Wafer SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N da 6 pollici di spessore 350 μm con orientamento piatto primario
Tabella dei parametri comuni dei substrati compositi SiC di tipo 4H/6H-P
6 substrato di carburo di silicio (SiC) da pollici di diametro Specifica
| Grado | Produzione MPD pari a zeroGrado (Z Grado) | Produzione standardGrado (P Grado) | Grado fittizio (D Grado) | ||
| Diametro | 145,5 millimetri~150,0 millimetri | ||||
| Spessore | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientamento del wafer | -Offasse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Sull'asse:〈111〉± 0,5° per 3C-N | ||||
| Densità del microtubo | 0 cm-2 | ||||
| Resistività | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ω/cm | ≤0,3 Ω/cm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩ/cm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientamento primario piatto | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Lunghezza piana primaria | 32,5 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
| Lunghezza piatta secondaria | 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
| Orientamento secondario piatto | Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime piatto ± 5,0° | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | 6 millimetri | |||
| LTV/TTV/Arco/Ordito | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosità | Polacco Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm | |||
| Piastre esagonali ad alta intensità luminosa | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤0,1% | |||
| Aree politipiche mediante luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤3% | |||
| Inclusioni visive di carbonio | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤3% | |||
| Graffi sulla superficie del silicio causati dalla luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer | |||
| Chip di bordo ad alta intensità luminosa | Non sono ammessi valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno | |||
| Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità | Nessuno | ||||
| Confezione | Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo | ||||
Note:
※ I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati sulla faccia Si o
Il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, con le sue dimensioni di 6 pollici e lo spessore di 350 μm, svolge un ruolo cruciale nella produzione industriale di elettronica di potenza ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per la produzione di componenti come interruttori di potenza, diodi e transistor utilizzati in ambienti ad alta temperatura come veicoli elettrici, reti elettriche e sistemi di energia rinnovabile. La capacità del wafer di operare in modo efficiente in condizioni difficili garantisce prestazioni affidabili in applicazioni industriali che richiedono elevata densità di potenza ed efficienza energetica. Inoltre, il suo orientamento primario piatto favorisce un allineamento preciso durante la fabbricazione del dispositivo, migliorando l'efficienza produttiva e la coerenza del prodotto.
I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono
- Alta conduttività termica: I wafer SiC di tipo P dissipano efficacemente il calore, rendendoli ideali per applicazioni ad alta temperatura.
- Alta tensione di rottura: In grado di resistere ad alte tensioni, garantendo l'affidabilità nell'elettronica di potenza e nei dispositivi ad alta tensione.
- Resistenza agli ambienti difficili: Eccellente durata in condizioni estreme, come temperature elevate e ambienti corrosivi.
- Conversione di potenza efficiente: Il drogaggio di tipo P facilita una gestione efficiente della potenza, rendendo il wafer adatto ai sistemi di conversione dell'energia.
- Orientamento primario piatto: Garantisce un allineamento preciso durante la produzione, migliorando la precisione e la coerenza del dispositivo.
- Struttura sottile (350 μm): Lo spessore ottimale del wafer ne supporta l'integrazione in dispositivi elettronici avanzati con vincoli di spazio.
Nel complesso, il wafer SiC di tipo P, 4H/6H-P 3C-N, offre una serie di vantaggi che lo rendono particolarmente adatto per applicazioni industriali ed elettroniche. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura consentono un funzionamento affidabile in ambienti ad alta temperatura e alta tensione, mentre la sua resistenza a condizioni difficili ne garantisce la durevolezza. Il drogaggio di tipo P consente un'efficiente conversione di potenza, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza e i sistemi energetici. Inoltre, l'orientamento primario piatto del wafer garantisce un allineamento preciso durante il processo di produzione, migliorando la coerenza produttiva. Con uno spessore di 350 μm, è ideale per l'integrazione in dispositivi compatti e avanzati.
Diagramma dettagliato
