SiC
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, substrati SiC di tipo N 6H o 4H o semi-isolanti
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Wafer di substrato SiC da 4 pollici 4H-N in carburo di silicio per produzione di materiali fittizi di qualità per la ricerca
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Wafer SiC in carburo di silicio da 6 pollici e 150 mm tipo 4H-N per la ricerca sulla produzione di MOS o SBD e di grado fittizio
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Wafer SiC 4H-N da 8 pollici e 200 mm, conduttivo, di qualità da ricerca
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, substrati SiC di tipo N 6H o 4H o semi-isolanti