Substrato SiC Tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici con spessore di 350um Grado di produzione Grado fittizio

Breve descrizione:

Il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N, con uno spessore di 350 μm, è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici. Noto per la sua eccezionale conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza alle temperature estreme e agli ambienti corrosivi, questo substrato è ideale per applicazioni di elettronica di potenza. Il substrato di qualità produttiva viene utilizzato nella produzione su larga scala, garantendo un rigoroso controllo di qualità e un'elevata affidabilità nei dispositivi elettronici avanzati. Nel frattempo, il substrato di qualità fittizia viene utilizzato principalmente per il debugging dei processi, la calibrazione delle apparecchiature e la prototipazione. Le proprietà superiori del SiC lo rendono una scelta eccellente per i dispositivi che operano in ambienti ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, inclusi dispositivi di potenza e sistemi RF.

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Tabella dei parametri del substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N

4 Silicio di diametro in polliciSubstrato di carburo (SiC). Specifica

Grado			Produzione di MPD pari a zero Grado (Z Grado)	Produzione standard Grado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			99,5 mm~100,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento dei wafer			Fuori asse: 2,0°-4,0°verso [112(-)0] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n:〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientamento piatto primario		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria			32,5 mm±2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria			18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario			Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. dall'appartamento Prime±5,0°
Esclusione dei bordi			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 µm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 µm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali con luce ad alta intensità			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree di politipo mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio dovuti alla luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità di luce			Nessuno è consentito con larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. # I graffi devono essere controllati solo sulla faccia Si.

Il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con uno spessore di 350 μm è ampiamente applicato nella produzione di dispositivi elettronici e di potenza avanzati. Con eccellente conduttività termica, elevata tensione di rottura e forte resistenza agli ambienti estremi, questo substrato è ideale per dispositivi elettronici di potenza ad alte prestazioni come interruttori ad alta tensione, inverter e dispositivi RF. I substrati di livello produttivo vengono utilizzati nella produzione su larga scala, garantendo prestazioni affidabili e di alta precisione dei dispositivi, che sono fondamentali per l'elettronica di potenza e le applicazioni ad alta frequenza. I substrati di qualità fittizia, invece, vengono utilizzati principalmente per la calibrazione dei processi, i test delle apparecchiature e lo sviluppo di prototipi, contribuendo a mantenere il controllo di qualità e la coerenza del processo nella produzione di semiconduttori.

SpecificaI vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Elevata conduttività termica: L'efficiente dissipazione del calore rende il substrato ideale per applicazioni ad alta temperatura e ad alta potenza.
Alta tensione di rottura: Supporta il funzionamento ad alta tensione, garantendo l'affidabilità dell'elettronica di potenza e dei dispositivi RF.
Resistenza agli ambienti difficili: Durevole in condizioni estreme come temperature elevate e ambienti corrosivi, garantendo prestazioni di lunga durata.
Precisione di livello produttivo: Garantisce prestazioni affidabili e di alta qualità nella produzione su larga scala, adatto per applicazioni RF e di potenza avanzate.
Grado fittizio per test: Consente una calibrazione accurata del processo, test delle apparecchiature e prototipazione senza compromettere i wafer di livello produttivo.

Nel complesso, il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici con uno spessore di 350 μm offre vantaggi significativi per applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura lo rendono ideale per ambienti ad alta potenza e temperatura elevata, mentre la sua resistenza alle condizioni difficili garantisce durata e affidabilità. Il substrato di livello produttivo garantisce prestazioni precise e costanti nella produzione su larga scala di elettronica di potenza e dispositivi RF. Nel frattempo, il substrato di qualità fittizia è essenziale per la calibrazione del processo, il test delle apparecchiature e la prototipazione, supportando il controllo di qualità e la coerenza nella produzione di semiconduttori. Queste caratteristiche rendono i substrati SiC altamente versatili per applicazioni avanzate.