SiC semiisolante su substrati compositi Si
Elementi | Specifica | Elementi | Specifica |
Diametro | 150±0,2 mm | Orientamento | <111>/<100>/<110> e così via |
Politipo | 4H | Tipo | Codice prodotto |
Resistività | ≥1E8ohm·cm | Planarità | Piatto/tacca |
Spessore dello strato di trasferimento | ≥0,1μm | Scheggiatura, graffio, crepa del bordo (ispezione visiva) | Nessuno |
Vuoto | ≤5 pezzi/wafer (2 mm> D> 0,5 mm) | TTV | ≤5μm |
Rugosità anteriore | Ra ≤ 0,2 nm (5μm*5μm) | Spessore | 500/625/675±25μm |
Questa combinazione offre numerosi vantaggi nella produzione elettronica:
Compatibilità: l'uso di un substrato di silicio lo rende compatibile con le tecniche di lavorazione standard basate sul silicio e consente l'integrazione con i processi di produzione di semiconduttori esistenti.
Prestazioni alle alte temperature: il SiC ha un'eccellente conduttività termica e può funzionare a temperature elevate, rendendolo adatto per applicazioni elettroniche ad alta potenza e alta frequenza.
Elevata tensione di rottura: i materiali SiC hanno un'elevata tensione di rottura e possono resistere a campi elettrici elevati senza guasti elettrici.
Perdita di potenza ridotta: i substrati SiC consentono una conversione di potenza più efficiente e una perdita di potenza inferiore nei dispositivi elettronici rispetto ai tradizionali materiali a base di silicio.
Ampia larghezza di banda: il SiC ha un'ampia larghezza di banda, consentendo lo sviluppo di dispositivi elettronici in grado di funzionare a temperature più elevate e densità di potenza più elevate.
Pertanto il SiC semiisolante su substrati compositi in Si combina la compatibilità del silicio con le proprietà elettriche e termiche superiori del SiC, rendendolo adatto per applicazioni elettroniche ad alte prestazioni.
Imballaggio e consegna
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