Wafer in carburo di silicio SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante ad alta purezza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pollici disponibile

Wafer in carburo di silicio SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolante ad elevata purezza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pollici disponibile Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Offriamo una vasta selezione di wafer SiC (carburo di silicio) di alta qualità, con particolare attenzione ai wafer di tipo N 4H-N e 6H-N, ideali per applicazioni in optoelettronica avanzata, dispositivi di potenza e ambienti ad alta temperatura . Questi wafer di tipo N sono noti per la loro eccezionale conduttività termica, eccezionale stabilità elettrica e notevole durata, che li rendono perfetti per applicazioni ad alte prestazioni come elettronica di potenza, sistemi di guida di veicoli elettrici, inverter di energia rinnovabile e alimentatori industriali. Oltre alle nostre offerte di tipo N, forniamo anche wafer SiC di tipo P 4H/6H-P e 3C per esigenze specializzate, inclusi dispositivi ad alta frequenza e RF, nonché applicazioni fotoniche. I nostri wafer sono disponibili in dimensioni che vanno da 2 pollici a 8 pollici e forniamo soluzioni su misura per soddisfare le esigenze specifiche di vari settori industriali. Per ulteriori dettagli o richieste, non esitate a contattarci.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

4H-N e 6H-N (wafer SiC di tipo N)

Applicazione:Utilizzato principalmente nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e nelle applicazioni ad alta temperatura.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm, con spessori opzionali di 500 μm ± 25 μm.

Resistività:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 pezzo/cm².

TTV: ≤ 10 μm per tutti i diametri.

Ordito: ≤ 30 μm (≤ 45 μm per wafer da 8 pollici).

Esclusione bordi:Da 3 mm a 6 mm a seconda del tipo di wafer.

Confezione:Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

HPSI (wafer SiC semiisolanti ad alta purezza)

Applicazione:Utilizzato per dispositivi che richiedono elevata resistenza e prestazioni stabili, come dispositivi RF, applicazioni fotoniche e sensori.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:Spessore standard di 350 μm ± 25 μm con opzioni per wafer più spessi fino a 500 μm.

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm.

Densità del microtubo (MPD): ≤ 1 pezzo/cm².

Resistività:Alta resistenza, tipicamente utilizzato in applicazioni semi-isolanti.

Ordito: ≤ 30 μm (per dimensioni più piccole), ≤ 45 μm per diametri maggiori.

TTV: ≤ 10 µm.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

4H-P、6H-P&3C Wafer SiC(Wafer SiC di tipo P)

Applicazione:Principalmente per dispositivi di potenza e ad alta frequenza.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm o opzioni personalizzate.

Resistività:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 pezzo/cm².

TTV: ≤ 10 µm.

Esclusione bordi:da 3 mm a 6 mm.

Ordito: ≤ 30 μm per le taglie più piccole, ≤ 45 μm per le taglie più grandi.

Altre dimensioni disponibili sono 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici5×5 10×10

Tabella parametri dati parziali

Proprietà	2 pollici		3 pollici		4 pollici	6 pollici	8 pollici
Tipo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diametro	50,8 ± 0,3 mm		76,2±0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Spessore	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25um;		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	o personalizzato		o personalizzato		o personalizzato	o personalizzato	o personalizzato
Rugosità	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Ordito	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Gratta/Scava	CMP/MP
MPD	<1 pezzo/cm-2	<1 pezzo/cm-2		<1 pezzo/cm-2		<1 pezzo/cm-2		<1 pezzo/cm-2
Forma	Rotondo, piatto 16 mm; lunghezza 22 mm; DI Lunghezza 30/32,5 mm; DI Lunghezza47,5 mm; TACCA; TACCA;
Smusso	45°, specifiche SEMI; Forma a C
Grado	Grado di produzione per MOS&SBD; Grado di ricerca; Grado fittizio, grado wafer di semi
Osservazioni	Diametro, spessore, orientamento e le specifiche di cui sopra possono essere personalizzate su richiesta

Applicazioni

·Elettronica di potenza

I wafer SiC di tipo N sono fondamentali nei dispositivi elettronici di potenza grazie alla loro capacità di gestire alta tensione e corrente elevata. Sono comunemente utilizzati nei convertitori di potenza, negli inverter e negli azionamenti di motori per settori quali l'energia rinnovabile, i veicoli elettrici e l'automazione industriale.

· Optoelettronica
I materiali SiC di tipo N, soprattutto per applicazioni optoelettroniche, sono impiegati in dispositivi come diodi emettitori di luce (LED) e diodi laser. La loro elevata conduttività termica e l'ampio gap di banda li rendono ideali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.

·Applicazioni ad alta temperatura
I wafer SiC 4H-N 6H-N sono adatti per ambienti ad alta temperatura, come sensori e dispositivi di potenza utilizzati in applicazioni aerospaziali, automobilistiche e industriali dove la dissipazione del calore e la stabilità a temperature elevate sono fondamentali.

·Dispositivi RF
I wafer SiC 4H-N 6H-N sono utilizzati nei dispositivi a radiofrequenza (RF) che funzionano in gamme ad alta frequenza. Trovano applicazione nei sistemi di comunicazione, nella tecnologia radar e nelle comunicazioni satellitari, dove sono richieste efficienza energetica e prestazioni elevate.

·Applicazioni fotoniche
Nella fotonica, i wafer SiC vengono utilizzati per dispositivi come fotorilevatori e modulatori. Le proprietà uniche del materiale gli consentono di essere efficace nella generazione, modulazione e rilevamento della luce nei sistemi di comunicazione ottica e nei dispositivi di imaging.

·Sensori
I wafer SiC vengono utilizzati in una varietà di applicazioni di sensori, in particolare in ambienti difficili dove altri materiali potrebbero guastarsi. Questi includono sensori di temperatura, pressione e chimici, essenziali in settori come quello automobilistico, del petrolio e del gas e del monitoraggio ambientale.

·Sistemi di guida per veicoli elettrici
La tecnologia SiC svolge un ruolo significativo nei veicoli elettrici migliorando l’efficienza e le prestazioni dei sistemi di guida. Con i semiconduttori di potenza SiC, i veicoli elettrici possono ottenere una migliore durata della batteria, tempi di ricarica più rapidi e una maggiore efficienza energetica.

·Sensori avanzati e convertitori fotonici
Nelle tecnologie di sensori avanzate, i wafer SiC vengono utilizzati per creare sensori ad alta precisione per applicazioni nella robotica, nei dispositivi medici e nel monitoraggio ambientale. Nei convertitori fotonici, le proprietà del SiC vengono sfruttate per consentire una conversione efficiente dell'energia elettrica in segnali ottici, che è vitale nelle telecomunicazioni e nelle infrastrutture Internet ad alta velocità.

Domande e risposte

Q：Che cos'è 4H nel SiC 4H?
A："4H" in 4H SiC si riferisce alla struttura cristallina del carburo di silicio, in particolare una forma esagonale con quattro strati (H). La "H" indica il tipo di politipo esagonale, distinguendolo da altri politipi SiC come 6H o 3C.

Q：Qual è la conduttività termica del 4H-SiC?
A:La conduttività termica del 4H-SiC (carburo di silicio) è di circa 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Questa elevata conduttività termica lo rende ideale per applicazioni nell'elettronica di potenza e in ambienti ad alta temperatura, dove un'efficiente dissipazione del calore è fondamentale.

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