Substrato
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Substrato SiC di grado P e D, diametro 50 mm, 4H-N, 2 pollici
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Substrati in vetro TGV Wafer da 12 pollici Punzonatura del vetro
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Lingotto SiC tipo 4H-N grado fittizio 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore: >10 mm
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Semi di SiC 4H-N Dia205mm dalla Cina, grado P e D, monocristallino
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Wafer epitassia SiC da 6 pollici tipo N/P accetta personalizzazioni
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Substrato SiC 4H-N da 6 pollici con diametro di 150 mm, produzione e grado fittizio
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Wafer di biossido di silicio SiO2 wafer spesso lucidato, di prima qualità e di prova
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Wafer in zaffiro da 3 pollici, diametro 76,2 mm, spessore 0,5 mm, piano C SSP
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Wafer Epi SiC da 4 pollici per MOS o SBD
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Wafer di silicio FZ CZ in magazzino da 12 pollici Prime o Test
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Lingotto SiC da 2 pollici Dia50,8mmx10mmt monocristallo 4H-N
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Substrato di recupero fittizio da 8 pollici di wafer di silicio tipo P/N (100) 1-100Ω