GaN da 150 mm 200 mm 6 pollici 8 pollici su wafer epi-strato di silicio Wafer epitassiale al nitruro di gallio

150 mm 200 mm 6 pollici 8 pollici GaN su wafer a strato Epi di silicio Wafer epitassiale al nitruro di gallio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il wafer GaN Epi-layer da 6 pollici è un materiale semiconduttore di alta qualità costituito da strati di nitruro di gallio (GaN) cresciuti su un substrato di silicio. Il materiale ha eccellenti proprietà di trasporto elettronico ed è ideale per la produzione di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e alta frequenza.

Inviaci un'e-mail

Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Metodo di produzione

Il processo di produzione prevede la crescita di strati di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE). Il processo di deposizione viene effettuato in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità dei cristalli e un film uniforme.

Applicazioni GaN-On-Sapphire da 6 pollici: i chip con substrato in zaffiro da 6 pollici sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni a microonde, nei sistemi radar, nella tecnologia wireless e nell'optoelettronica.

Alcune applicazioni comuni includono

1. Amplificatore di potenza RF

2. Industria dell'illuminazione a LED

3. Apparecchiature di comunicazione di rete wireless

4. Dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura

5. Dispositivi optoelettronici

Specifiche del prodotto

- Dimensioni: il diametro del substrato è di 6 pollici (circa 150 mm).

- Qualità della superficie: la superficie è stata finemente lucidata per fornire un'eccellente qualità dello specchio.

- Spessore: lo spessore dello strato GaN può essere personalizzato in base ai requisiti specifici.

- Imballaggio: il substrato viene accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.

- Bordi di posizionamento: il substrato presenta bordi di posizionamento specifici che facilitano l'allineamento e il funzionamento durante la preparazione del dispositivo.

- Altri parametri: parametri specifici come sottigliezza, resistività e concentrazione di drogaggio possono essere regolati in base alle esigenze del cliente.

Grazie alle proprietà superiori dei materiali e alle diverse applicazioni, i wafer con substrato in zaffiro da 6 pollici rappresentano una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni in vari settori.

Substrato	6” 1mm <111> tipo p Si	6” 1mm <111> tipo p Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi SpessoUnif	<2%	<2%
Arco	+/-45um	+/-45um
Cracking	<5 mm	<5 mm
BV verticale	>1000 V	>1400 V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT SpessoreAvg	20-30 nm	20-30 nm
Tappo SiN in situ	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilità	~2000cm²/V (<2%)	~2000cm²/V (<2%)
Rsh	<330ohm/mq (<2%)	<330ohm/mq (<2%)