Lingotto di carburo di silicio SiC da 6 pollici tipo N, spessore fittizio/di prima qualità personalizzabile

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio bandgap che sta riscuotendo un notevole successo in diversi settori grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche, termiche e meccaniche. Il lingotto di SiC di grado Dummy/Prime di tipo N da 6 pollici è specificamente progettato per la produzione di dispositivi a semiconduttore avanzati, comprese applicazioni ad alta potenza e alta frequenza. Grazie a opzioni di spessore personalizzabili e specifiche precise, questo lingotto di SiC offre una soluzione ideale per lo sviluppo di dispositivi utilizzati in veicoli elettrici, sistemi di alimentazione industriali, telecomunicazioni e altri settori ad alte prestazioni. La robustezza del SiC in condizioni di alta tensione, alta temperatura e alta frequenza garantisce prestazioni durature, efficienti e affidabili in una varietà di applicazioni.
Il lingotto in SiC è disponibile in un formato da 6 pollici, con un diametro di 150,25 mm ± 0,25 mm e uno spessore superiore a 10 mm, rendendolo ideale per il taglio di wafer. Questo prodotto offre un orientamento superficiale ben definito di 4° verso <11-20> ± 0,2°, garantendo un'elevata precisione nella fabbricazione del dispositivo. Inoltre, il lingotto presenta un orientamento primario piatto di <1-100> ± 5°, contribuendo a un allineamento ottimale dei cristalli e a prestazioni di processo ottimali.
Grazie all'elevata resistività compresa tra 0,015 e 0,0285 Ω·cm, alla bassa densità dei microtubi <0,5 e all'eccellente qualità dei bordi, questo lingotto SiC è adatto alla produzione di dispositivi di potenza che richiedono difetti minimi ed elevate prestazioni in condizioni estreme.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

Grado: Grado di produzione (fittizio/principale)
Dimensioni: diametro 6 pollici
Diametro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Spessore: >10 mm (spessore personalizzabile disponibile su richiesta)
Orientamento della superficie: 4° verso <11-20> ± 0,2°, che garantisce un'elevata qualità dei cristalli e un allineamento accurato per la fabbricazione del dispositivo.
Orientamento piatto primario: <1-100> ± 5°, una caratteristica fondamentale per il taglio efficiente del lingotto in wafer e per una crescita ottimale dei cristalli.
Lunghezza primaria piatta: 47,5 mm ± 1,5 mm, progettata per una facile maneggevolezza e un taglio di precisione.
Resistività: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideale per applicazioni in dispositivi di potenza ad alta efficienza.
Densità dei microtubi: <0,5, per garantire difetti minimi che potrebbero influire sulle prestazioni dei dispositivi realizzati.
BPD (densità di vaiolatura del boro): <2000, un valore basso che indica elevata purezza dei cristalli e bassa densità di difetti.
TSD (densità di dislocazione della vite filettata): <500, per garantire un'eccellente integrità del materiale per dispositivi ad alte prestazioni.
Aree di politipia: nessuna: il lingotto è esente da difetti di politipia, offrendo una qualità del materiale superiore per applicazioni di fascia alta.
Rientranze sui bordi: <3, con larghezza e profondità di 1 mm, per garantire danni minimi alla superficie e preservare l'integrità del lingotto per un efficiente taglio dei wafer.
Crepe sui bordi: 3, <1 mm ciascuna, con bassa incidenza di danni ai bordi, garantendo una manipolazione sicura e un'ulteriore lavorazione.
Imballaggio: Custodia per wafer: il lingotto di SiC è imballato in modo sicuro in una custodia per wafer per garantire un trasporto e una movimentazione sicuri.

Applicazioni

Elettronica di potenza:Il lingotto di SiC da 6 pollici è ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici di potenza come MOSFET, IGBT e diodi, componenti essenziali nei sistemi di conversione di potenza. Questi dispositivi sono ampiamente utilizzati negli inverter per veicoli elettrici (EV), negli azionamenti per motori industriali, negli alimentatori e nei sistemi di accumulo di energia. La capacità del SiC di funzionare ad alte tensioni, alte frequenze e temperature estreme lo rende ideale per applicazioni in cui i tradizionali dispositivi in silicio (Si) avrebbero difficoltà a funzionare in modo efficiente.

Veicoli elettrici (EV):Nei veicoli elettrici, i componenti in SiC sono fondamentali per lo sviluppo di moduli di potenza in inverter, convertitori CC-CC e caricabatterie di bordo. L'elevata conduttività termica del SiC consente una ridotta generazione di calore e una migliore efficienza nella conversione di potenza, fondamentale per migliorare le prestazioni e l'autonomia dei veicoli elettrici. Inoltre, i dispositivi in SiC consentono di realizzare componenti più piccoli, leggeri e affidabili, contribuendo alle prestazioni complessive dei sistemi EV.

Sistemi di energia rinnovabile:I lingotti di SiC sono un materiale essenziale per lo sviluppo di dispositivi di conversione di potenza utilizzati nei sistemi di energia rinnovabile, inclusi inverter solari, turbine eoliche e soluzioni di accumulo di energia. L'elevata capacità di gestione della potenza e l'efficiente gestione termica del SiC consentono una maggiore efficienza di conversione energetica e una maggiore affidabilità in questi sistemi. Il suo utilizzo nelle energie rinnovabili contribuisce a guidare gli sforzi globali verso la sostenibilità energetica.

Telecomunicazioni:Il lingotto in SiC da 6 pollici è adatto anche per la produzione di componenti utilizzati in applicazioni RF (radiofrequenza) ad alta potenza. Tra questi, amplificatori, oscillatori e filtri utilizzati nei sistemi di telecomunicazione e di comunicazione satellitare. La capacità del SiC di gestire alte frequenze e potenze elevate lo rende un materiale eccellente per i dispositivi di telecomunicazione che richiedono prestazioni elevate e perdite di segnale minime.

Aerospaziale e Difesa:L'elevata tensione di rottura del SiC e la sua resistenza alle alte temperature lo rendono ideale per applicazioni aerospaziali e di difesa. I componenti realizzati in lingotti di SiC vengono utilizzati nei sistemi radar, nelle comunicazioni satellitari e nell'elettronica di potenza per aeromobili e veicoli spaziali. I materiali a base di SiC consentono ai sistemi aerospaziali di funzionare nelle condizioni estreme tipiche dello spazio e degli ambienti ad alta quota.

Automazione industriale:Nell'automazione industriale, i componenti in SiC vengono utilizzati in sensori, attuatori e sistemi di controllo che devono operare in ambienti difficili. I dispositivi basati su SiC vengono impiegati in macchinari che richiedono componenti efficienti e durevoli, in grado di resistere ad alte temperature e sollecitazioni elettriche.

Tabella delle specifiche del prodotto

Proprietà	Specificazione
Grado	Produzione (fittizia/primaria)
Misurare	6 pollici
Diametro	150,25 mm ± 0,25 mm
Spessore	>10 mm (personalizzabile)
Orientamento della superficie	4° verso <11-20> ± 0,2°
Orientamento primario piatto	<1-100> ± 5°
Lunghezza piana primaria	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistività	0,015–0,0285 Ω·cm
Densità del microtubo	<0,5
Densità di corrosione del boro (BPD)	<2000
Densità di dislocazione della vite filettata (TSD)	<500
Aree politipo	Nessuno
Rientri dei bordi	<3, 1 mm di larghezza e profondità
Crepe sui bordi	3, <1 mm/cad.
Imballaggio	Custodia per wafer

Conclusione

Il lingotto in SiC da 6 pollici di grado Dummy/Prime di tipo N è un materiale di alta qualità che soddisfa i rigorosi requisiti dell'industria dei semiconduttori. L'elevata conduttività termica, l'eccezionale resistività e la bassa densità di difetti lo rendono una scelta eccellente per la produzione di dispositivi elettronici di potenza avanzati, componenti automobilistici, sistemi di telecomunicazione e sistemi di energia rinnovabile. Lo spessore personalizzabile e le specifiche di precisione garantiscono che questo lingotto in SiC possa essere adattato a un'ampia gamma di applicazioni, garantendo elevate prestazioni e affidabilità in ambienti difficili. Per ulteriori informazioni o per effettuare un ordine, si prega di contattare il nostro team commerciale.