SiC
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Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici Tipo 6H-N 0,33 mm Lucidatura bilaterale da 0,43 mm Elevata conduttività termica Basso consumo energetico
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Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350 µm, tipo HPSI, grado Prime, grado Dummy
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Lingotto di carburo di silicio SiC da 6 pollici tipo N, spessore fittizio/di prima qualità personalizzabile
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6 in lingotto semi-isolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio
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Lingotto SiC tipo 4H Diametro 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Grado di ricerca / fittizio
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Substrato Sic Wafer di carburo di silicio tipo 4H-N Elevata durezza Resistenza alla corrosione Lucidatura di prima qualità
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, tipo 6H-N, grado primario, grado di ricerca, grado fittizio, spessore 330μm 430μm
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Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N lucidato su entrambi i lati diametro 50,8 mm grado di produzione grado di ricerca
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Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Substrato monocristallino di alta qualità e substrato di bassa qualità
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Substrati compositi SiC semi-isolanti Dia2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici HPSI
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SiC di tipo N su substrati compositi di Si Dia6 pollici
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Substrato SiC Dia200mm 4H-N e carburo di silicio HPSI