Substrato
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Substrato SiC da 150 mm 4H-N da 6 pollici Produzione e grado fittizio
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Il tipo N/P del wafer epitassiale SiC da 6 pollici accetta la personalizzazione
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Wafer in zaffiro da 3 pollici diametro 76,2 mm SSP con piano C spessore 0,5 mm
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Wafer di silicio CZ Si da 6 pollici di tipo N o di tipo P
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Wafer SiC Epi da 4 pollici per MOS o SBD
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Wafer di silicio a film sottile di ossido termico SiO2 da 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici
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Lingotto SiC da 2 pollici Dia50,8mmx10mmt 4H-N monocristallo
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Wafer SOI con substrato silicio su isolante a tre strati per microelettronica e radiofrequenza
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Wafer SiC da 4 pollici Substrati SiC semi-isolanti 6H prime, di ricerca e di grado fittizio
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Wafer di substrato SiC HPSI da 6 pollici Wafer SiC semi-isolante in carburo di silicio
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Wafer SiC semi-isolanti da 4 pollici Substrato SiC HPSI Grado di produzione Prime
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Wafer SiC semi-isolante in carburo di silicio da 3 pollici 76,2 mm 4H-Semi SiC