Substrato SiC da 3 pollici, spessore 350um, tipo HPSI, grado Prime, grado fittizio

Substrato SiC 3 pollici, spessore 350um Tipo HPSI Grado primario Grado fittizio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

I wafer in carburo di silicio (SiC) ad alta purezza da 3 pollici sono progettati specificamente per applicazioni impegnative nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e nella ricerca avanzata. Disponibili nei gradi di produzione, ricerca e fittizio, questi wafer offrono resistività eccezionale, bassa densità di difetti e qualità superficiale superiore. Con proprietà semiisolanti non drogate, forniscono la piattaforma ideale per fabbricare dispositivi ad alte prestazioni che funzionano in condizioni termiche ed elettriche estreme.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

Parametro	Grado di produzione	Grado di ricerca	Grado fittizio	Unità
Grado	Grado di produzione	Grado di ricerca	Grado fittizio
Diametro	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Spessore	500±25	500±25	500±25	µm
Orientamento dei wafer	In asse: <0001> ± 0,5°	In asse: <0001> ± 2,0°	In asse: <0001> ± 2,0°	grado
Densità del microtubo (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistività elettrica	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopante	Non drogato	Non drogato	Non drogato
Orientamento piatto primario	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	grado
Lunghezza piatta primaria	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Lunghezza piatta secondaria	18,0±2,0	18,0±2,0	18,0±2,0	mm
Orientamento piatto secondario	90° orario dal piano primario ± 5,0°	90° orario dal piano primario ± 5,0°	90° orario dal piano primario ± 5,0°	grado
Esclusione dei bordi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Rugosità superficiale	Faccia Si: CMP, faccia C: lucidata	Faccia Si: CMP, faccia C: lucidata	Faccia Si: CMP, faccia C: lucidata
Crepe (luce ad alta intensità)	Nessuno	Nessuno	Nessuno
Piastre esagonali (luce ad alta intensità)	Nessuno	Nessuno	Area cumulativa 10%	%
Aree di politipo (luce ad alta intensità)	Area cumulativa 5%	Area cumulativa 20%	Superficie cumulativa 30%	%
Graffi (luce ad alta intensità)	≤ 5 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 150	≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200	≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200	mm
Scheggiatura dei bordi	Nessuno ≥ 0,5 mm di larghezza/profondità	2 consentiti ≤ 1 mm di larghezza/profondità	5 consentiti ≤ 5 mm di larghezza/profondità	mm
Contaminazione superficiale	Nessuno	Nessuno	Nessuno

Applicazioni

1. Elettronica ad alta potenza
La conduttività termica superiore e l'ampio gap di banda dei wafer SiC li rendono ideali per dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza:
●MOSFET e IGBT per la conversione di potenza.
●Sistemi avanzati di alimentazione per veicoli elettrici, inclusi inverter e caricabatterie.
●Infrastrutture di rete intelligente e sistemi di energia rinnovabile.
2. Sistemi RF e microonde
I substrati SiC consentono applicazioni RF e microonde ad alta frequenza con una perdita di segnale minima:
●Telecomunicazioni e sistemi satellitari.
●Sistemi radar aerospaziali.
●Componenti di rete 5G avanzati.
3. Optoelettronica e sensori
Le proprietà uniche del SiC supportano una varietà di applicazioni optoelettroniche:
●Rivelatori UV per il monitoraggio ambientale e il rilevamento industriale.
●Substrati LED e laser per illuminazione a stato solido e strumenti di precisione.
●Sensori ad alta temperatura per l'industria aerospaziale e automobilistica.
4. Ricerca e sviluppo
La diversità dei gradi (Produzione, Ricerca, Manichino) consente la sperimentazione all'avanguardia e la prototipazione di dispositivi nel mondo accademico e industriale.

Vantaggi

●Affidabilità:Eccellente resistività e stabilità tra i gradi.
●Personalizzazione:Orientamenti e spessori su misura per soddisfare le diverse esigenze.
●Elevata purezza:La composizione non drogata garantisce variazioni minime legate alle impurità.
●Scalabilità:Soddisfa i requisiti sia della produzione di massa che della ricerca sperimentale.
I wafer SiC ad alta purezza da 3 pollici sono la tua porta d'accesso a dispositivi ad alte prestazioni e progressi tecnologici innovativi. Per richieste e specifiche dettagliate, contattateci oggi.

Riepilogo

I wafer in carburo di silicio (SiC) ad alta purezza da 3 pollici, disponibili nei gradi di produzione, ricerca e fittizio, sono substrati premium progettati per elettronica ad alta potenza, sistemi RF/microonde, optoelettronica e ricerca e sviluppo avanzati. Questi wafer presentano proprietà semiisolanti non drogate con eccellente resistività (≥1E10 Ω·cm per grado di produzione), bassa densità di microtubi (≤1 cm−2^-2−2) ed eccezionale qualità superficiale. Sono ottimizzati per applicazioni ad alte prestazioni, tra cui conversione di potenza, telecomunicazioni, rilevamento UV e tecnologie LED. Con orientamenti personalizzabili, conduttività termica superiore e robuste proprietà meccaniche, questi wafer SiC consentono la fabbricazione di dispositivi efficiente e affidabile e innovazioni rivoluzionarie in tutti i settori.