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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Immagine in evidenza
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
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Breve descrizione:

Offriamo un'ampia selezione di wafer in SiC (carburo di silicio) di alta qualità, con particolare attenzione ai wafer di tipo N 4H-N e 6H-N, ideali per applicazioni in optoelettronica avanzata, dispositivi di potenza e ambienti ad alta temperatura. Questi wafer di tipo N sono noti per la loro eccezionale conduttività termica, l'eccellente stabilità elettrica e la notevole durata, che li rendono perfetti per applicazioni ad alte prestazioni come l'elettronica di potenza, i sistemi di propulsione per veicoli elettrici, gli inverter per energie rinnovabili e gli alimentatori industriali. Oltre alla nostra offerta di tipo N, forniamo anche wafer di SiC di tipo P 4H/6H-P e 3C per esigenze specifiche, inclusi dispositivi ad alta frequenza e RF, nonché applicazioni fotoniche. I nostri wafer sono disponibili in dimensioni che vanno da 2 pollici a 8 pollici e forniamo soluzioni su misura per soddisfare i requisiti specifici di diversi settori industriali. Per ulteriori dettagli o richieste, non esitate a contattarci.


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Proprietà

4H-N e 6H-N (wafer SiC di tipo N)

Applicazione:Utilizzato principalmente nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e nelle applicazioni ad alta temperatura.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm, con spessori opzionali di 500 μm ± 25 μm.

Resistività:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 pezzo/cm².

TTV: ≤ 10 μm per tutti i diametri.

Ordito: ≤ 30 μm (≤ 45 μm per wafer da 8 pollici).

Esclusione dei bordi:Da 3 mm a 6 mm a seconda del tipo di wafer.

Confezione:Cassetta multi-wafer o contenitore singolo-wafer.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici

HPSI (wafer SiC semiisolanti ad alta purezza)

Applicazione:Utilizzato per dispositivi che richiedono elevata resistenza e prestazioni stabili, come dispositivi RF, applicazioni fotoniche e sensori.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:Spessore standard di 350 μm ± 25 μm con opzioni per wafer più spessi fino a 500 μm.

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm.

Densità del microtubo (MPD): ≤ 1 pezzo/cm².

Resistività:Elevata resistenza, tipicamente utilizzato in applicazioni semi-isolanti.

Ordito: ≤ 30 μm (per dimensioni più piccole), ≤ 45 μm per diametri più grandi.

TTV: ≤ 10 μm.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici

4H-P、6H-Pe3C wafer di SiC(Wafer SiC di tipo P)

Applicazione:Principalmente per dispositivi di potenza e ad alta frequenza.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm o opzioni personalizzate.

Resistività:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 pezzo/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Esclusione dei bordi:Da 3 mm a 6 mm.

Ordito: ≤ 30 μm per dimensioni più piccole, ≤ 45 μm per dimensioni più grandi.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici5×5 10×10

Tabella dei parametri dei dati parziali

Proprietà

2 pollici

3 pollici

4 pollici

6 pollici

8 pollici

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diametro

50,8 ± 0,3 millimetri

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 millimetri

Spessore

330 ± 25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

Rugosità

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ordito

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤45um

TTV

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

Gratta/Scava

CMP/MP

Dipartimento di Polizia di Manila

<1 esemplare/cm-2

<1 esemplare/cm-2

<1 esemplare/cm-2

<1 esemplare/cm-2

<1 esemplare/cm-2

Forma

Tondo, piatto 16 mm; lunghezza OF 22 mm; lunghezza OF 30/32,5 mm; lunghezza OF 47,5 mm; TACCA; TACCA;

Smusso

45°, SEMI Spec; Forma a C

 Grado

Grado di produzione per MOS e SBD; Grado di ricerca; Grado fittizio, Grado di wafer seed

Osservazioni

Diametro, spessore, orientamento, le specifiche sopra riportate possono essere personalizzate su richiesta

 

Applicazioni

·Elettronica di potenza

I wafer di SiC di tipo N sono fondamentali nei dispositivi elettronici di potenza grazie alla loro capacità di gestire alte tensioni e alte correnti. Sono comunemente utilizzati in convertitori di potenza, inverter e azionamenti motore per settori come le energie rinnovabili, i veicoli elettrici e l'automazione industriale.

· Optoelettronica
I materiali SiC di tipo N, in particolare per applicazioni optoelettroniche, sono impiegati in dispositivi come diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser. La loro elevata conduttività termica e l'ampio bandgap li rendono ideali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.

·Applicazioni ad alta temperatura
I wafer SiC 4H-N 6H-N sono adatti agli ambienti ad alta temperatura, come nei sensori e nei dispositivi di potenza utilizzati in applicazioni aerospaziali, automobilistiche e industriali, dove la dissipazione del calore e la stabilità a temperature elevate sono fondamentali.

·Dispositivi RF
I wafer di SiC 4H-N 6H-N vengono utilizzati in dispositivi a radiofrequenza (RF) che operano in gamme di alta frequenza. Trovano applicazione nei sistemi di comunicazione, nella tecnologia radar e nelle comunicazioni satellitari, dove sono richiesti elevata efficienza energetica e prestazioni elevate.

·Applicazioni fotoniche
In fotonica, i wafer di SiC vengono utilizzati per dispositivi come fotorivelatori e modulatori. Le proprietà uniche del materiale lo rendono efficace nella generazione, modulazione e rilevamento della luce nei sistemi di comunicazione ottica e nei dispositivi di imaging.

·Sensori
I wafer di SiC vengono utilizzati in una varietà di applicazioni di sensori, in particolare in ambienti difficili dove altri materiali potrebbero cedere. Tra questi, sensori di temperatura, pressione e sostanze chimiche, essenziali in settori come l'automotive, il petrolio e il gas e il monitoraggio ambientale.

·Sistemi di propulsione per veicoli elettrici
La tecnologia SiC svolge un ruolo significativo nei veicoli elettrici, migliorando l'efficienza e le prestazioni dei sistemi di propulsione. Grazie ai semiconduttori di potenza SiC, i veicoli elettrici possono ottenere una maggiore durata della batteria, tempi di ricarica più rapidi e una maggiore efficienza energetica.

·Sensori avanzati e convertitori fotonici
Nelle tecnologie avanzate dei sensori, i wafer di SiC vengono utilizzati per creare sensori ad alta precisione per applicazioni in robotica, dispositivi medici e monitoraggio ambientale. Nei convertitori fotonici, le proprietà del SiC vengono sfruttate per consentire un'efficiente conversione dell'energia elettrica in segnali ottici, fondamentale nelle infrastrutture di telecomunicazioni e internet ad alta velocità.

Domande e risposte

Q：Cosa rappresenta 4H in 4H SiC?
A："4H" in 4H SiC si riferisce alla struttura cristallina del carburo di silicio, in particolare una forma esagonale a quattro strati (H). La "H" indica il tipo di politipo esagonale, distinguendolo da altri politipi di SiC come 6H o 3C.

Q：Qual è la conduttività termica del 4H-SiC?
A:La conduttività termica del 4H-SiC (carburo di silicio) è di circa 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Questa elevata conduttività termica lo rende ideale per applicazioni nell'elettronica di potenza e in ambienti ad alta temperatura, dove un'efficiente dissipazione del calore è fondamentale.

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