substrato SIC di tipo p 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Breve descrizione:

Il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N, da 4 pollici con un orientamento di 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD (Micro Pipe Defect), è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni progettato per la produzione di dispositivi elettronici avanzati. Noto per la sua eccellente conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la forte resistenza alle alte temperature e alla corrosione, questo substrato è ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni RF. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, assicurando affidabilità e stabilità nei dispositivi ad alte prestazioni. Il suo preciso orientamento di 〈111〉± 0,5° consente un allineamento accurato durante la fabbricazione, rendendolo adatto a processi di produzione su larga scala. Questo substrato è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, come convertitori di potenza, inverter e componenti RF.


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Tabella dei parametri comuni dei substrati compositi SiC di tipo 4H/6H-P

4 Silicio di diametro in polliciSubstrato di carburo (SiC) Specificazione

 

Grado Produzione MPD pari a zero

Grado (Z Grado)

Produzione standard

Grado (P Grado)

 

Grado fittizio (D Grado)

Diametro 99,5 mm~100,0 mm
Spessore 350 μm ± 25 μm
Orientamento del wafer Fuori asse: 2,0°-4,0° verso [112(-)0] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n: 〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo 0 cm-2
Resistività tipo p 4H/6H-P ≤0,1 Ω/cm ≤0,3 Ω/cm
tipo n 3C-N ≤0,8 mΩ⁻cm ≤1 m Ω⁻cm
Orientamento primario piatto 4H/6H-P -

{1010} ± 5,0°

3C-N -

{110} ± 5,0°

Lunghezza piana primaria 32,5 millimetri ± 2,0 millimetri
Lunghezza piatta secondaria 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri
Orientamento piatto secondario Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. dal piano Prime±5,0°
Esclusione del bordo 3 millimetri 6 millimetri
LTV/TTV/Pratica/Ordito ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 micron ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 micron
Rugosità Polacco Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,2 nm Ra≤0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità Nessuno Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa Area cumulativa ≤0,05% Area cumulativa ≤0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità Nessuno Area cumulativa ≤3%
Inclusioni visive di carbonio Area cumulativa ≤0,05% Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità Nessuno Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità luminosa Non sono consentiti valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione superficiale del silicio ad alta intensità Nessuno
Confezione Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati solo sulla superficie del Si.

Il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD è ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori di potenza, che operano in condizioni estreme. Inoltre, la resistenza del substrato alle alte temperature e alla corrosione garantisce prestazioni stabili in ambienti difficili. Il preciso orientamento 〈111〉± 0,5° migliora la precisione di produzione, rendendolo adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza, come sistemi radar e apparecchiature di comunicazione wireless.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono:

1. Elevata conduttività termica: efficiente dissipazione del calore, che lo rende adatto ad ambienti ad alta temperatura e applicazioni ad alta potenza.
2. Elevata tensione di rottura: garantisce prestazioni affidabili nelle applicazioni ad alta tensione come convertitori di potenza e inverter.
3. Grado Zero MPD (Micro Pipe Defect): garantisce difetti minimi, offrendo stabilità e alta affidabilità nei dispositivi elettronici critici.
4. Resistenza alla corrosione: durevole in ambienti difficili, garantendo funzionalità a lungo termine in condizioni impegnative.
5. Orientamento preciso 〈111〉± 0,5°: consente un allineamento accurato durante la produzione, migliorando le prestazioni del dispositivo nelle applicazioni ad alta frequenza e RF.

 

Nel complesso, il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD è un materiale ad alte prestazioni, ideale per applicazioni elettroniche avanzate. L'eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono perfetto per l'elettronica di potenza come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, garantendo affidabilità e stabilità nei dispositivi critici. Inoltre, la resistenza del substrato alla corrosione e alle alte temperature garantisce la durata in ambienti difficili. Il preciso orientamento 〈111〉± 0,5° consente un allineamento accurato durante la produzione, rendendolo altamente adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza.

Diagramma dettagliato

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b3

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