Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350 µm, tipo HPSI, grado Prime, grado Dummy
Proprietà
| Parametro | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | Unità |
| Grado | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | |
| Diametro | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Spessore | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | micron |
| Orientamento del wafer | Sull'asse: <0001> ± 0,5° | Sull'asse: <0001> ± 2,0° | Sull'asse: <0001> ± 2,0° | grado |
| Densità del microtubo (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Resistività elettrica | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Drogante | Non drogato | Non drogato | Non drogato | |
| Orientamento primario piatto | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | grado |
| Lunghezza piana primaria | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Lunghezza piatta secondaria | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientamento piatto secondario | 90° CW dal piano primario ± 5,0° | 90° CW dal piano primario ± 5,0° | 90° CW dal piano primario ± 5,0° | grado |
| Esclusione del bordo | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Pratica/Ordito | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | micron |
| Rugosità superficiale | Si-face: CMP, C-face: Lucidato | Si-face: CMP, C-face: Lucidato | Si-face: CMP, C-face: Lucidato | |
| Crepe (luce ad alta intensità) | Nessuno | Nessuno | Nessuno | |
| Piastre esagonali (luce ad alta intensità) | Nessuno | Nessuno | Area cumulativa 10% | % |
| Aree politipiche (luce ad alta intensità) | Area cumulativa 5% | Area cumulativa 20% | Area cumulativa 30% | % |
| Graffi (luce ad alta intensità) | ≤ 5 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 150 | ≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200 | ≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200 | mm |
| Scheggiatura del bordo | Nessuno ≥ 0,5 mm larghezza/profondità | 2 ammessi ≤ 1 mm larghezza/profondità | 5 ammessi ≤ 5 mm larghezza/profondità | mm |
| Contaminazione superficiale | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
Applicazioni
1. Elettronica ad alta potenza
La conduttività termica superiore e l'ampio bandgap dei wafer SiC li rendono ideali per dispositivi ad alta potenza e alta frequenza:
●MOSFET e IGBT per la conversione di potenza.
●Sistemi avanzati di alimentazione per veicoli elettrici, inclusi inverter e caricabatterie.
●Infrastrutture di reti intelligenti e sistemi di energia rinnovabile.
2. Sistemi RF e microonde
I substrati SiC consentono applicazioni RF e microonde ad alta frequenza con una perdita di segnale minima:
●Sistemi di telecomunicazioni e satellitari.
●Sistemi radar aerospaziali.
●Componenti di rete 5G avanzati.
3. Optoelettronica e sensori
Le proprietà uniche del SiC supportano una varietà di applicazioni optoelettroniche:
●Rilevatori UV per il monitoraggio ambientale e la rilevazione industriale.
●Substrati LED e laser per illuminazione a stato solido e strumenti di precisione.
●Sensori ad alta temperatura per i settori aerospaziale e automobilistico.
4. Ricerca e sviluppo
La diversità dei livelli (Produzione, Ricerca, Fittizio) consente sperimentazioni all'avanguardia e prototipazione di dispositivi in ambito accademico e industriale.
Vantaggi
●Affidabilità:Eccellente resistività e stabilità in tutte le classi.
●Personalizzazione:Orientamenti e spessori personalizzati per soddisfare diverse esigenze.
● Elevata purezza:La composizione non drogata garantisce minime variazioni legate alle impurità.
●Scalabilità:Soddisfa i requisiti sia della produzione di massa che della ricerca sperimentale.
I wafer in SiC ad alta purezza da 3 pollici rappresentano la porta d'accesso a dispositivi ad alte prestazioni e a innovazioni tecnologiche. Per informazioni e specifiche dettagliate, contattateci oggi stesso.
Riepilogo
I wafer in carburo di silicio (SiC) ad alta purezza da 3 pollici, disponibili nei gradi Produzione, Ricerca e Dummy, sono substrati di alta qualità progettati per elettronica ad alta potenza, sistemi RF/microonde, optoelettronica e ricerca e sviluppo avanzata. Questi wafer presentano proprietà semi-isolanti non drogate con un'eccellente resistività (≥1E10 Ω·cm per il grado Produzione), bassa densità di micropipe (≤1 cm−2^-2−2) e un'eccezionale qualità superficiale. Sono ottimizzati per applicazioni ad alte prestazioni, tra cui conversione di potenza, telecomunicazioni, rilevamento UV e tecnologie LED. Grazie agli orientamenti personalizzabili, all'eccellente conduttività termica e alle robuste proprietà meccaniche, questi wafer in SiC consentono una fabbricazione di dispositivi efficiente e affidabile e innovazioni rivoluzionarie in diversi settori industriali.
Diagramma dettagliato
