Substrato SiC SiC Epi-wafer conduttivo/semi tipo 4 6 8 pollici

Breve descrizione:


Caratteristiche

Substrato SiC Epi-wafer SiC Breve

Offriamo un portfolio completo di substrati e wafer in SiC di alta qualità in diversi politipi e profili di drogaggio, tra cui 4H-N (conduttivo di tipo n), 4H-P (conduttivo di tipo p), 4H-HPSI (semiisolante ad alta purezza) e 6H-P (conduttivo di tipo p), in diametri da 4", 6" e 8" fino a 12". Oltre ai substrati nudi, i nostri servizi di crescita di wafer epi a valore aggiunto forniscono wafer epitassiali (epi) con spessore (1-20 µm), concentrazioni di drogaggio e densità di difetti rigorosamente controllati.

Ogni wafer in SiC e wafer in Epi viene sottoposto a rigorosi controlli in linea (densità dei micropipe <0,1 cm², rugosità superficiale Ra <0,2 nm) e a una completa caratterizzazione elettrica (CV, mappatura della resistività) per garantire uniformità cristallina e prestazioni eccezionali. Che vengano utilizzati per moduli elettronici di potenza, amplificatori RF ad alta frequenza o dispositivi optoelettronici (LED, fotorivelatori), le nostre linee di prodotti per substrati in SiC e wafer in Epi offrono l'affidabilità, la stabilità termica e la resistenza alla rottura richieste dalle applicazioni più esigenti di oggi.

Proprietà e applicazione del substrato SiC di tipo 4H-N

  • Struttura politipica (esagonale) del substrato SiC 4H-N

L'ampio bandgap di ~3,26 eV garantisce prestazioni elettriche stabili e robustezza termica in condizioni di alta temperatura e campo elettrico elevato.

  • substrato di SiCDoping di tipo N

Il drogaggio con azoto controllato con precisione produce concentrazioni di portatori da 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ e mobilità degli elettroni a temperatura ambiente fino a ~900 cm²/V·s, riducendo al minimo le perdite di conduzione.

  • substrato di SiCAmpia resistività e uniformità

Intervallo di resistività disponibile da 0,01 a 10 Ω·cm e spessori dei wafer da 350 a 650 µm con tolleranza del ±5% sia nel drogaggio che nello spessore: ideale per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza.

  • substrato di SiCDensità di difetti ultra-bassa

Densità del microtubo < 0,1 cm⁻² e densità di dislocazione sul piano basale < 500 cm⁻², con una resa del dispositivo > 99% e un'integrità cristallina superiore.

  • substrato di SiCConduttività termica eccezionale

La conduttività termica fino a ~370 W/m·K favorisce un'efficace rimozione del calore, aumentando l'affidabilità del dispositivo e la densità di potenza.

  • substrato di SiCApplicazioni target

MOSFET SiC, diodi Schottky, moduli di potenza e dispositivi RF per sistemi di azionamento di veicoli elettrici, inverter solari, azionamenti industriali, sistemi di trazione e altri mercati esigenti dell'elettronica di potenza.

Specifiche del wafer SiC tipo 4H-N da 6 pollici

Proprietà Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Grado Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Diametro 149,5 millimetri - 150,0 millimetri 149,5 millimetri - 150,0 millimetri
Poli-tipo 4H 4H
Spessore 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm
Orientamento del wafer Fuori asse: 4,0° verso <1120> ± 0,5° Fuori asse: 4,0° verso <1120> ± 0,5°
Densità del microtubo ≤ 0,2 cm² ≤ 15 cm²
Resistività 0,015 - 0,024 Ω·cm 0,015 - 0,028 Ω·cm
Orientamento primario piatto [10-10] ± 50° [10-10] ± 50°
Lunghezza piana primaria 475 millimetri ± 2,0 millimetri 475 millimetri ± 2,0 millimetri
Esclusione del bordo 3 millimetri 3 millimetri
LTV/TIV / Prua / Ordito ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
Rugosità Ra polacco ≤ 1 nm Ra polacco ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm lunghezza singola ≤ 2 mm Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 5%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità Lunghezza cumulativa ≤ 1 diametro del wafer
Chip di bordo per luce ad alta intensità Nessuno consentito ≥ 0,2 mm di larghezza e profondità 7 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno
Lussazione della vite filettata < 500 cm³ < 500 cm³
Contaminazione della superficie del silicio da luce ad alta intensità
Confezione Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

 

Specifiche del wafer SiC tipo 4H-N da 8 pollici

Proprietà Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Grado Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Diametro 199,5 millimetri - 200,0 millimetri 199,5 millimetri - 200,0 millimetri
Poli-tipo 4H 4H
Spessore 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Orientamento del wafer 4,0° verso <110> ± 0,5° 4,0° verso <110> ± 0,5°
Densità del microtubo ≤ 0,2 cm² ≤ 5 cm²
Resistività 0,015 - 0,025 Ω·cm 0,015 - 0,028 Ω·cm
Orientamento Nobile
Esclusione del bordo 3 millimetri 3 millimetri
LTV/TIV / Prua / Ordito ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
Rugosità Ra polacco ≤ 1 nm Ra polacco ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm lunghezza singola ≤ 2 mm Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio Area cumulativa ≤ 0,05% Area cumulativa ≤ 5%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità Lunghezza cumulativa ≤ 1 diametro del wafer
Chip di bordo per luce ad alta intensità Nessuno consentito ≥ 0,2 mm di larghezza e profondità 7 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno
Lussazione della vite filettata < 500 cm³ < 500 cm³
Contaminazione della superficie del silicio da luce ad alta intensità
Confezione Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

 

Applicazione 4h-n sic wafer_副本

 

Il 4H-SiC è un materiale ad alte prestazioni utilizzato per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e le applicazioni ad alta temperatura. La sigla "4H" si riferisce alla struttura cristallina, che è esagonale, e la sigla "N" indica il tipo di drogaggio utilizzato per ottimizzare le prestazioni del materiale.

IL4H-SiCil tipo è comunemente utilizzato per:

Elettronica di potenza:Utilizzato in dispositivi come diodi, MOSFET e IGBT per i gruppi propulsori dei veicoli elettrici, macchinari industriali e sistemi di energia rinnovabile.
Tecnologia 5G:Data la richiesta di componenti ad alta frequenza e alta efficienza da parte del 5G, la capacità del SiC di gestire tensioni elevate e di funzionare ad alte temperature lo rende ideale per amplificatori di potenza delle stazioni base e dispositivi RF.
Sistemi di energia solare:Le eccellenti proprietà di gestione della potenza del SiC lo rendono ideale per inverter e convertitori fotovoltaici (energia solare).
Veicoli elettrici (EV):Il SiC è ampiamente utilizzato nei sistemi di propulsione dei veicoli elettrici per una conversione energetica più efficiente, una minore generazione di calore e densità di potenza più elevate.

Proprietà e applicazione del substrato SiC 4H di tipo semi-isolante

Proprietà:

    • Tecniche di controllo della densità senza microtubi: Garantisce l'assenza di microtubi, migliorando la qualità del substrato.

       

    • Tecniche di controllo monocristallino: Garantisce una struttura monocristallina per migliori proprietà del materiale.

       

    • Tecniche di controllo delle inclusioni: Riduce al minimo la presenza di impurità o inclusioni, garantendo un substrato puro.

       

    • Tecniche di controllo della resistività: Consente un controllo preciso della resistività elettrica, fondamentale per le prestazioni del dispositivo.

       

    • Tecniche di regolazione e controllo delle impurità: Regola e limita l'introduzione di impurità per mantenere l'integrità del substrato.

       

    • Tecniche di controllo della larghezza del gradino del substrato: Fornisce un controllo accurato sulla larghezza del passo, garantendo la coerenza su tutto il substrato

 

Specifiche del substrato 4H-semi SiC da 6 pollici

Proprietà Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Diametro (mm) 145 millimetri - 150 millimetri 145 millimetri - 150 millimetri
Poli-tipo 4H 4H
Spessore (um) 500 ± 15 500 ± 25
Orientamento del wafer Sull'asse: ±0,0001° Sull'asse: ±0,05°
Densità del microtubo ≤ 15 cm-2 ≤ 15 cm-2
Resistività (Ωcm) ≥ 10E3 ≥ 10E3
Orientamento primario piatto (0-10)° ± 5,0° (10-10)° ± 5,0°
Lunghezza piana primaria Tacca Tacca
Esclusione del bordo (mm) ≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm ≤ 5,5 µm / ≤ 35 µm
LTV / Ciotola / Ordito ≤ 3 µm ≤ 3 µm
Rugosità Polacco Ra ≤ 1,5 µm Polacco Ra ≤ 1,5 µm
Chip di bordo per luce ad alta intensità ≤ 20 µm ≤ 60 µm
Piastre riscaldanti ad alta intensità luminosa Cumulativo ≤ 0,05% Cumulativo ≤ 3%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità Inclusioni di carbonio visive ≤ 0,05% Cumulativo ≤ 3%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità ≤ 0,05% Cumulativo ≤ 4%
Chip di bordo per luce ad alta intensità (dimensione) Non consentito > 02 mm di larghezza e profondità Non consentito > 02 mm di larghezza e profondità
La dilatazione della vite di supporto ≤ 500 µm ≤ 500 µm
Contaminazione della superficie del silicio da luce ad alta intensità ≤ 1 x 10^5 ≤ 1 x 10^5
Confezione Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Specifiche del substrato SiC semiisolante 4H da 4 pollici

Parametro Grado di produzione Zero MPD (grado Z) Grado fittizio (grado D)
Proprietà fisiche
Diametro 99,5 millimetri – 100,0 millimetri 99,5 millimetri – 100,0 millimetri
Poli-tipo 4H 4H
Spessore 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 25 μm
Orientamento del wafer Sull'asse: <600h > 0,5° Sull'asse: <000h > 0,5°
Proprietà elettriche
Densità del microtubo (MPD) ≤1 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Resistività ≥150 Ω·cm ≥1,5 Ω·cm
Tolleranze geometriche
Orientamento primario piatto (0x10) ± 5,0° (0x10) ± 5,0°
Lunghezza piana primaria 52,5 millimetri ± 2,0 millimetri 52,5 millimetri ± 2,0 millimetri
Lunghezza piatta secondaria 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri
Orientamento piatto secondario 90° CW da Prime piatto ± 5,0° (Si rivolto verso l'alto) 90° CW da Prime piatto ± 5,0° (Si rivolto verso l'alto)
Esclusione del bordo 3 millimetri 3 millimetri
LTV / TTV / Prua / Ordito ≤2,5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Qualità della superficie
Rugosità superficiale (Polish Ra) ≤1 nm ≤1 nm
Rugosità superficiale (CMP Ra) ≤0,2 nm ≤0,2 nm
Crepe sui bordi (luce ad alta intensità) Non consentito Lunghezza cumulativa ≥10 mm, singola crepa ≤2 mm
Difetti della piastra esagonale ≤0,05% area cumulativa ≤0,1% area cumulativa
Aree di inclusione politipica Non consentito ≤1% area cumulativa
Inclusioni visive di carbonio ≤0,05% area cumulativa ≤1% area cumulativa
Graffi sulla superficie del silicio Non consentito ≤1 lunghezza cumulativa del diametro del wafer
Chip di bordo Nessuno consentito (≥0,2 mm di larghezza/profondità) ≤5 chip (ciascuno ≤1 mm)
Contaminazione superficiale del silicio Non specificato Non specificato
Confezione
Confezione Cassetta multi-wafer o contenitore a wafer singolo Cassetta multi-wafer o


Applicazione:

ILSubstrati semi-isolanti SiC 4Hsono utilizzati principalmente in dispositivi elettronici ad alta potenza e alta frequenza, in particolare nelCampo RFQuesti substrati sono cruciali per varie applicazioni tra cuisistemi di comunicazione a microonde, radar a scansione di fase, Erilevatori elettrici senza filiLa loro elevata conduttività termica e le eccellenti caratteristiche elettriche li rendono ideali per applicazioni impegnative nei sistemi di elettronica di potenza e di comunicazione.

HPSI sic wafer-application_副本

 

Proprietà e applicazione del wafer epi SiC tipo 4H-N

vcabv (1)
vcabv (2)

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