Substrati compositi SiC semiisolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
Elementi | Specifica | Elementi | Specifica |
Diametro | 150±0,2 mm | Rugosità anteriore (faccia Si). | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
Politipo | 4H | Scheggiatura, graffio, crepa del bordo (ispezione visiva) | Nessuno |
Resistività | ≥1E8ohm·cm | TTV | ≤5μm |
Spessore dello strato di trasferimento | ≥0,4μm | Ordito | ≤35μm |
Vuoto | ≤5 pezzi/wafer (2 mm> D> 0,5 mm) | Spessore | 500±25μm |
I vantaggi dei substrati compositi SiC semiisolanti includono:
Elevata resistività: i materiali SiC semiisolanti hanno un'elevata resistività, che li rende in qualche modo capaci di bloccare il flusso di corrente e adatti a tipi specifici di dispositivi elettronici.
Prestazioni ad alta temperatura: i materiali SiC sono in grado di funzionare in ambienti ad alta temperatura, rendendoli adatti per applicazioni elettroniche ad alta potenza e alta frequenza.
Elevata tensione di rottura: i materiali SiC hanno un'elevata tensione di rottura e sono in grado di resistere a campi elettrici elevati senza guasti elettrici.
Resistenza chimica e ambientale: il SiC è resistente alla corrosione chimica e può resistere a condizioni ambientali difficili per applicazioni impegnative.
Perdita di potenza ridotta: i substrati SiC consentono una conversione di potenza più efficiente e una perdita di potenza inferiore nell'elettronica rispetto ai tradizionali materiali a base di silicio.
Nel complesso, i substrati compositi SiC semiisolanti offrono vantaggi significativi nello sviluppo di elettronica ad alte prestazioni, soprattutto in applicazioni che richiedono funzionamento ad alta temperatura, elevata densità di potenza ed efficiente conversione di potenza.
Vendite e servizio clienti
Acquisto materiali
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Qualità
Durante e dopo la fabbricazione o la lavorazione dei vostri prodotti, il reparto di controllo qualità è coinvolto per garantire che tutti i materiali e le tolleranze soddisfino o superino le vostre specifiche.
Servizio
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