Substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici con spessore di 350 um Grado di produzione Grado fittizio
Tabella dei parametri del substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N
4 Silicio di diametro in polliciSubstrato di carburo (SiC) Specifica
| Grado | Produzione MPD pari a zero Grado (Z Grado) | Produzione standard Grado (P Grado) | Grado fittizio (D Grado) | ||
| Diametro | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| Spessore | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientamento del wafer | Fuori asse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n:〈111〉± 0,5° per 3C-N | ||||
| Densità del microtubo | 0 cm-2 | ||||
| Resistività | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ω/cm | ≤0,3 Ω/cm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩ/cm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientamento primario piatto | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Lunghezza piana primaria | 32,5 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
| Lunghezza piatta secondaria | 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
| Orientamento secondario piatto | Faccia in silicone rivolta verso l'alto: 90° CW. dal piano Prime±5,0° | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | 6 millimetri | |||
| LTV/TTV/Arco/Ordito | ≤2,5 μm/≤5 micron/≤15 μm/≤30 micron | ≤10 micron/≤15 μm/≤25 micron/≤40 micron | |||
| Rugosità | Polacco Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm | |||
| Piastre esagonali ad alta intensità luminosa | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤0,1% | |||
| Aree politipiche mediante luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤3% | |||
| Inclusioni visive di carbonio | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤3% | |||
| Graffi sulla superficie del silicio causati dalla luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer | |||
| Chip di bordo ad alta intensità luminosa | Non sono ammessi valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno | |||
| Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità | Nessuno | ||||
| Confezione | Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo | ||||
Note:
※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati solo sulla faccia in Si.
Il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con uno spessore di 350 μm è ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici e di potenza avanzati. Grazie all'eccellente conduttività termica, all'elevata tensione di rottura e alla forte resistenza ad ambienti estremi, questo substrato è ideale per l'elettronica di potenza ad alte prestazioni come interruttori ad alta tensione, inverter e dispositivi RF. I substrati di livello produttivo vengono utilizzati nella produzione su larga scala, garantendo prestazioni affidabili e ad alta precisione dei dispositivi, fondamentali per l'elettronica di potenza e le applicazioni ad alta frequenza. I substrati di livello fittizio, invece, vengono utilizzati principalmente per la calibrazione di processo, il collaudo delle apparecchiature e lo sviluppo di prototipi, contribuendo a mantenere il controllo di qualità e la coerenza di processo nella produzione di semiconduttori.
SpecificheI vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono
- Alta conduttività termica: L'efficiente dissipazione del calore rende il substrato ideale per applicazioni ad alta temperatura e ad alta potenza.
- Alta tensione di rottura: Supporta il funzionamento ad alta tensione, garantendo l'affidabilità nell'elettronica di potenza e nei dispositivi RF.
- Resistenza agli ambienti difficili: Resistente in condizioni estreme come alte temperature e ambienti corrosivi, garantendo prestazioni durature.
- Precisione di livello produttivo: Garantisce prestazioni affidabili e di alta qualità nella produzione su larga scala, adatto per applicazioni avanzate di potenza e RF.
- Grado fittizio per i test: Consente una calibrazione accurata dei processi, test delle apparecchiature e prototipazione senza compromettere i wafer di qualità produttiva.
Nel complesso, il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con uno spessore di 350 μm offre vantaggi significativi per applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura lo rendono ideale per ambienti ad alta potenza e alta temperatura, mentre la sua resistenza a condizioni difficili garantisce durata e affidabilità. Il substrato di livello produttivo garantisce prestazioni precise e costanti nella produzione su larga scala di dispositivi elettronici di potenza e RF. Allo stesso tempo, il substrato di livello fittizio è essenziale per la calibrazione di processo, il collaudo delle apparecchiature e la prototipazione, supportando il controllo di qualità e la coerenza nella produzione di semiconduttori. Queste caratteristiche rendono i substrati SiC altamente versatili per applicazioni avanzate.
Diagramma dettagliato
