Substrato
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Grado conduttivo di prima qualità conduttivo lucidato doppio del wafer Sic del substrato del carburo di silicio 6H-N di 2 pollici
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Wafer in carburo di silicio SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante ad alta purezza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pollici disponibile
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lingotto di zaffiro 3 pollici 4 pollici 6 pollici Monocristallo CZ KY metodo Personalizzabile
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anello in zaffiro realizzato in materiale zaffiro sintetico Trasparente e personalizzabile Durezza Mohs di 9
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Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici 6H-N Tipo 0,33 mm 0,43 mm lucidatura su due lati Elevata conduttività termica e basso consumo energetico
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Lunghezza d'onda del laser di potenza del wafer epitassiale ad alta potenza GaAs con substrato di wafer di arseniuro di gallio 905 nm per trattamenti medici laser
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Wafer epitassiale laser GaAs da 4 pollici 6 pollici VCSEL cavità verticale emissione superficiale lunghezza d'onda laser 940 nm singola giunzione
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Rivelatore di luce APD con substrato wafer epitassiale InP da 2 pollici 3 pollici 4 pollici per comunicazioni in fibra ottica o LiDAR
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anello in zaffiro anello interamente in zaffiro interamente realizzato in zaffiro Materiale zaffiro trasparente prodotto in laboratorio
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Lingotto di zaffiro diametro 4 pollici × 80 mm Monocristallino Al2O3 99,999% Cristallo singolo
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Prisma in zaffiro Lente in zaffiro Alta trasparenza Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Materiale Strumento ottico
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Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350um, tipo HPSI, grado Prime, grado fittizio