tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO Substrato SIC 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Breve descrizione:

Il substrato SiC di tipo P 4H/6H-P 3C-N, da 4 pollici con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD (Micro Pipe Defect), è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni progettato per dispositivi elettronici avanzati produzione. Noto per l'eccellente conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la forte resistenza alle alte temperature e alla corrosione, questo substrato è ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni RF. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, garantendo affidabilità e stabilità in dispositivi ad alte prestazioni. Il suo preciso orientamento 〈111〉± 0,5° consente un allineamento accurato durante la fabbricazione, rendendolo adatto a processi di produzione su larga scala. Questo substrato è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, come convertitori di potenza, inverter e componenti RF.

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Substrati compositi SiC tipo 4H/6H-P Tabella dei parametri comuni

4 diametro in pollici SilicioSubstrato di carburo (SiC). Specifica

Grado			Produzione di MPD pari a zero Grado (Z Grado)	Produzione standard Grado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			99,5 mm~100,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento dei wafer			Fuori asse: 2,0°-4,0°verso [112(-)0] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n:〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientamento piatto primario		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria			32,5 mm±2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria			18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario			Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. dall'appartamento Prime±5,0°
Esclusione dei bordi			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 µm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 µm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali con luce ad alta intensità			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree di politipo mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio dovuti alla luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità di luce			Nessuno è consentito con larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. # I graffi devono essere controllati solo sulla faccia Si.

Il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado MPD zero è ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori di potenza, che operano in condizioni estreme. Inoltre, la resistenza del substrato alle alte temperature e alla corrosione garantisce prestazioni stabili in ambienti difficili. L'orientamento preciso di 〈111〉± 0,5° migliora la precisione di produzione, rendendolo adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza, come sistemi radar e apparecchiature di comunicazione wireless.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono:

1. Elevata conduttività termica: efficiente dissipazione del calore, che lo rende adatto per ambienti ad alta temperatura e applicazioni ad alta potenza.
2. Alta tensione di rottura: garantisce prestazioni affidabili in applicazioni ad alta tensione come convertitori di potenza e invertitori.
3. Grado Zero MPD (Micro Pipe Defect): garantisce difetti minimi, fornendo stabilità ed elevata affidabilità nei dispositivi elettronici critici.
4. Resistenza alla corrosione: durevole in ambienti difficili, garantendo funzionalità a lungo termine in condizioni difficili.
5. Orientamento preciso 〈111〉± 0,5°: consente un allineamento accurato durante la produzione, migliorando le prestazioni del dispositivo nelle applicazioni ad alta frequenza e RF.

Nel complesso, il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado MPD zero è un materiale ad alte prestazioni ideale per applicazioni elettroniche avanzate. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono perfetto per l'elettronica di potenza come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, garantendo affidabilità e stabilità nei dispositivi critici. Inoltre, la resistenza del substrato alla corrosione e alle alte temperature garantisce la durabilità in ambienti difficili. L'orientamento preciso di 〈111〉± 0,5° consente un allineamento accurato durante la produzione, rendendolo particolarmente adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza.