Prodotti
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Ni Substrato/wafer struttura cubica monocristallina a=3,25 A densità 8,91
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Substrato monocristallino di magnesio Mg wafer purezza 99,99% 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm20x20x0,5/1mm
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Wafer Mg monocristallino in magnesio Orientamento DSP SSP
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Substrato monocristallo metallico in alluminio lucidato e lavorato in dimensioni per la produzione di circuiti integrati
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Substrato di alluminio Orientamento del substrato di alluminio monocristallino 111 100 111 5×5×0,5 mm
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Wafer di vetro al quarzo JGS1 JGS2 BF33 Wafer 8 pollici 12 pollici 725 ± 25 um o su misura
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tubo in zaffiro Metodo CZ metodo KY Resistenza alle alte temperature Al2O3 99,999% zaffiro monocristallino
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tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO Substrato SIC 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD
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Substrato SiC Tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici con spessore di 350um Grado di produzione Grado fittizio
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Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Grado zero MPD Grado di produzione Grado fittizio
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Wafer SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N spessore 6 pollici 350 μm con orientamento piatto primario
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Braccio in ceramica di allumina personalizzato Braccio robotico in ceramica