Wafer SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 6 pollici di spessore 350 μm con orientamento piatto primario

Breve descrizione:

Il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, è un materiale semiconduttore da 6 pollici con uno spessore di 350 μm e orientamento primario piatto, progettato per applicazioni elettroniche avanzate. Noto per la sua elevata conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza a temperature estreme e ambienti corrosivi, questo wafer è adatto per dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Il drogaggio di tipo P introduce lacune come portatori di carica primari, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni RF. La sua struttura robusta garantisce prestazioni stabili in condizioni di alta tensione e alta frequenza, rendendolo ideale per dispositivi di potenza, elettronica ad alta temperatura e conversione energetica ad alta efficienza. L'orientamento primario piatto garantisce un allineamento accurato nel processo di produzione, garantendo coerenza nella fabbricazione dei dispositivi.

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Dettagli del prodotto

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Specifiche Substrati compositi SiC tipo 4H/6H-P Tabella dei parametri comuni

6 substrato di carburo di silicio (SiC) da pollici di diametro Specificazione

Grado			Produzione MPD pari a zeroGrado (Z Grado)	Produzione standardGrado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			145,5 mm~150,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento del wafer			-Offasse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Sull'asse: 〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0 cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ω/cm		≤0,3 Ω/cm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩ⁻cm		≤1 m Ω⁻cm
Orientamento primario piatto		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lunghezza piana primaria			32,5 millimetri ± 2,0 millimetri
Lunghezza piatta secondaria			18,0 millimetri ± 2,0 millimetri
Orientamento piatto secondario			Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime piatto ± 5,0°
Esclusione del bordo			3 millimetri		6 millimetri
LTV/TTV/Pratica/Ordito			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità luminosa			Non sono consentiti valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione superficiale del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※ I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati sulla faccia di Si o

Il wafer di SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, con le sue dimensioni di 6 pollici e lo spessore di 350 μm, svolge un ruolo cruciale nella produzione industriale di elettronica di potenza ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per la produzione di componenti come interruttori di potenza, diodi e transistor utilizzati in ambienti ad alta temperatura come veicoli elettrici, reti elettriche e sistemi di energia rinnovabile. La capacità del wafer di operare in modo efficiente in condizioni difficili garantisce prestazioni affidabili in applicazioni industriali che richiedono elevata densità di potenza ed efficienza energetica. Inoltre, il suo orientamento primario piatto favorisce un allineamento preciso durante la fabbricazione del dispositivo, migliorando l'efficienza produttiva e la coerenza del prodotto.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Alta conduttività termica: I wafer SiC di tipo P dissipano efficacemente il calore, rendendoli ideali per applicazioni ad alta temperatura.
Alta tensione di rottura: In grado di resistere ad alte tensioni, garantendo l'affidabilità nell'elettronica di potenza e nei dispositivi ad alta tensione.
Resistenza agli ambienti difficili: Eccellente durata in condizioni estreme, come alte temperature e ambienti corrosivi.
Conversione di potenza efficiente:Il drogaggio di tipo P consente una gestione efficiente della potenza, rendendo il wafer adatto ai sistemi di conversione dell'energia.
Orientamento primario piatto: Garantisce un allineamento preciso durante la produzione, migliorando l'accuratezza e la coerenza del dispositivo.
Struttura sottile (350 μm):Lo spessore ottimale del wafer supporta l'integrazione in dispositivi elettronici avanzati con limiti di spazio.

Nel complesso, il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, offre una serie di vantaggi che lo rendono altamente adatto per applicazioni industriali ed elettroniche. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura consentono un funzionamento affidabile in ambienti ad alta temperatura e alta tensione, mentre la sua resistenza a condizioni difficili ne garantisce la durevolezza. Il drogaggio di tipo P consente un'efficiente conversione di potenza, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza e i sistemi energetici. Inoltre, l'orientamento primario piatto del wafer garantisce un allineamento preciso durante il processo di produzione, migliorando la costanza produttiva. Con uno spessore di 350 μm, è ideale per l'integrazione in dispositivi avanzati e compatti.