Prodotti
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Substrato Sic Wafer di carburo di silicio Tipo 4H-N Elevata durezza Resistenza alla corrosione Lucidatura di prima qualità
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, tipo 6H-N, grado primario, grado di ricerca, grado fittizio, spessore 330μm 430μm
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Substrato in carburo di silicio da 2 pollici 6H-N lucidato su entrambi i lati diametro 50,8 mm grado di produzione grado di ricerca
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Substrato di rame Rame cubico Wafer di Cu monocristallino 100 110 111 Orientamento SSP Purezza DSP 99,99%
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Substrato di rame monocristallino wafer Cu 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm
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Wafer di nichel Ni Substrato 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm
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Substrato/wafer di Ni struttura cubica monocristallina a=3,25A densità 8,91
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Substrato monocristallino di magnesio Wafer di Mg purezza 99,99% 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm
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Wafer di Mg monocristallino di magnesio DSP SSP Orientamento
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Substrato monocristallino in metallo di alluminio lucidato e lavorato in dimensioni adatte alla produzione di circuiti integrati
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Substrato di alluminio Substrato di alluminio monocristallino orientamento 111 100 111 5×5×0,5mm
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Wafer in vetro di quarzo JGS1 JGS2 BF33 Wafer 8 pollici 12 pollici 725 ± 25 um o personalizzato