Sistema di orientamento dei wafer per la misurazione dell'orientamento dei cristalli

Uno strumento di orientamento dei wafer è un dispositivo ad alta precisione che utilizza i principi della diffrazione dei raggi X per ottimizzare i processi di produzione dei semiconduttori e di scienza dei materiali determinando gli orientamenti cristallografici. I suoi componenti principali includono una sorgente di raggi X (ad esempio, Cu-Kα, lunghezza d'onda di 0,154 nm), un goniometro di precisione (risoluzione angolare ≤0,001°) e rilevatori (CCD o contatori a scintillazione). Ruotando i campioni e analizzando i pattern di diffrazione, calcola gli indici cristallografici (ad esempio, 100, 111) e la spaziatura del reticolo con una precisione di ±30 secondi d'arco. Il sistema supporta operazioni automatizzate, fissazione sotto vuoto e rotazione multiasse, compatibile con wafer da 2-8 pollici per misurazioni rapide dei bordi dei wafer, dei piani di riferimento e dell'allineamento degli strati epitassiali. Le principali applicazioni includono la convalida delle prestazioni ad alta temperatura di wafer in carburo di silicio orientati al taglio, wafer in zaffiro e pale di turbine, migliorando direttamente le proprietà elettriche e la resa dei chip.