nei dispositivi a radiofrequenza (RF).

Le principali applicazioni dei wafer semiisolati 4H-SiC includono:

1-Elettronica di potenza: i wafer 4H-SiC possono essere utilizzati per produrre dispositivi di commutazione di potenza come MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo), IGBT (transistor bipolari a gate isolato) e diodi Schottky. Questi dispositivi hanno perdite di conduzione e commutazione inferiori in ambienti ad alta tensione e alta temperatura e offrono efficienza e affidabilità più elevate.

2--Dispositivi a radiofrequenza (RF): i wafer semiisolati 4H-SiC possono essere utilizzati per fabbricare amplificatori di potenza RF ad alta potenza e alta frequenza, resistori in chip, filtri e altri dispositivi. Il carburo di silicio offre prestazioni ad alta frequenza e stabilità termica migliori grazie al maggiore tasso di deriva della saturazione degli elettroni e alla maggiore conduttività termica.

3--Dispositivi optoelettronici: i wafer semiisolati 4H-SiC possono essere utilizzati per produrre diodi laser ad alta potenza, rilevatori di luce UV e circuiti integrati optoelettronici.

In termini di direzione del mercato, la domanda di wafer semiisolati 4H-SiC è in aumento con i settori in crescita dell'elettronica di potenza, RF e optoelettronica. Ciò è dovuto al fatto che il carburo di silicio ha una vasta gamma di applicazioni, tra cui l’efficienza energetica, i veicoli elettrici, le energie rinnovabili e le comunicazioni. In futuro, il mercato dei wafer semiisolati 4H-SiC rimane molto promettente e si prevede che sostituirà i materiali di silicio convenzionali in varie applicazioni.