Piastra in ceramica al carburo di silicio (SiC)

Breve descrizione:

Le piastre ceramiche in carburo di silicio (SiC) sono componenti ceramici avanzati ad alta resistenza e purezza, progettati per ambienti che richiedono eccezionale stabilità termica, robustezza meccanica e resistenza chimica. Grazie all'eccellente durezza, alla bassa densità e all'eccellente conduttività termica, le piastre in SiC sono ampiamente utilizzate nella lavorazione dei semiconduttori, nei forni ad alta temperatura, nei macchinari di precisione e negli ambienti industriali corrosivi.


Caratteristiche

Panoramica del prodotto

Le piastre ceramiche in carburo di silicio (SiC) sono componenti ceramici avanzati ad alta resistenza e purezza, progettati per ambienti che richiedono eccezionale stabilità termica, robustezza meccanica e resistenza chimica. Grazie all'eccellente durezza, alla bassa densità e all'eccellente conduttività termica, le piastre in SiC sono ampiamente utilizzate nella lavorazione dei semiconduttori, nei forni ad alta temperatura, nei macchinari di precisione e negli ambienti industriali corrosivi.

Queste piastre mantengono l'integrità strutturale anche in condizioni estreme, il che le rende una soluzione ideale per le apparecchiature ad alte prestazioni di nuova generazione.

Caratteristiche e proprietà principali

  • Elevata durezza e resistenza all'usura– Paragonabile al diamante, garantisce una lunga durata.

  • Bassa dilatazione termica– Riduce al minimo la deformazione in caso di rapido riscaldamento o raffreddamento.

  • Elevata conduttività termica– Dissipazione efficiente del calore per sistemi di controllo termico.

  • Eccezionale stabilità chimica– Resistente agli acidi, agli alcali e agli ambienti al plasma.

  • Leggero ma estremamente resistente– Elevato rapporto resistenza/peso rispetto ai metalli.

  • Eccellenti prestazioni ad alta temperatura– Temperature di esercizio fino a 1600°C (a seconda del grado).

  • Elevata rigidità meccanica– Ideale per un supporto preciso e stabilità strutturale.

Metodo di produzione

Le piastre ceramiche SiC vengono solitamente prodotte attraverso uno dei seguenti processi:

• Carburo di silicio legato tramite reazione (RBSC / RBSiC)

  • Formato infiltrando silicio fuso in una preforma porosa di SiC

  • Presenta elevata resistenza, buona lavorabilità e stabilità dimensionale

  • Adatto per piastre di grandi dimensioni che richiedono un controllo rigoroso della planarità

• Carburo di silicio sinterizzato (SSiC)

  • Prodotto tramite sinterizzazione senza pressione di polvere di SiC ad alta purezza

  • Offre purezza, resistenza e resistenza alla corrosione superiori

  • Ideale per applicazioni chimiche e di semiconduttori che richiedono condizioni di estrema pulizia

• Carburo di silicio CVD (CVD-SiC)

  • Processo di deposizione chimica da vapore

  • Massima purezza, superficie estremamente densa e ultra liscia

  • Comune nei supporti per wafer semiconduttori, nei suscettori e nelle parti delle camere a vuoto

Applicazioni

Le piastre ceramiche SiC sono ampiamente utilizzate in numerosi settori:

Semiconduttori ed elettronica

  • Piastre di supporto per wafer

  • Suscettori

  • Componenti del forno a diffusione

  • Parti della camera di incisione e deposizione

Componenti per forni ad alta temperatura

  • Piastre di supporto

  • Mobili per forni

  • Isolamento e protezione dell'impianto di riscaldamento

Attrezzature industriali

  • Piastre di usura meccanica

  • Pattini scorrevoli

  • Componenti di pompe e valvole

  • Piastre resistenti alla corrosione chimica

Aerospaziale e difesa

  • Piastre strutturali leggere ad alta resistenza

  • Componenti di schermatura ad alta temperatura

Vassoio in ceramica SiC10
Vassoio in ceramica SiC5

Specifiche e personalizzazione

Le piastre in ceramica SiC possono essere realizzate secondo disegni personalizzati:

• Dimensioni:
Spessore: 0,5–30 mm
Lunghezza massima del lato: fino a 600 mm (varia in base al processo)

• Tolleranza:
±0,01–0,05 mm a seconda del grado di lavorazione

• Finitura superficiale:

  • Rettificato / lappato

  • Lucidato (Ra < 5 nm per CVD-SiC)

  • Superficie sinterizzata

• Gradi dei materiali:
RBSiC / SSiC / CVD-SiC

• Opzioni forma:
Piastre piane, piastre quadrate, piastre rotonde, piastre scanalate, piastre forate, ecc.

FAQ sui vetri al quarzo

D1: Qual è la differenza tra le piastre RBSiC e SSiC?

A:Il RBSiC offre una buona resistenza meccanica e un buon rapporto costo-efficacia, mentre il SSiC presenta una purezza più elevata, una migliore resistenza alla corrosione e una maggiore robustezza. Il SSiC è preferito per applicazioni chimiche e nei semiconduttori.

D2: Le piastre in ceramica SiC possono resistere agli shock termici?

A:Sì. Il SiC ha una bassa dilatazione termica e un'elevata conduttività termica, il che garantisce un'eccellente resistenza agli shock termici.

D3: Le piastre possono essere lucidate per applicazioni su superfici a specchio?

A:Sì. Il CVD-SiC e l'SSiC ad alta purezza possono ottenere una lucidatura a specchio per requisiti ottici o di semiconduttori.

D4: Supportate lavorazioni meccaniche personalizzate?

A:Sì. Le piastre possono essere realizzate in base ai vostri disegni, compresi fori, fessure, rientranze e forme speciali.

Chi siamo

XKH è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di vetri ottici speciali e nuovi materiali cristallini ad alta tecnologia. I nostri prodotti sono destinati all'elettronica ottica, all'elettronica di consumo e al settore militare. Offriamo componenti ottici in zaffiro, coperture per lenti di telefoni cellulari, wafer in ceramica, LT, carburo di silicio (SIC), quarzo e cristalli semiconduttori. Grazie a competenze specialistiche e attrezzature all'avanguardia, eccelliamo nella lavorazione di prodotti non standard, con l'obiettivo di diventare un'azienda leader nel settore dei materiali optoelettronici ad alta tecnologia.

567

  • Precedente:
  • Prossimo:

  • Scrivi qui il tuo messaggio e inviacelo