Substrato
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
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lingotto di zaffiro da 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, monocristallo CZ, metodo KY, personalizzabile
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Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici Tipo 6H-N 0,33 mm Lucidatura bilaterale da 0,43 mm Elevata conduttività termica Basso consumo energetico
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Substrato di wafer epitassiale ad alta potenza GaAs, wafer di arseniuro di gallio, lunghezza d'onda laser di potenza 905 nm per trattamento medico laser
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Wafer epitassiale laser GaAs da 4 pollici e 6 pollici VCSEL a cavità verticale, emissione superficiale laser, lunghezza d'onda 940 nm, giunzione singola
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Rilevatore di luce APD con substrato epitassiale InP da 2 pollici, 3 pollici e 4 pollici per comunicazioni in fibra ottica o LiDAR
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anello zaffiro in materiale zaffiro sintetico Trasparente e personalizzabile Durezza Mohs 9
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Prisma in zaffiro Lente in zaffiro Alta trasparenza Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Materiale Strumento ottico
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anello in zaffiro anello interamente in zaffiro realizzato interamente in zaffiro Materiale zaffiro trasparente realizzato in laboratorio
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Lingotto di zaffiro dia 4 pollici × 80 mm Al2O3 monocristallino 99,999% cristallo singolo
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Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350 µm, tipo HPSI, grado Prime, grado Dummy
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Lingotto di carburo di silicio SiC da 6 pollici tipo N, spessore fittizio/di prima qualità personalizzabile