Paletta a sbalzo in carburo di silicio (paletta a sbalzo in SiC)

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Breve descrizione:

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Caratteristiche

Diagramma dettagliato

Panoramica del prodotto

La pala a sbalzo in carburo di silicio, realizzata in carburo di silicio legato tramite reazione ad alte prestazioni (RBSiC), è un componente fondamentale utilizzato nei sistemi di caricamento e movimentazione dei wafer per applicazioni fotovoltaiche e a semiconduttore.
Rispetto alle tradizionali palette in quarzo o grafite, le palette a sbalzo in SiC offrono una resistenza meccanica superiore, elevata durezza, bassa dilatazione termica e un'eccezionale resistenza alla corrosione. Mantengono un'eccellente stabilità strutturale alle alte temperature, soddisfacendo i rigorosi requisiti di wafer di grandi dimensioni, lunga durata e bassissima contaminazione.

Con il continuo sviluppo dei processi dei semiconduttori verso diametri di wafer più grandi, maggiore produttività e ambienti di lavorazione più puliti, le palette a sbalzo in SiC hanno gradualmente sostituito i materiali convenzionali, diventando la scelta preferita per forni a diffusione, LPCVD e apparecchiature ad alta temperatura correlate.

Caratteristiche del prodotto

Eccellente stabilità alle alte temperature
- Funziona in modo affidabile a 1000–1300°C senza deformazioni.
- Temperatura massima di servizio fino a 1380℃.
Elevata capacità di carico
- Resistenza alla flessione fino a 250–280 MPa, molto più elevata rispetto alle palette in quarzo.
- In grado di gestire wafer di grande diametro (300 mm e oltre).
Durata di servizio prolungata e bassa manutenzione
- Basso coefficiente di dilatazione termica (4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹), ben abbinato ai materiali di rivestimento LPCVD.
- Riduce le crepe e le desquamazioni causate dallo stress, prolungando notevolmente i cicli di pulizia e manutenzione.
Resistenza alla corrosione e purezza
- Ottima resistenza agli acidi e agli alcali.
- Microstruttura densa con porosità aperta <0,1%, che riduce al minimo la generazione di particelle e il rilascio di impurità.
Progettazione compatibile con l'automazione
- Geometria trasversale stabile con elevata precisione dimensionale.
- Si integra perfettamente con i sistemi robotizzati di carico e scarico dei wafer, consentendo una produzione completamente automatizzata.

Proprietà fisiche e chimiche

Articolo	Unità	Dati
Temperatura massima di servizio	°C	1380
Densità	g/cm³	3.04 – 3.08
Porosità aperta	%	< 0,1
Resistenza alla flessione	MPa	250 (20℃), 280 (1200℃)
Modulo di elasticità	GPa	330 (20℃), 300 (1200℃)
Conduttività termica	W/m·K	45 (1200℃)
Coefficiente di dilatazione termica	K⁻¹×10⁻⁶	4.5
Durezza Vickers	HV2	≥ 2100
Resistenza agli acidi/alcali	-	Eccellente

Lunghezze standard:2378 millimetri, 2550 millimetri, 2660 millimetri
Dimensioni personalizzate disponibili su richiesta

Applicazioni

Industria dei semiconduttori
- LPCVD (deposizione chimica da vapore a bassa pressione)
- Processi di diffusione (fosforo, boro, ecc.)
- Ossidazione termica
Industria fotovoltaica
- Diffusione e rivestimento di wafer di polisilicio e monocristallino
- Ricottura e passivazione ad alta temperatura
Altri campi
- Ambienti corrosivi ad alta temperatura
- Sistemi di movimentazione di wafer di precisione che richiedono lunga durata e bassa contaminazione

Vantaggi per il cliente

Costi operativi ridotti– Durata maggiore rispetto alle palette al quarzo, riducendo al minimo i tempi di fermo e la frequenza di sostituzione.
Rendimento più elevato– La contaminazione estremamente bassa garantisce la pulizia della superficie del wafer e riduce i tassi di difettosità.
A prova di futuro– Compatibile con wafer di grandi dimensioni e processi di semiconduttori di nuova generazione.
Produttività migliorata– Completamente compatibile con i sistemi di automazione robotica, a supporto della produzione su larga scala.

FAQ – Paletta a sbalzo in carburo di silicio

D1: Cos'è una pagaia a sbalzo in carburo di silicio?
R: Si tratta di un componente di supporto e manipolazione per wafer realizzato in carburo di silicio legato per reazione (RBSiC). È ampiamente utilizzato nei forni a diffusione, nella deposizione galvanica a vuoto (LPCVD) e in altri processi ad alta temperatura per semiconduttori e fotovoltaici.

D2: Perché scegliere il SiC invece delle palette al quarzo?
A: Rispetto alle palette al quarzo, le palette in SiC offrono:

Maggiore resistenza meccanica e capacità portante
Migliore stabilità termica a temperature fino a 1380℃
Durata di vita molto più lunga e cicli di manutenzione ridotti
Minore generazione di particelle e rischio di contaminazione
Compatibilità con wafer di dimensioni maggiori (300 mm e oltre)

D3: Quali dimensioni di wafer può supportare la paletta a sbalzo in SiC?
R: Le palette standard sono disponibili per forni da 2378 mm, 2550 mm e 2660 mm. Sono disponibili dimensioni personalizzate per supportare wafer fino a 300 mm e oltre.

Chi siamo

XKH è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di vetri ottici speciali e nuovi materiali cristallini ad alta tecnologia. I nostri prodotti sono destinati all'elettronica ottica, all'elettronica di consumo e al settore militare. Offriamo componenti ottici in zaffiro, coperture per lenti di telefoni cellulari, wafer in ceramica, LT, carburo di silicio (SIC), quarzo e cristalli semiconduttori. Grazie a competenze specialistiche e attrezzature all'avanguardia, eccelliamo nella lavorazione di prodotti non standard, con l'obiettivo di diventare un'azienda leader nel settore dei materiali optoelettronici ad alta tecnologia.