Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 6H o 4H di tipo N o substrati SiC semiisolanti

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC), noto anche come carborundum, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio con formula chimica SiC. Il SiC viene utilizzato nei dispositivi elettronici a semiconduttore che funzionano a temperature elevate o ad alte tensioni, o entrambi. Il SiC è anche uno dei componenti LED importanti, è un substrato popolare per i dispositivi GaN in crescita e funge anche da diffusore di calore in LED di potenza.

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Wafer SiC 4H di tipo N

Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm

Orientamento: fuori asse 4,0˚ verso <1120> ± 0,5˚

Resistività: < 0,1 ohm.cm

Rugosità: Si-face CMP Ra <0,5 nm, lucidatura ottica C-face Ra <1 nm

Wafer SiC 4H Semi-isolante

Diametro: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm

Orientamento: sull'asse {0001} ± 0,25˚

Resistività: >1E5 ohm.cm

Rugosità: Si-face CMP Ra <0,5 nm, lucidatura ottica C-face Ra <1 nm

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