Lente ottica Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Dimensioni personalizzate

1. Elevato indice di rifrazione e ampia finestra di trasmissione: le lenti ottiche in SiC dimostrano prestazioni ottiche eccezionali con un indice di rifrazione di circa 2,6-2,7 su tutto lo spettro operativo. Questa ampia finestra di trasmissione (600-1850 nm) comprende sia la regione del visibile che quella del vicino infrarosso, rendendole particolarmente preziose per i sistemi di imaging multispettrale e le applicazioni ottiche a banda larga. Il basso coefficiente di assorbimento del materiale in questi intervalli garantisce un'attenuazione minima del segnale, anche nelle applicazioni laser ad alta potenza.

2. Eccezionali proprietà ottiche non lineari: la struttura cristallina unica del carburo di silicio gli conferisce notevoli coefficienti ottici non lineari (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m²/V²), consentendo processi di conversione di frequenza efficienti. Queste proprietà vengono attivamente sfruttate in applicazioni all'avanguardia come oscillatori ottici parametrici, sistemi laser ultraveloci e dispositivi di elaborazione del segnale completamente ottici. L'elevata soglia di danneggiamento del materiale (>5 GW/cm²) ne migliora ulteriormente l'idoneità per applicazioni ad alta intensità.

3. Stabilità meccanica e termica: con un modulo elastico prossimo a 400 GPa e una conduttività termica superiore a 300 W/m·K, i componenti ottici in SiC mantengono un'eccezionale stabilità sotto stress meccanico e cicli termici. Il bassissimo coefficiente di dilatazione termica (4,0×10-6/K) garantisce uno spostamento focale minimo al variare della temperatura, un vantaggio fondamentale per i sistemi ottici di precisione che operano in ambienti termici variabili, come applicazioni spaziali o apparecchiature di lavorazione laser industriali.

4. Proprietà quantistiche: i centri di colore delle vacanze al silicio (VSi) e delle divacanze (VSiVC) nei politipi 4H-SiC e 6H-SiC presentano stati di spin otticamente indirizzabili con lunghi tempi di coerenza a temperatura ambiente. Questi emettitori quantistici vengono integrati in reti quantistiche scalabili e sono particolarmente promettenti per lo sviluppo di sensori quantistici a temperatura ambiente e dispositivi di memoria quantistica in architetture di calcolo quantistico fotonico.

5. Compatibilità CMOS: la compatibilità del SiC con i processi standard di fabbricazione dei semiconduttori consente l'integrazione monolitica diretta con le piattaforme di fotonica al silicio. Ciò consente la creazione di sistemi ibridi fotonico-elettronici che combinano i vantaggi ottici del SiC con le funzionalità elettroniche del silicio, aprendo nuove possibilità per la progettazione di sistemi su chip (SoC) in applicazioni di elaborazione ottica e rilevamento.