Substrato
-
Processo TVG su wafer di quarzo zaffiro BF33 Punzonatura di wafer di vetro
-
Wafer di silicio monocristallino con substrato Si tipo N/P Wafer in carburo di silicio opzionale
-
Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Substrato monocristallino di alta qualità e di bassa qualità
-
SiC semiisolante su substrati compositi Si
-
Substrati compositi SiC semiisolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
Boule di zaffiro sintetico Zaffiro monocristallo grezzo Il diametro e lo spessore possono essere personalizzati
-
SiC di tipo N su substrati compositi Si Dia6 pollici
-
Substrato SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carburo di silicio
-
Substrato SiC da 3 pollici Produzione Dia76.2mm 4H-N
-
Substrato SiC grado P e D Dia50mm 4H-N 2 pollici
-
TGV Substrati in vetro Wafer da 12 pollici Punzonatura del vetro
-
Lingotto SiC tipo 4H-N Grado fittizio 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore:> 10 mm