Substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici con spessore di 350 µm Grado di produzione Grado fittizio

Substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con spessore di 350 µm Grado di produzione Grado fittizio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici, con uno spessore di 350 μm, è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici. Noto per la sua eccezionale conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza a temperature estreme e ambienti corrosivi, questo substrato è ideale per applicazioni di elettronica di potenza. Il substrato di livello produttivo viene utilizzato nella produzione su larga scala, garantendo un rigoroso controllo di qualità e un'elevata affidabilità nei dispositivi elettronici avanzati. Il substrato di livello fittizio, invece, viene utilizzato principalmente per il debugging di processo, la calibrazione delle apparecchiature e la prototipazione. Le proprietà superiori del SiC lo rendono una scelta eccellente per i dispositivi che operano in ambienti ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, inclusi dispositivi di potenza e sistemi RF.

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Tabella dei parametri del substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N

4 Silicio di diametro in polliciSubstrato di carburo (SiC) Specificazione

Grado			Produzione MPD pari a zero Grado (Z Grado)	Produzione standard Grado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			99,5 mm~100,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento del wafer			Fuori asse: 2,0°-4,0° verso [112(-)0] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n: 〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0 cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ω/cm		≤0,3 Ω/cm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩ⁻cm		≤1 m Ω⁻cm
Orientamento primario piatto		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Lunghezza piana primaria			32,5 millimetri ± 2,0 millimetri
Lunghezza piatta secondaria			18,0 millimetri ± 2,0 millimetri
Orientamento piatto secondario			Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. dal piano Prime±5,0°
Esclusione del bordo			3 millimetri		6 millimetri
LTV/TTV/Pratica/Ordito			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 micron		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 micron
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità luminosa			Non sono consentiti valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione superficiale del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati solo sulla superficie del Si.

Il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con uno spessore di 350 μm è ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici e di potenza avanzati. Grazie all'eccellente conduttività termica, all'elevata tensione di rottura e alla forte resistenza ad ambienti estremi, questo substrato è ideale per l'elettronica di potenza ad alte prestazioni come interruttori ad alta tensione, inverter e dispositivi RF. I substrati di livello produttivo vengono utilizzati nella produzione su larga scala, garantendo prestazioni affidabili e di alta precisione, fondamentali per l'elettronica di potenza e le applicazioni ad alta frequenza. I substrati di livello fittizio, invece, vengono utilizzati principalmente per la calibrazione di processo, il collaudo delle apparecchiature e lo sviluppo di prototipi, contribuendo a mantenere il controllo di qualità e la coerenza di processo nella produzione di semiconduttori.

SpecificaI vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Alta conduttività termica: L'efficiente dissipazione del calore rende il substrato ideale per applicazioni ad alta temperatura e alta potenza.
Alta tensione di rottura: Supporta il funzionamento ad alta tensione, garantendo l'affidabilità dei dispositivi elettronici di potenza e RF.
Resistenza agli ambienti difficili: Resistente in condizioni estreme, come alte temperature e ambienti corrosivi, garantendo prestazioni di lunga durata.
Precisione di livello produttivo: Garantisce prestazioni affidabili e di alta qualità nella produzione su larga scala, adatto per applicazioni avanzate di potenza e RF.
Grado fittizio per i test: Consente la calibrazione accurata dei processi, il collaudo delle apparecchiature e la prototipazione senza compromettere i wafer di qualità produttiva.

Nel complesso, il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con uno spessore di 350 μm offre vantaggi significativi per applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura lo rendono ideale per ambienti ad alta potenza e alta temperatura, mentre la sua resistenza a condizioni difficili garantisce durata e affidabilità. Il substrato di livello produttivo garantisce prestazioni precise e costanti nella produzione su larga scala di dispositivi elettronici di potenza e RF. Allo stesso tempo, il substrato di livello fittizio è essenziale per la calibrazione di processo, i test delle apparecchiature e la prototipazione, supportando il controllo di qualità e la coerenza nella produzione di semiconduttori. Queste caratteristiche rendono i substrati SiC altamente versatili per applicazioni avanzate.