Lingotto SiC tipo 4H-N grado fittizio 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore: >10 mm

Lingotto SiC tipo 4H-N di qualità fittizia da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici, spessore: >10 mm. Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il lingotto in SiC di tipo 4H-N (grado fittizio) è un materiale di alta qualità utilizzato nello sviluppo e nel collaudo di dispositivi a semiconduttore avanzati. Grazie alle sue robuste proprietà elettriche, termiche e meccaniche, è ideale per applicazioni ad alta potenza e alta temperatura. Questo materiale è particolarmente indicato per la ricerca e lo sviluppo nell'elettronica di potenza, nei sistemi automobilistici e nelle apparecchiature industriali. Disponibile in diverse dimensioni, tra cui diametri di 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici, questo lingotto è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti dell'industria dei semiconduttori, offrendo al contempo prestazioni e affidabilità eccellenti.

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Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Applicazione

Elettronica di potenza:Utilizzato nella produzione di transistor di potenza ad alta efficienza, diodi e raddrizzatori per applicazioni industriali e automobilistiche.

Veicoli elettrici (EV):Utilizzato nella produzione di moduli di potenza per sistemi di azionamento elettrici, inverter e caricabatterie.

Sistemi di energia rinnovabile:Essenziale per lo sviluppo di dispositivi di conversione di potenza efficienti per sistemi solari, eolici e di accumulo di energia.

Aerospaziale e Difesa:Applicato nei componenti ad alta frequenza e ad alta potenza, compresi i sistemi radar e le comunicazioni satellitari.

Sistemi di controllo industriale:Supporta sensori avanzati e dispositivi di controllo in ambienti difficili.

Proprietà

conduttività.
Opzioni di diametro: 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici.
Spessore: >10 mm, per garantire una quantità sostanziale di materiale per il taglio e la lavorazione dei wafer.
Tipo: Grado fittizio, utilizzato principalmente per test e sviluppo non su dispositivi.
Tipo di supporto: tipo N, ottimizzando il materiale per dispositivi di potenza ad alte prestazioni.
Conduttività termica: eccellente, ideale per un'efficiente dissipazione del calore nell'elettronica di potenza.
Resistività: bassa resistività, che migliora la conduttività e l'efficienza dei dispositivi.
Resistenza meccanica: elevata, garantisce durevolezza e stabilità sotto stress e alte temperature.
Proprietà ottiche: trasparente nella gamma UV-visibile, il che lo rende adatto alle applicazioni di sensori ottici.
Densità dei difetti: bassa, contribuendo all'elevata qualità dei dispositivi fabbricati.
Specifiche del lingotto di SiC
Grado: Produzione;
Dimensioni: 6 pollici;
Diametro: 150,25 mm +0,25:
Spessore: >10mm;
Orientamento della superficie: 4° verso <11-20> +0,2°:
Orientamento primario piatto: <1-100>+5°:
Lunghezza piatta primaria: 47,5 mm+1,5;
Resistività: 0,015-0,02852:
Microtubo: <0,5;
Disturbo Borderline di Personalità: <2000;
TSD: <500;
Aree politipiche: nessuna;
Rientri Fdge: larghezza e profondità <3, lmm;
Edge Qracks: 3,
Imballaggio: Custodia per wafer;
Per ordini all'ingrosso o personalizzazioni specifiche, i prezzi possono variare. Contattate il nostro ufficio commerciale per un preventivo personalizzato in base alle vostre esigenze e quantità.