SiC
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6 in lingotto semiisolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio
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Lingotto SiC 4H tipo diametro 4 pollici 6 pollici spessore 5-10 mm Ricerca/grado fittizio
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Substrati semiisolanti Sic (HPSl) wafer in carburo di silicio ad alta purezza da 3 pollici (non dopati)
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Lucidatura del grado principale di resistenza alla corrosione di elevata durezza del wafer 4H-N del carburo di silicio del substrato di Sic
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Tipo fittizio del grado 330μm 430μm del grado di ricerca del grado di ricerca del wafer 6H-N del carburo di silicio da 2 pollici tipo spessore
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Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N su entrambi i lati lucidato diametro 50,8 mm grado di ricerca per produzione
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Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Substrato monocristallino di alta qualità e di bassa qualità
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Substrati compositi SiC semiisolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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SiC di tipo N su substrati compositi Si Dia6 pollici
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Substrato SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carburo di silicio
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Substrato SiC da 3 pollici Produzione Dia76.2mm 4H-N
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Substrato SiC grado P e D Dia50mm 4H-N 2 pollici