Wafer SOI con substrato di silicio su isolante a tre strati per microelettronica e radiofrequenza

Breve descrizione:

Il nome completo SOI è Silicon On Insulator, ovvero la struttura del transistor al silicio sopra l'isolante. Il principio è che tra i transistor al silicio, aggiungendo materiale isolante, è possibile rendere la capacità parassita tra i due meno del doppio di quella originale.


Caratteristiche

Introduzione della scatola per wafer

Vi presentiamo il nostro wafer avanzato Silicon-On-Insulator (SOI), meticolosamente progettato con tre strati distinti, che rivoluziona la microelettronica e le applicazioni a radiofrequenza (RF). Questo substrato innovativo combina uno strato superiore di silicio, uno strato di ossido isolante e un substrato inferiore di silicio per offrire prestazioni e versatilità senza pari.

Progettato per le esigenze della moderna microelettronica, il nostro wafer SOI fornisce una solida base per la fabbricazione di circuiti integrati (CI) complessi con velocità, efficienza energetica e affidabilità superiori. Lo strato superiore di silicio consente la perfetta integrazione di componenti elettronici complessi, mentre lo strato di ossido isolante riduce al minimo la capacità parassita, migliorando le prestazioni complessive del dispositivo.

Nell'ambito delle applicazioni RF, il nostro wafer SOI eccelle per la bassa capacità parassita, l'elevata tensione di rottura e le eccellenti proprietà di isolamento. Ideale per commutatori RF, amplificatori, filtri e altri componenti RF, questo substrato garantisce prestazioni ottimali nei sistemi di comunicazione wireless, nei sistemi radar e altro ancora.

Inoltre, l'intrinseca tolleranza alle radiazioni del nostro wafer SOI lo rende ideale per applicazioni aerospaziali e di difesa, dove l'affidabilità in ambienti difficili è fondamentale. La sua struttura robusta e le eccezionali prestazioni garantiscono un funzionamento costante anche in condizioni estreme.

Caratteristiche principali:

Architettura a tre strati: strato superiore di silicio, strato di ossido isolante e substrato inferiore di silicio.

Prestazioni microelettroniche superiori: consente la fabbricazione di circuiti integrati avanzati con maggiore velocità ed efficienza energetica.

Eccellenti prestazioni RF: bassa capacità parassita, elevata tensione di rottura e proprietà di isolamento superiori per i dispositivi RF.

Affidabilità di livello aerospaziale: la tolleranza intrinseca alle radiazioni garantisce affidabilità in ambienti difficili.

Applicazioni versatili: adatto a un'ampia gamma di settori, tra cui telecomunicazioni, aerospaziale, difesa e altro ancora.

Scopri la prossima generazione di microelettronica e tecnologia RF con il nostro wafer Silicon-On-Insulator (SOI) avanzato. Sblocca nuove possibilità di innovazione e guida il progresso nelle tue applicazioni con la nostra soluzione di substrato all'avanguardia.

Diagramma dettagliato

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