Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, substrati SiC di tipo N o semi-isolanti 6H o 4H
Prodotti consigliati
Wafer di SiC 4H di tipo N
Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm
Orientamento: fuori asse 4,0˚ verso <1120> ± 0,5˚
Resistività: < 0,1 ohm.cm
Rugosità: CMP faccia Si Ra <0,5nm, lucidatura ottica faccia C Ra <1 nm
Wafer SiC 4H semi-isolante
Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm
Orientamento: sull'asse {0001} ± 0,25˚
Resistività: >1E5 ohm.cm
Rugosità: CMP faccia Si Ra <0,5nm, lucidatura ottica faccia C Ra <1 nm
1. Infrastruttura 5G: alimentazione delle comunicazioni.
L'alimentazione elettrica per le comunicazioni è la base energetica per le comunicazioni tra server e stazioni base. Fornisce energia elettrica a diverse apparecchiature di trasmissione per garantire il normale funzionamento del sistema di comunicazione.
2. Colonna di ricarica dei veicoli a nuova energia: modulo di alimentazione della colonna di ricarica.
L'elevata efficienza e l'elevata potenza del modulo di alimentazione della pila di ricarica possono essere ottenute utilizzando il carburo di silicio nel modulo di alimentazione della pila di ricarica, in modo da migliorare la velocità di ricarica e ridurre i costi di ricarica.
3. Big data center, Internet industriale: alimentazione dei server.
L'alimentatore del server è la riserva di energia del server. Il server fornisce energia per garantire il normale funzionamento del sistema. L'utilizzo di componenti di alimentazione in carburo di silicio nell'alimentatore del server può migliorare la densità di potenza e l'efficienza dell'alimentatore del server, ridurre il volume complessivo del data center, ridurre i costi di costruzione complessivi e raggiungere una maggiore efficienza ambientale.
4. Uhv - Applicazione di interruttori automatici CC a trasmissione flessibile.
5. Ferrovie interurbane ad alta velocità e trasporti ferroviari interurbani: convertitori di trazione, trasformatori elettronici di potenza, convertitori ausiliari, alimentatori ausiliari.
Parametro
Proprietà | unità | Silicio | SiC | GaN |
Larghezza del bandgap | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Campo di ripartizione | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Mobilità elettronica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valore di deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Conduttività termica | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Diagramma dettagliato



