Wafer SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N spessore 6 pollici 350 μm con orientamento piatto primario

Wafer SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N spessore 6 pollici 350 μm con orientamento piatto primario Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, è un materiale semiconduttore da 6 pollici con uno spessore di 350 μm e orientamento primario piatto, progettato per applicazioni elettroniche avanzate. Noto per l'elevata conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza alle temperature estreme e agli ambienti corrosivi, questo wafer è adatto per dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Il drogaggio di tipo P introduce fori come portatori di carica primari, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni RF. La sua struttura robusta garantisce prestazioni stabili in condizioni di alta tensione e alta frequenza, rendendolo particolarmente adatto per dispositivi di potenza, componenti elettronici ad alta temperatura e conversione di energia ad alta efficienza. L'orientamento piatto primario garantisce un allineamento accurato nel processo di produzione, garantendo coerenza nella fabbricazione del dispositivo.

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Dettagli del prodotto

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Specifica 4H/6H-P Tipo Substrati compositi SiC Tabella dei parametri comuni

6 Substrato in carburo di silicio (SiC) con diametro di pollici Specifica

Grado			Produzione di MPD pari a zeroGrado (Z Grado)	Produzione standardGrado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			145,5 mm~150,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento dei wafer			-Offasse: 2,0°-4,0°verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Sull'asse:〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientamento piatto primario		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria			32,5 mm±2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria			18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario			Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da Prime piatto ± 5,0°
Esclusione dei bordi			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali con luce ad alta intensità			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree di politipo mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio dovuti alla luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità di luce			Nessuno è consentito con larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※ I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. # I graffi devono essere controllati sulla faccia Si o

Il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, con le sue dimensioni da 6 pollici e 350 μm di spessore, svolge un ruolo cruciale nella produzione industriale di elettronica di potenza ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per la produzione di componenti come interruttori di potenza, diodi e transistor utilizzati in ambienti ad alta temperatura come veicoli elettrici, reti elettriche e sistemi di energia rinnovabile. La capacità del wafer di funzionare in modo efficiente in condizioni difficili garantisce prestazioni affidabili in applicazioni industriali che richiedono elevata densità di potenza ed efficienza energetica. Inoltre, il suo orientamento piatto primario agevola l'allineamento preciso durante la fabbricazione del dispositivo, migliorando l'efficienza produttiva e la consistenza del prodotto.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Elevata conduttività termica: I wafer SiC di tipo P dissipano efficacemente il calore, rendendoli ideali per applicazioni ad alta temperatura.
Alta tensione di rottura: In grado di resistere ad alte tensioni, garantendo affidabilità nell'elettronica di potenza e nei dispositivi ad alta tensione.
Resistenza agli ambienti difficili: Eccellente durata in condizioni estreme, come temperature elevate e ambienti corrosivi.
Conversione di potenza efficiente: Il drogaggio di tipo P facilita la gestione efficiente della potenza, rendendo il wafer adatto ai sistemi di conversione dell'energia.
Orientamento piatto primario: Garantisce un allineamento preciso durante la produzione, migliorando la precisione e la coerenza del dispositivo.
Struttura sottile (350 μm): Lo spessore ottimale del wafer supporta l'integrazione in dispositivi elettronici avanzati e con vincoli di spazio.

Nel complesso, il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, offre una serie di vantaggi che lo rendono altamente adatto per applicazioni industriali ed elettroniche. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura consentono un funzionamento affidabile in ambienti ad alta temperatura e alta tensione, mentre la resistenza alle condizioni difficili garantisce durata. Il drogaggio di tipo P consente un'efficiente conversione di potenza, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza e i sistemi energetici. Inoltre, l'orientamento piatto primario del wafer garantisce un allineamento preciso durante il processo di produzione, migliorando l'uniformità della produzione. Con uno spessore di 350 μm, è particolarmente adatto per l'integrazione in dispositivi avanzati e compatti.