Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, substrati SiC di tipo N 6H o 4H o semi-isolanti

Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, substrati SiC di tipo N o semi-isolanti 6H o 4H Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC), noto anche come carborundum, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio con formula chimica SiC. Il SiC è utilizzato nei dispositivi elettronici a semiconduttore che operano ad alte temperature o ad alte tensioni, o entrambe. Il SiC è anche uno dei componenti più importanti dei LED, è un substrato popolare per la crescita di dispositivi GaN e funge anche da dissipatore di calore nei LED ad alta potenza.

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Caratteristiche

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Wafer SiC 4H di tipo N

Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm

Orientamento: fuori asse 4,0˚ verso <1120> ± 0,5˚

Resistività: < 0,1 ohm.cm

Rugosità: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face lucidatura ottica Ra <1 nm

Wafer SiC 4H semi-isolante

Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm

Orientamento: sull'asse {0001} ± 0,25˚

Resistività: >1E5 ohm.cm

Rugosità: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face lucidatura ottica Ra <1 nm

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