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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P Tipo 3C 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Immagine in evidenza
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
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Breve descrizione:

Offriamo un'ampia selezione di wafer in SiC (carburo di silicio) di alta qualità, con particolare attenzione ai wafer di tipo N 4H-N e 6H-N, ideali per applicazioni in optoelettronica avanzata, dispositivi di potenza e ambienti ad alta temperatura. Questi wafer di tipo N sono noti per la loro eccezionale conduttività termica, l'eccellente stabilità elettrica e la notevole durata, che li rendono perfetti per applicazioni ad alte prestazioni come l'elettronica di potenza, i sistemi di azionamento per veicoli elettrici, gli inverter per energie rinnovabili e gli alimentatori industriali. Oltre alla nostra offerta di tipo N, forniamo anche wafer di SiC di tipo P 4H/6H-P e 3C per esigenze specifiche, tra cui dispositivi ad alta frequenza e RF, nonché applicazioni fotoniche. I nostri wafer sono disponibili in dimensioni che vanno da 2 pollici a 8 pollici e forniamo soluzioni su misura per soddisfare i requisiti specifici di diversi settori industriali. Per ulteriori dettagli o richieste, non esitate a contattarci.


Caratteristiche

Proprietà

4H-N e 6H-N (wafer SiC di tipo N)

Applicazione:Utilizzato principalmente nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e nelle applicazioni ad alta temperatura.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm, con spessori opzionali di 500 μm ± 25 μm.

Resistività:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 cad./cm².

TTV: ≤ 10 μm per tutti i diametri.

Ordito: ≤ 30 μm (≤ 45 μm per wafer da 8 pollici).

Esclusione dei bordi:Da 3 mm a 6 mm a seconda del tipo di wafer.

Confezione:Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici

HPSI (wafer SiC semiisolanti ad alta purezza)

Applicazione:Utilizzato per dispositivi che richiedono elevata resistenza e prestazioni stabili, come dispositivi RF, applicazioni fotoniche e sensori.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:Spessore standard di 350 μm ± 25 μm con opzioni per wafer più spessi fino a 500 μm.

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm.

Densità del microtubo (MPD): ≤ 1 pezzo/cm².

Resistività:Elevata resistenza, tipicamente utilizzato in applicazioni semi-isolanti.

Ordito: ≤ 30 μm (per dimensioni più piccole), ≤ 45 μm per diametri più grandi.

TTV: ≤ 10 μm.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici

4H-P、6H-Pe3C wafer di SiC(Wafer SiC di tipo P)

Applicazione:Principalmente per dispositivi di potenza e ad alta frequenza.

Gamma di diametri:Da 50,8 mm a 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm o opzioni personalizzate.

Resistività:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità del microtubo (MPD):< 1 cad./cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Esclusione dei bordi:Da 3 mm a 6 mm.

Ordito: ≤ 30 μm per dimensioni più piccole, ≤ 45 μm per dimensioni più grandi.

Altre dimensioni disponibili: 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici5×5 10×10

Tabella dei parametri dei dati parziali

Proprietà

2 pollici

3 pollici

4 pollici

6 pollici

8 pollici

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diametro

50,8 ± 0,3 millimetri

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 millimetri

Spessore

330 ± 25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350 ±25 micron

350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

o personalizzato

Rugosità

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ordito

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤45um

TTV

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

Gratta/Scava

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Forma

Tondo, piatto 16 mm; lunghezza OF 22 mm; lunghezza OF 30/32,5 mm; lunghezza OF 47,5 mm; TACCA; TACCA;

Smusso

45°, SEMI Spec; Forma a C

 Grado

Grado di produzione per MOS e SBD; Grado di ricerca; Grado fittizio, Grado di wafer di semi

Osservazioni

Diametro, spessore, orientamento, le specifiche sopra riportate possono essere personalizzate su richiesta

 

Applicazioni

·Elettronica di potenza

I wafer di SiC di tipo N sono fondamentali nei dispositivi elettronici di potenza grazie alla loro capacità di gestire alte tensioni e correnti elevate. Sono comunemente utilizzati in convertitori di potenza, inverter e azionamenti per motori in settori come le energie rinnovabili, i veicoli elettrici e l'automazione industriale.

· Optoelettronica
I materiali SiC di tipo N, in particolare per applicazioni optoelettroniche, sono impiegati in dispositivi come diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser. La loro elevata conduttività termica e l'ampio bandgap li rendono ideali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.

·Applicazioni ad alta temperatura
I wafer SiC 4H-N 6H-N sono adatti ad ambienti ad alta temperatura, come nei sensori e nei dispositivi di potenza utilizzati in applicazioni aerospaziali, automobilistiche e industriali, dove la dissipazione del calore e la stabilità a temperature elevate sono fondamentali.

·Dispositivi RF
I wafer di SiC 4H-N 6H-N vengono utilizzati nei dispositivi a radiofrequenza (RF) che operano in gamme di alta frequenza. Trovano applicazione nei sistemi di comunicazione, nella tecnologia radar e nelle comunicazioni satellitari, dove sono richiesti elevata efficienza energetica e prestazioni elevate.

·Applicazioni fotoniche
In fotonica, i wafer di SiC vengono utilizzati per dispositivi come fotorilevatori e modulatori. Le proprietà uniche del materiale lo rendono efficace nella generazione, modulazione e rilevamento della luce nei sistemi di comunicazione ottica e nei dispositivi di imaging.

·Sensori
I wafer di SiC vengono utilizzati in una varietà di applicazioni di sensori, in particolare in ambienti difficili dove altri materiali potrebbero cedere. Tra queste rientrano sensori di temperatura, pressione e sostanze chimiche, essenziali in settori come l'automotive, il petrolio e il gas e il monitoraggio ambientale.

·Sistemi di propulsione per veicoli elettrici
La tecnologia SiC svolge un ruolo significativo nei veicoli elettrici, migliorando l'efficienza e le prestazioni dei sistemi di propulsione. Grazie ai semiconduttori di potenza SiC, i veicoli elettrici possono ottenere una maggiore durata della batteria, tempi di ricarica più rapidi e una maggiore efficienza energetica.

·Sensori avanzati e convertitori fotonici
Nelle tecnologie avanzate dei sensori, i wafer di SiC vengono utilizzati per creare sensori ad alta precisione per applicazioni in robotica, dispositivi medici e monitoraggio ambientale. Nei convertitori fotonici, le proprietà del SiC vengono sfruttate per consentire un'efficiente conversione dell'energia elettrica in segnali ottici, fondamentale nelle telecomunicazioni e nelle infrastrutture Internet ad alta velocità.

Domande e risposte

Q：Cosa significa 4H in 4H SiC?
A："4H" in 4H SiC si riferisce alla struttura cristallina del carburo di silicio, in particolare una forma esagonale con quattro strati (H). La "H" indica il tipo di politipo esagonale, distinguendolo da altri politipi di SiC come 6H o 3C.

Q：Qual è la conduttività termica del 4H-SiC?
A:La conduttività termica del 4H-SiC (carburo di silicio) è di circa 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Questa elevata conduttività termica lo rende ideale per applicazioni nell'elettronica di potenza e in ambienti ad alta temperatura, dove un'efficiente dissipazione del calore è fondamentale.

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