SiC
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Lingotto SiC tipo 4H Diametro 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Grado di ricerca / fittizio
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Substrato Sic Wafer di carburo di silicio Tipo 4H-N Elevata durezza Resistenza alla corrosione Lucidatura di prima qualità
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, tipo 6H-N, grado primario, grado di ricerca, grado fittizio, spessore 330μm 430μm
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Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N lucidato su entrambi i lati diametro 50,8 mm grado di produzione grado di ricerca
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Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Monocristallino di alta qualità e substrato di bassa qualità
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Substrati compositi SiC semi-isolanti Dia2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici HPSI
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SiC di tipo N su substrati compositi di Si Dia6 pollici
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Substrato SiC Dia200mm 4H-N e carburo di silicio HPSI
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Substrato SiC da 3 pollici Diametro di produzione 76,2 mm 4H-N
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Substrato SiC grado P e D Dia50mm 4H-N 2 pollici
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Lingotto SiC tipo 4H-N grado fittizio 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore: >10 mm
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Wafer SiC da 8 pollici di grado fittizio 4H-N con substrato SiC da 200 mm