Wafer epitassiale in nitruro di gallio da 150 mm, 200 mm, 6 pollici e 8 pollici GaN su strato di silicio Epi-layer
Metodo di fabbricazione
Il processo di produzione prevede la crescita di strati di GaN su un substrato di zaffiro utilizzando tecniche avanzate come la deposizione chimica da vapore metallo-organica (MOCVD) o l'epitassia a fascio molecolare (MBE). Il processo di deposizione viene eseguito in condizioni controllate per garantire un'elevata qualità cristallina e un film uniforme.
Applicazioni GaN-On-Sapphire da 6 pollici: i chip con substrato in zaffiro da 6 pollici sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni a microonde, nei sistemi radar, nella tecnologia wireless e nell'optoelettronica.
Alcune applicazioni comuni includono
1. Amplificatore di potenza RF
2. Industria dell'illuminazione a LED
3. Apparecchiature di comunicazione di rete wireless
4. Dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura
5. Dispositivi optoelettronici
Specifiche del prodotto
- Dimensioni: il diametro del substrato è di 6 pollici (circa 150 mm).
- Qualità della superficie: la superficie è stata finemente lucidata per garantire un'eccellente qualità dello specchio.
- Spessore: lo spessore dello strato di GaN può essere personalizzato in base a requisiti specifici.
- Imballaggio: il substrato viene accuratamente imballato con materiali antistatici per evitare danni durante il trasporto.
- Bordi di posizionamento: il substrato presenta bordi di posizionamento specifici che facilitano l'allineamento e il funzionamento durante la preparazione del dispositivo.
- Altri parametri: parametri specifici quali sottigliezza, resistività e concentrazione del drogaggio possono essere regolati in base alle esigenze del cliente.
Grazie alle loro eccellenti proprietà materiali e alle molteplici applicazioni, i wafer con substrato in zaffiro da 6 pollici rappresentano una scelta affidabile per lo sviluppo di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni in vari settori.
| Substrato | 6" 1mm <111> tipo p Si | 6" 1mm <111> tipo p Si |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arco | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Cracking | <5mm | <5mm |
| BV verticale | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Spessore Medio | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Cap in situ SiN | 5-60 nm | 5-60 nm |
| Concentrazione 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilità | ~2000cm2/Contro (<2%) | ~2000cm2/Contro (<2%) |
| Rsh | <330ohm/mq (<2%) | <330ohm/mq (<2%) |
Diagramma dettagliato
