Lingotto SiC in carburo di silicio da 6 pollici tipo N Lo spessore fittizio/di prima qualità può essere personalizzato

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda che sta guadagnando terreno in una vasta gamma di settori grazie alle sue proprietà elettriche, termiche e meccaniche superiori. Il lingotto SiC in grado Dummy/Prime di tipo N da 6 pollici è specificamente progettato per la produzione di dispositivi semiconduttori avanzati, comprese applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza. Con opzioni di spessore personalizzabili e specifiche precise, questo lingotto SiC fornisce una soluzione ideale per lo sviluppo di dispositivi utilizzati nei veicoli elettrici, nei sistemi di alimentazione industriale, nelle telecomunicazioni e in altri settori ad alte prestazioni. La robustezza del SiC in condizioni di alta tensione, alta temperatura e alta frequenza garantisce prestazioni durature, efficienti e affidabili in una varietà di applicazioni.
Il lingotto SiC è disponibile nella dimensione da 6 pollici, con un diametro di 150,25 mm ± 0,25 mm e uno spessore maggiore di 10 mm, che lo rende ideale per il taglio dei wafer. Questo prodotto offre un orientamento della superficie ben definito di 4° verso <11-20> ± 0,2°, garantendo un'elevata precisione nella fabbricazione del dispositivo. Inoltre, il lingotto presenta un orientamento piatto primario di <1-100> ± 5°, contribuendo all'allineamento ottimale dei cristalli e alle prestazioni di lavorazione.
Con un'elevata resistività nell'intervallo 0,015–0,0285 Ω·cm, una bassa densità di microtubi <0,5 e un'eccellente qualità dei bordi, questo lingotto SiC è adatto per la produzione di dispositivi di potenza che richiedono difetti minimi e prestazioni elevate in condizioni estreme.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

Grado: Grado di produzione (Dummy/Prime)
Dimensioni: diametro 6 pollici
Diametro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Spessore: >10mm (Spessore personalizzabile disponibile su richiesta)
Orientamento della superficie: 4° verso <11-20> ± 0,2°, che garantisce un'elevata qualità dei cristalli e un allineamento accurato per la fabbricazione del dispositivo.
Orientamento piatto primario: <1-100> ± 5°, una caratteristica fondamentale per il taglio efficiente del lingotto in wafer e per una crescita ottimale dei cristalli.
Lunghezza piatta primaria: 47,5 mm ± 1,5 mm, progettata per una facile movimentazione e un taglio di precisione.
Resistività: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideale per applicazioni in dispositivi di potenza ad alta efficienza.
Densità del microtubo: <0,5, garantendo difetti minimi che potrebbero influire sulle prestazioni dei dispositivi fabbricati.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, un valore basso che indica elevata purezza dei cristalli e bassa densità di difetti.
TSD (Densità di dislocazione della vite filettata): <500, garantendo un'eccellente integrità del materiale per dispositivi ad alte prestazioni.
Aree di politipo: Nessuna: il lingotto è esente da difetti di politipo, offrendo una qualità del materiale superiore per applicazioni di fascia alta.
Rientranze sui bordi: <3, con larghezza e profondità di 1 mm, che garantiscono danni superficiali minimi e mantengono l'integrità del lingotto per un'efficace affettatura del wafer.
Crepe sui bordi: 3, <1 mm ciascuna, con bassa probabilità di danni ai bordi, garantendo una manipolazione sicura e un'ulteriore lavorazione.
Imballaggio: custodia per wafer: il lingotto SiC è imballato in modo sicuro in una custodia per wafer per garantire un trasporto e una movimentazione sicuri.

Applicazioni

Elettronica di potenza:Il lingotto SiC da 6 pollici è ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici di potenza come MOSFET, IGBT e diodi, che sono componenti essenziali nei sistemi di conversione di potenza. Questi dispositivi sono ampiamente utilizzati negli inverter dei veicoli elettrici (EV), nei motori industriali, negli alimentatori e nei sistemi di accumulo dell'energia. La capacità del SiC di funzionare a tensioni elevate, alte frequenze e temperature estreme lo rende ideale per applicazioni in cui i tradizionali dispositivi in silicio (Si) avrebbero difficoltà a funzionare in modo efficiente.

Veicoli elettrici (EV):Nei veicoli elettrici, i componenti basati su SiC sono cruciali per lo sviluppo di moduli di potenza in inverter, convertitori DC-DC e caricabatterie di bordo. La conduttività termica superiore del SiC consente una ridotta generazione di calore e una migliore efficienza nella conversione di potenza, che è vitale per migliorare le prestazioni e l’autonomia di guida dei veicoli elettrici. Inoltre, i dispositivi SiC consentono componenti più piccoli, più leggeri e più affidabili, contribuendo alle prestazioni complessive dei sistemi EV.

Sistemi di energia rinnovabile:I lingotti SiC sono un materiale essenziale nello sviluppo di dispositivi di conversione di potenza utilizzati nei sistemi di energia rinnovabile, inclusi inverter solari, turbine eoliche e soluzioni di accumulo di energia. Le elevate capacità di gestione della potenza del SiC e l'efficiente gestione termica consentono una maggiore efficienza di conversione energetica e una migliore affidabilità in questi sistemi. Il suo utilizzo nelle energie rinnovabili aiuta a guidare gli sforzi globali verso la sostenibilità energetica.

Telecomunicazioni:Il lingotto SiC da 6 pollici è adatto anche per la produzione di componenti utilizzati in applicazioni RF (radiofrequenza) ad alta potenza. Questi includono amplificatori, oscillatori e filtri utilizzati nelle telecomunicazioni e nei sistemi di comunicazione satellitare. La capacità del SiC di gestire alte frequenze ed elevata potenza lo rende un materiale eccellente per i dispositivi di telecomunicazione che richiedono prestazioni robuste e perdita minima di segnale.

Aerospaziale e Difesa:L'elevata tensione di rottura e la resistenza alle alte temperature del SiC lo rendono ideale per applicazioni aerospaziali e di difesa. I componenti realizzati con lingotti di SiC vengono utilizzati nei sistemi radar, nelle comunicazioni satellitari e nell'elettronica di potenza per aerei e veicoli spaziali. I materiali a base di SiC consentono ai sistemi aerospaziali di funzionare nelle condizioni estreme incontrate nello spazio e negli ambienti ad alta quota.

Automazione Industriale:Nell'automazione industriale, i componenti SiC vengono utilizzati in sensori, attuatori e sistemi di controllo che devono funzionare in ambienti difficili. I dispositivi basati su SiC vengono impiegati in macchinari che richiedono componenti efficienti e duraturi in grado di resistere alle alte temperature e alle sollecitazioni elettriche.

Tabella delle specifiche del prodotto

Proprietà	Specifica
Grado	Produzione (Dummy/Prime)
Misurare	6 pollici
Diametro	150,25 mm ± 0,25 mm
Spessore	>10mm (personalizzabile)
Orientamento della superficie	4° verso <11-20> ± 0,2°
Orientamento piatto primario	<1-100> ± 5°
Lunghezza piatta primaria	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistività	0,015–0,0285 Ω·cm
Densità del microtubo	<0,5
Densità di vaiolatura del boro (BPD)	<2000
Densità di dislocazione della vite filettata (TSD)	<500
Aree di politipo	Nessuno
Rientri del bordo	<3,1 mm di larghezza e profondità
Crepe sui bordi	3, <1 mm/cad
Imballaggio	Caso di wafer

Conclusione

Il lingotto SiC da 6 pollici – grado Dummy/Prime di tipo N è un materiale di prima qualità che soddisfa i rigorosi requisiti dell'industria dei semiconduttori. La sua elevata conduttività termica, resistività eccezionale e bassa densità di difetti lo rendono una scelta eccellente per la produzione di dispositivi elettronici di potenza avanzati, componenti automobilistici, sistemi di telecomunicazioni e sistemi di energia rinnovabile. Le specifiche personalizzabili di spessore e precisione assicurano che questo lingotto SiC possa essere adattato a un'ampia gamma di applicazioni, garantendo prestazioni elevate e affidabilità in ambienti difficili. Per ulteriori informazioni o per effettuare un ordine, contatta il nostro team di vendita.