Forno per la crescita di cristalli di SiC, crescita di lingotti di SiC da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, metodo di crescita PTV Lely TSSG LPE
Principali metodi di crescita dei cristalli e loro caratteristiche
(1) Metodo di trasferimento fisico del vapore (PTV)
Principio: ad alte temperature, la materia prima SiC sublima in una fase gassosa, che viene successivamente ricristallizzata sul cristallo di avviamento.
Caratteristiche principali:
Elevata temperatura di crescita (2000-2500°C).
È possibile coltivare cristalli di 4H-SiC e 6H-SiC di grandi dimensioni e di alta qualità.
La velocità di crescita è lenta, ma la qualità dei cristalli è elevata.
Applicazione: utilizzato principalmente nei semiconduttori di potenza, nei dispositivi RF e in altri settori avanzati.
(2) Metodo Lely
Principio: i cristalli si sviluppano mediante sublimazione spontanea e ricristallizzazione di polveri di SiC ad alte temperature.
Caratteristiche principali:
Il processo di crescita non richiede semi e le dimensioni dei cristalli sono ridotte.
La qualità dei cristalli è elevata, ma l'efficienza di crescita è bassa.
Adatto per ricerche di laboratorio e produzioni in piccoli lotti.
Applicazione: utilizzato principalmente nella ricerca scientifica e nella preparazione di cristalli SiC di piccole dimensioni.
(3) Metodo di crescita della soluzione Top Seed (TSSG)
Principio: in una soluzione ad alta temperatura, la materia prima SiC si dissolve e cristallizza sul cristallo di innesco.
Caratteristiche principali:
La temperatura di crescita è bassa (1500-1800°C).
È possibile coltivare cristalli di SiC di alta qualità e con pochi difetti.
La velocità di crescita è lenta, ma l'uniformità dei cristalli è buona.
Applicazione: Adatto alla preparazione di cristalli SiC di alta qualità, come dispositivi optoelettronici.
(4) Epitassia in fase liquida (LPE)
Principio: in una soluzione di metallo liquido, la materia prima SiC cresce in modo epitassiale sul substrato.
Caratteristiche principali:
La temperatura di crescita è bassa (1000-1500°C).
Tasso di crescita rapido, adatto alla crescita di pellicole.
La qualità del cristallo è elevata, ma lo spessore è limitato.
Applicazione: Utilizzato principalmente per la crescita epitassiale di film di SiC, come sensori e dispositivi optoelettronici.
I principali modi di applicazione del forno a cristallo di carburo di silicio
Il forno a cristalli di SiC è l'attrezzatura principale per la preparazione dei cristalli di SiC e i suoi principali modi di applicazione includono:
Produzione di dispositivi semiconduttori di potenza: utilizzato per sviluppare cristalli 4H-SiC e 6H-SiC di alta qualità come materiali di substrato per dispositivi di potenza (come MOSFET, diodi).
Applicazioni: veicoli elettrici, inverter fotovoltaici, alimentatori industriali, ecc.
Produzione di dispositivi RF: utilizzato per sviluppare cristalli SiC a bassa difettosità come substrati per dispositivi RF per soddisfare le esigenze di alta frequenza delle comunicazioni 5G, radar e satellitari.
Produzione di dispositivi optoelettronici: utilizzato per sviluppare cristalli SiC di alta qualità come materiali di substrato per LED, rilevatori ultravioletti e laser.
Ricerca scientifica e produzione in piccoli lotti: per la ricerca di laboratorio e lo sviluppo di nuovi materiali a supporto dell'innovazione e dell'ottimizzazione della tecnologia di crescita dei cristalli di SiC.
Produzione di dispositivi ad alta temperatura: utilizzato per sviluppare cristalli di SiC resistenti alle alte temperature come materiale di base per sensori aerospaziali e ad alta temperatura.
Attrezzature e servizi per forni SiC forniti dall'azienda
XKH si concentra sullo sviluppo e sulla produzione di apparecchiature per forni a cristalli SIC, fornendo i seguenti servizi:
Attrezzatura personalizzata: XKH fornisce forni di crescita personalizzati con vari metodi di crescita quali PTV e TSSG in base alle esigenze del cliente.
Supporto tecnico: XKH fornisce ai clienti supporto tecnico per l'intero processo, dall'ottimizzazione del processo di crescita dei cristalli alla manutenzione delle apparecchiature.
Servizi di formazione: XKH fornisce ai clienti formazione operativa e consulenza tecnica per garantire il funzionamento efficiente delle apparecchiature.
Servizio post-vendita: XKH fornisce un servizio post-vendita rapido e aggiornamenti delle attrezzature per garantire la continuità della produzione al cliente.
La tecnologia di crescita dei cristalli di carburo di silicio (come PTV, Lely, TSSG, LPE) ha importanti applicazioni nel campo dell'elettronica di potenza, dei dispositivi RF e dell'optoelettronica. XKH fornisce apparecchiature avanzate per forni SiC e una gamma completa di servizi per supportare i clienti nella produzione su larga scala di cristalli SiC di alta qualità e contribuire allo sviluppo dell'industria dei semiconduttori.
Diagramma dettagliato
