Lingotto SiC tipo 4H-N Grado fittizio 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore:> 10 mm

Breve descrizione:

Il lingotto SiC di tipo 4H-N (grado fittizio) è un materiale di alta qualità utilizzato nello sviluppo e nel test di dispositivi semiconduttori avanzati. Grazie alle sue robuste proprietà elettriche, termiche e meccaniche, è ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura. Questo materiale è particolarmente adatto per la ricerca e lo sviluppo nell'elettronica di potenza, nei sistemi automobilistici e nelle apparecchiature industriali. Disponibile in varie dimensioni, compresi i diametri da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici, questo lingotto è progettato per soddisfare le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori offrendo allo stesso tempo prestazioni e affidabilità eccellenti.

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Dettagli del prodotto

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Applicazione

Elettronica di potenza:Utilizzato nella produzione di transistor di potenza, diodi e raddrizzatori ad alta efficienza per applicazioni industriali e automobilistiche.

Veicoli elettrici (EV):Utilizzato nella produzione di moduli di potenza per sistemi di azionamento elettrico, inverter e caricabatterie.

Sistemi di energia rinnovabile:Essenziale per lo sviluppo di dispositivi efficienti di conversione dell'energia per sistemi solari, eolici e di accumulo dell'energia.

Aerospaziale e Difesa:Applicato in componenti ad alta frequenza e ad alta potenza, inclusi sistemi radar e comunicazioni satellitari.

Sistemi di controllo industriale:Supporta sensori avanzati e dispositivi di controllo in ambienti difficili.

Proprietà

conduttività.
Opzioni diametro: 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici.
Spessore: >10 mm, garantendo materiale sostanziale per l'affettatura e la lavorazione dei wafer.
Tipo: grado fittizio, utilizzato principalmente per test e sviluppo non legati ai dispositivi.
Tipo di supporto: tipo N, che ottimizza il materiale per dispositivi di potenza ad alte prestazioni.
Conduttività termica: eccellente, ideale per un'efficiente dissipazione del calore nell'elettronica di potenza.
Resistività: bassa resistività, che migliora la conduttività e l'efficienza dei dispositivi.
Resistenza meccanica: Elevata, garantisce durata e stabilità sotto stress e ad alta temperatura.
Proprietà ottiche: trasparente nella gamma UV-visibile, che lo rende adatto per applicazioni con sensori ottici.
Densità dei difetti: bassa, che contribuisce all'elevata qualità dei dispositivi fabbricati.
Specifiche del lingotto SiC
Grado: Produzione;
Dimensioni: 6 pollici;
Diametro: 150,25 mm+0,25:
Spessore: >10mm;
Orientamento della superficie: 4°verso <11-20>+0,2°:
Orientamento piatto primario: <1-100>+5°:
Lunghezza piatto primario: 47,5 mm+1,5;
Resistività: 0,015-0,02852:
Microtubo: <0,5;
BPD: <2000;
TDS: <500;
Aree di politipo: Nessuna;
Rientri Fdge:<3,:lmm larghezza e profondità;
Edge Qrack: 3,
Imballaggio: custodia in wafer;
Per ordini all'ingrosso o personalizzazioni specifiche, i prezzi possono variare. Rivolgiti al nostro ufficio commerciale per un preventivo personalizzato in base alle tue esigenze e quantità.