Substrato SiC Dia200mm 4H-N e carburo di silicio HPSI

Breve descrizione:

Il substrato di carburo di silicio (wafer di SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio bandgap con eccellenti proprietà fisiche e chimiche, particolarmente indicato per ambienti ad alta temperatura, alta frequenza, alta potenza e alta radiazione. 4H-V è una delle strutture cristalline del carburo di silicio. Inoltre, i substrati di SiC presentano una buona conduttività termica, il che significa che possono dissipare efficacemente il calore generato dai dispositivi durante il funzionamento, migliorandone ulteriormente l'affidabilità e la durata.


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4H-N e HPSI è un politipo di carburo di silicio (SiC), con una struttura reticolare cristallina costituita da unità esagonali composte da quattro atomi di carbonio e quattro atomi di silicio. Questa struttura conferisce al materiale un'eccellente mobilità elettronica e caratteristiche di tensione di breakdown. Tra tutti i politipi di SiC, 4H-N e HPSI è ampiamente utilizzato nel campo dell'elettronica di potenza grazie alla sua mobilità bilanciata di elettroni e lacune e alla sua elevata conduttività termica.

L'avvento dei substrati SiC da 8 pollici rappresenta un significativo progresso per l'industria dei semiconduttori di potenza. I tradizionali materiali semiconduttori a base di silicio subiscono un calo significativo delle prestazioni in condizioni estreme come alte temperature e alte tensioni, mentre i substrati SiC mantengono le loro eccellenti prestazioni. Rispetto ai substrati più piccoli, i substrati SiC da 8 pollici offrono un'area di lavorazione monoblocco più ampia, che si traduce in una maggiore efficienza produttiva e costi inferiori, cruciali per guidare il processo di commercializzazione della tecnologia SiC.

La tecnologia di crescita per substrati in carburo di silicio (SiC) da 8 pollici richiede una precisione e una purezza estremamente elevate. La qualità del substrato influisce direttamente sulle prestazioni dei dispositivi successivi, pertanto i produttori devono impiegare tecnologie avanzate per garantire la perfezione cristallina e una bassa densità di difetti dei substrati. Ciò comporta in genere complessi processi di deposizione chimica da vapore (CVD) e tecniche di crescita e taglio cristalline precise. I substrati in SiC 4H-N e HPSI sono particolarmente utilizzati nel campo dell'elettronica di potenza, ad esempio nei convertitori di potenza ad alta efficienza, negli inverter di trazione per veicoli elettrici e nei sistemi di energia rinnovabile.

Possiamo fornire substrato in SiC 4H-N da 8 pollici e wafer di substrato di diverse qualità. Possiamo anche personalizzare il substrato in base alle vostre esigenze. Contattateci!

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