Substrato
-
Lingotto SiC in carburo di silicio da 6 pollici tipo N. Lo spessore fittizio/di prima qualità può essere personalizzato
-
6 in lingotto semiisolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio
-
Lingotto SiC 4H tipo diametro 4 pollici 6 pollici spessore 5-10 mm Ricerca/grado fittizio
-
Substrati semiisolanti Sic (HPSl) wafer in carburo di silicio ad alta purezza da 3 pollici (non dopati)
-
Zaffiro da 6 pollici Boule zaffiro cristallo singolo vuoto Al2O3 99,999%
-
Lucidatura del grado principale di resistenza alla corrosione di elevata durezza del wafer 4H-N del carburo di silicio del substrato di Sic
-
Tipo fittizio del grado 330μm 430μm del grado di ricerca del grado di ricerca del wafer 6H-N del carburo di silicio da 2 pollici tipo spessore
-
Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N su entrambi i lati lucidato diametro 50,8 mm grado di ricerca per produzione
-
tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO Substrato SIC 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD
-
Substrato SiC Tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici con spessore di 350um Grado di produzione Grado fittizio
-
Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Grado zero MPD Grado di produzione Grado fittizio
-
Wafer SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N spessore 6 pollici 350 μm con orientamento piatto primario