SiC
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Wafer di substrato SiC 4H-N da 8 pollici in carburo di silicio Dummy Research grade, spessore 500 µm
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Produzione di wafer SiC 4H-N/6H-N di qualità fittizia, substrato in carburo di silicio dia. 150 mm
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Wafer rivestito in oro, wafer in zaffiro, wafer in silicio, wafer in SiC, 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, spessore del rivestimento in oro 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
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Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici Tipo 6H-N 0,33 mm Lucidatura bilaterale da 0,43 mm Elevata conduttività termica Basso consumo energetico
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Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350 µm, tipo HPSI, grado Prime, grado Dummy
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Lingotto di carburo di silicio SiC da 6 pollici tipo N, spessore fittizio/di prima qualità personalizzabile
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6 in lingotto semi-isolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio
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Lingotto SiC tipo 4H Diametro 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Grado di ricerca / fittizio
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Substrato Sic Wafer di carburo di silicio tipo 4H-N Elevata durezza Resistenza alla corrosione Lucidatura di prima qualità
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, tipo 6H-N, grado primario, grado di ricerca, grado fittizio, spessore 330μm 430μm
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Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N lucidato su entrambi i lati diametro 50,8 mm grado di produzione grado di ricerca