Lingotto SiC tipo 4H Diametro 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Grado di ricerca / fittizio
Proprietà
1. Struttura cristallina e orientamento
Politipo: 4H (struttura esagonale)
Costanti del reticolo:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientamento: in genere [0001] (piano C), ma sono disponibili su richiesta anche altri orientamenti come [11\overline{2}0] (piano A).
2. Dimensioni fisiche
Diametro:
Opzioni standard: 4 pollici (100 mm) e 6 pollici (150 mm)
Spessore:
Disponibili nella gamma 5-10 mm, personalizzabili a seconda delle esigenze applicative.
3. Proprietà elettriche
Tipo di drogaggio: disponibile intrinseco (semi-isolante), tipo n (drogato con azoto) o tipo p (drogato con alluminio o boro).
4. Proprietà termiche e meccaniche
Conduttività termica: 3,5-4,9 W/cm·K a temperatura ambiente, per un'eccellente dissipazione del calore.
Durezza: 9 sulla scala di Mohs, il che rende il SiC secondo solo al diamante per durezza.
Parametro | Dettagli | Unità |
Metodo di crescita | PVT (trasporto fisico del vapore) | |
Diametro | 50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5 | mm |
Politipo | 4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm) | |
Orientamento della superficie | 0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (altri) | grado |
Tipo | Tipo N | |
Spessore | 5-10 / 10-15 / >15 | mm |
Orientamento primario piatto | (10-10) ± 5,0˚ | grado |
Lunghezza piana primaria | 15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm) | mm |
Orientamento piatto secondario | 90˚ in senso antiorario dall'orientamento ± 5,0˚ | grado |
Lunghezza piatta secondaria | 8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Nessuno (150 mm) | mm |
Grado | Ricerca / Dummy |
Applicazioni
1. Ricerca e sviluppo
Il lingotto 4H-SiC di grado di ricerca è ideale per laboratori accademici e industriali focalizzati sullo sviluppo di dispositivi basati su SiC. La sua qualità cristallina superiore consente una sperimentazione precisa sulle proprietà del SiC, come:
Studi sulla mobilità dei portatori.
Tecniche di caratterizzazione e minimizzazione dei difetti.
Ottimizzazione dei processi di crescita epitassiale.
2. Substrato fittizio
Il lingotto di grado fittizio è ampiamente utilizzato in applicazioni di collaudo, calibrazione e prototipazione. Rappresenta un'alternativa economica per:
Calibrazione dei parametri di processo nella deposizione chimica da vapore (CVD) o nella deposizione fisica da vapore (PVD).
Valutazione dei processi di incisione e lucidatura negli ambienti di produzione.
3. Elettronica di potenza
Grazie al suo ampio bandgap e all'elevata conduttività termica, il 4H-SiC è un elemento fondamentale per l'elettronica di potenza, come:
MOSFET ad alta tensione.
Diodi a barriera Schottky (SBD).
Transistor a effetto di campo a giunzione (JFET).
Le applicazioni includono inverter per veicoli elettrici, inverter solari e reti intelligenti.
4. Dispositivi ad alta frequenza
L'elevata mobilità elettronica e le basse perdite di capacità del materiale lo rendono adatto per:
Transistor a radiofrequenza (RF).
Sistemi di comunicazione wireless, inclusa l'infrastruttura 5G.
Applicazioni aerospaziali e di difesa che richiedono sistemi radar.
5. Sistemi resistenti alle radiazioni
L'intrinseca resistenza del 4H-SiC ai danni da radiazioni lo rende indispensabile in ambienti difficili come:
Hardware per l'esplorazione spaziale.
Apparecchiature di monitoraggio delle centrali nucleari.
Elettronica di livello militare.
6. Tecnologie emergenti
Con il progresso della tecnologia SiC, le sue applicazioni continuano a crescere in settori quali:
Ricerca sulla fotonica e sull'informatica quantistica.
Sviluppo di LED ad alta potenza e sensori UV.
Integrazione in eterostrutture di semiconduttori a banda larga.
Vantaggi del lingotto 4H-SiC
Elevata purezza: prodotto in condizioni rigorose per ridurre al minimo le impurità e la densità dei difetti.
Scalabilità: disponibili con diametri da 4 e 6 pollici per soddisfare le esigenze standard del settore e quelle della ricerca.
Versatilità: adattabile a vari tipi di drogaggio e orientamenti per soddisfare requisiti applicativi specifici.
Prestazioni elevate: stabilità termica e meccanica superiore in condizioni operative estreme.
Conclusione
Il lingotto 4H-SiC, con le sue proprietà eccezionali e la sua ampia gamma di applicazioni, è all'avanguardia nell'innovazione dei materiali per l'elettronica e l'optoelettronica di nuova generazione. Che vengano utilizzati per la ricerca accademica, la prototipazione industriale o la produzione di dispositivi avanzati, questi lingotti offrono una piattaforma affidabile per superare i limiti della tecnologia. Grazie a dimensioni, drogaggio e orientamenti personalizzabili, il lingotto 4H-SiC è progettato per soddisfare le esigenze in continua evoluzione dell'industria dei semiconduttori.
Se siete interessati a saperne di più o a effettuare un ordine, non esitate a contattarci per specifiche dettagliate e consulenza tecnica.
Diagramma dettagliato



