Substrato SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carburo di silicio

Breve descrizione:

Il substrato in carburo di silicio (wafer SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda con eccellenti proprietà fisiche e chimiche, particolarmente eccezionali in ambienti ad alta temperatura, alta frequenza, alta potenza e alte radiazioni. 4H-V è una delle strutture cristalline del carburo di silicio. Inoltre, i substrati SiC hanno una buona conduttività termica, il che significa che possono dissipare efficacemente il calore generato dai dispositivi durante il funzionamento, migliorando ulteriormente l’affidabilità e la durata dei dispositivi.

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4H-N e HPSI è un politipo di carburo di silicio (SiC), con una struttura a reticolo cristallino costituita da unità esagonali costituite da quattro atomi di carbonio e quattro di silicio. Questa struttura conferisce al materiale eccellenti caratteristiche di mobilità elettronica e tensione di rottura. Tra tutti i politipi SiC, 4H-N e HPSI sono ampiamente utilizzati nel campo dell'elettronica di potenza grazie alla mobilità bilanciata di elettroni e lacune e alla maggiore conduttività termica.

L'emergere di substrati SiC da 8 pollici rappresenta un progresso significativo per l'industria dei semiconduttori di potenza. I tradizionali materiali semiconduttori a base di silicio subiscono un calo significativo delle prestazioni in condizioni estreme come alte temperature e alte tensioni, mentre i substrati SiC possono mantenere le loro eccellenti prestazioni. Rispetto ai substrati più piccoli, i substrati SiC da 8 pollici offrono un’area di lavorazione del pezzo singolo più ampia, che si traduce in una maggiore efficienza produttiva e costi inferiori, fondamentali per guidare il processo di commercializzazione della tecnologia SiC.

La tecnologia di crescita per substrati in carburo di silicio (SiC) da 8 pollici richiede precisione e purezza estremamente elevate. La qualità del substrato influisce direttamente sulle prestazioni dei dispositivi successivi, quindi i produttori devono utilizzare tecnologie avanzate per garantire la perfezione cristallina e la bassa densità di difetti dei substrati. Ciò comporta in genere complessi processi di deposizione chimica in fase vapore (CVD) e precise tecniche di crescita e taglio dei cristalli. I substrati SiC 4H-N e HPSI sono particolarmente utilizzati nel campo dell'elettronica di potenza, come nei convertitori di potenza ad alta efficienza, negli inverter di trazione per veicoli elettrici e nei sistemi di energia rinnovabile.

Siamo in grado di fornire substrato SiC 4H-N da 8 pollici, diversi gradi di wafer di substrato. Possiamo anche organizzare la personalizzazione in base alle vostre esigenze. Richiesta benvenuta!