Lingotto SiC 4H tipo diametro 4 pollici 6 pollici spessore 5-10 mm Ricerca/grado fittizio

Lingotto SiC tipo 4H Diametro 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Grado di ricerca/manichino Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC) è emerso come materiale chiave nelle applicazioni elettroniche e optoelettroniche avanzate grazie alle sue proprietà elettriche, termiche e meccaniche superiori. Il lingotto 4H-SiC, disponibile nei diametri di 4 pollici e 6 pollici con uno spessore di 5-10 mm, è un prodotto fondamentale per scopi di ricerca e sviluppo o come materiale fittizio. Questo lingotto è progettato per fornire a ricercatori e produttori substrati SiC di alta qualità adatti alla fabbricazione di prototipi di dispositivi, studi sperimentali o procedure di calibrazione e test. Con la sua esclusiva struttura cristallina esagonale, il lingotto 4H-SiC offre un'ampia applicabilità nell'elettronica di potenza, nei dispositivi ad alta frequenza e nei sistemi resistenti alle radiazioni.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

1. Struttura cristallina e orientamento
Politipo: 4H (struttura esagonale)
Costanti del reticolo:
a = 3.073Å
c = 10.053Å
Orientamento: tipicamente [0001] (piano C), ma su richiesta sono disponibili anche altri orientamenti come [11\overline{2}0] (piano A).

2. Dimensioni fisiche
Diametro:
Opzioni standard: 4 pollici (100 mm) e 6 pollici (150 mm)
Spessore:
Disponibile nella gamma 5-10 mm, personalizzabile a seconda delle esigenze applicative.

3. Proprietà elettriche
Tipo di drogaggio: disponibile in intrinseco (semi-isolante), tipo n (drogato con azoto) o tipo p (drogato con alluminio o boro).

4. Proprietà termiche e meccaniche
Conduttività termica: 3,5-4,9 W/cm·K a temperatura ambiente, consentendo un'eccellente dissipazione del calore.
Durezza: scala Mohs 9, che rende il SiC secondo solo al diamante in termini di durezza.

Parametro	Dettagli	Unità
Metodo di crescita	PVT (Trasporto Fisico del Vapore)
Diametro	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Politipo	4H/6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientamento della superficie	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (altri)	grado
Tipo	Tipo N
Spessore	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientamento piatto primario	(10-10) ± 5,0˚	grado
Lunghezza piatta primaria	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientamento piatto secondario	90˚ antiorario dall'orientamento ± 5,0˚	grado
Lunghezza piatta secondaria	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Nessuno (150 mm)	mm
Grado	Ricerca / Manichino

Applicazioni

1. Ricerca e sviluppo

Il lingotto 4H-SiC di grado ricerca è ideale per i laboratori accademici e industriali focalizzati sullo sviluppo di dispositivi basati su SiC. La sua qualità cristallina superiore consente una sperimentazione precisa sulle proprietà del SiC, come:
Studi sulla mobilità dei portatori.
Tecniche di caratterizzazione e minimizzazione dei difetti.
Ottimizzazione dei processi di crescita epitassiale.

2. Substrato fittizio
Il lingotto di qualità fittizia è ampiamente utilizzato nelle applicazioni di test, calibrazione e prototipazione. È un’alternativa economica per:
Calibrazione dei parametri di processo nella deposizione chimica da vapore (CVD) o nella deposizione fisica da vapore (PVD).
Valutazione dei processi di incisione e lucidatura negli ambienti di produzione.

3. Elettronica di potenza
Grazie all'ampio gap di banda e all'elevata conduttività termica, il 4H-SiC è una pietra miliare per l'elettronica di potenza, come ad esempio:
MOSFET ad alta tensione.
Diodi a barriera Schottky (SBD).
Transistor a effetto di campo a giunzione (JFET).
Le applicazioni includono inverter per veicoli elettrici, inverter solari e reti intelligenti.

4. Dispositivi ad alta frequenza
L'elevata mobilità degli elettroni e le basse perdite di capacità del materiale lo rendono adatto per:
Transistor a radiofrequenza (RF).
Sistemi di comunicazione wireless, inclusa l’infrastruttura 5G.
Applicazioni aerospaziali e di difesa che richiedono sistemi radar.

5. Sistemi resistenti alle radiazioni
La resistenza intrinseca del 4H-SiC ai danni da radiazioni lo rende indispensabile in ambienti difficili come:
Hardware per l'esplorazione dello spazio.
Apparecchiature per il monitoraggio delle centrali nucleari.
Elettronica di livello militare.

6. Tecnologie emergenti
Con l’avanzare della tecnologia SiC, le sue applicazioni continuano a crescere in campi quali:
Ricerca sulla fotonica e sull'informatica quantistica.
Sviluppo di LED ad alta potenza e sensori UV.
Integrazione in eterostrutture di semiconduttori ad ampio bandgap.
Vantaggi del lingotto 4H-SiC
Elevata purezza: prodotto in condizioni rigorose per ridurre al minimo le impurità e la densità dei difetti.
Scalabilità: disponibile nei diametri da 4 e 6 pollici per supportare le esigenze degli standard di settore e della ricerca.
Versatilità: adattabile a vari tipi e orientamenti di drogaggio per soddisfare requisiti applicativi specifici.
Prestazioni robuste: stabilità termica e meccanica superiore in condizioni operative estreme.

Conclusione

Il lingotto 4H-SiC, con le sue proprietà eccezionali e l’ampia gamma di applicazioni, è all’avanguardia nell’innovazione dei materiali per l’elettronica e l’optoelettronica di prossima generazione. Che vengano utilizzati per la ricerca accademica, la prototipazione industriale o la produzione di dispositivi avanzati, questi lingotti forniscono una piattaforma affidabile per ampliare i confini della tecnologia. Con dimensioni, drogaggio e orientamenti personalizzabili, il lingotto 4H-SiC è personalizzato per soddisfare le esigenze in evoluzione dell'industria dei semiconduttori.
Se sei interessato a saperne di più o a effettuare un ordine, non esitare a contattarci per specifiche dettagliate e consulenza tecnica.