Wafer epitassiale in nitruro di gallio da 150 mm, 200 mm, 6 pollici e 8 pollici GaN su strato di silicio Epi
Metodo di fabbricazione
Il processo di produzione prevede la crescita di strati di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica da vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE). Il processo di deposizione viene eseguito in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità cristallina e un film uniforme.
Applicazioni GaN-On-Sapphire da 6 pollici: i chip con substrato in zaffiro da 6 pollici sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni a microonde, nei sistemi radar, nella tecnologia wireless e nell'optoelettronica.
Alcune applicazioni comuni includono
1. Amplificatore di potenza RF
2. Industria dell'illuminazione a LED
3. Apparecchiature di comunicazione di rete wireless
4. Dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura
5. Dispositivi optoelettronici
Specifiche del prodotto
- Dimensioni: il diametro del substrato è di 6 pollici (circa 150 mm).
- Qualità della superficie: la superficie è stata finemente lucidata per garantire un'eccellente qualità dello specchio.
- Spessore: lo spessore dello strato di GaN può essere personalizzato in base a requisiti specifici.
- Imballaggio: il substrato è accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.
- Bordi di posizionamento: il substrato è dotato di bordi di posizionamento specifici che facilitano l'allineamento e il funzionamento durante la preparazione del dispositivo.
- Altri parametri: parametri specifici come sottigliezza, resistività e concentrazione di drogaggio possono essere regolati in base alle esigenze del cliente.
Grazie alle proprietà superiori dei materiali e alle diverse applicazioni, i wafer con substrato in zaffiro da 6 pollici rappresentano una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni in vari settori.
| Substrato | 6" 1mm <111> tipo p Si | 6" 1mm <111> tipo p Si |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arco | +/-45um | +/-45um |
| Cracking | <5mm | <5mm |
| BV verticale | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Spessore Medio | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Cappuccio SiN in situ | 5-60 nm | 5-60 nm |
| Concentrazione 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilità | ~2000cm2/Contro (<2%) | ~2000cm2/Contro (<2%) |
| Rsh | <330ohm/mq (<2%) | <330ohm/mq (<2%) |
Diagramma dettagliato
