substrato SIC di tipo p 4H/6H-P 3C-N da 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD
Tabella dei parametri comuni dei substrati compositi SiC di tipo 4H/6H-P
4 Silicio di diametro in polliciSubstrato di carburo (SiC) Specificazione
Grado | Produzione MPD pari a zero Grado (Z Grado) | Produzione standard Grado (P Grado) | Grado fittizio (D Grado) | ||
Diametro | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
Spessore | 350 μm ± 25 μm | ||||
Orientamento del wafer | Fuori asse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Oasse n: 〈111〉± 0,5° per 3C-N | ||||
Densità del microtubo | 0 cm-2 | ||||
Resistività | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ω/cm | ≤0,3 Ω/cm | ||
tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩ⁻cm | ≤1 m Ω⁻cm | |||
Orientamento primario piatto | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
Lunghezza piana primaria | 32,5 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
Lunghezza piatta secondaria | 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri | ||||
Orientamento piatto secondario | Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. dal piano Prime±5,0° | ||||
Esclusione del bordo | 3 millimetri | 6 millimetri | |||
LTV/TTV/Pratica/Ordito | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 micron | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 micron | |||
Rugosità | Polacco Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm | |||
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤0,1% | |||
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤3% | |||
Inclusioni visive di carbonio | Area cumulativa ≤0,05% | Area cumulativa ≤3% | |||
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer | |||
Chip di bordo ad alta intensità luminosa | Non sono consentiti valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno | |||
Contaminazione superficiale del silicio ad alta intensità | Nessuno | ||||
Confezione | Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo |
Note:
※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati solo sulla superficie del Si.
Il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD è ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alte prestazioni. La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori di potenza, che operano in condizioni estreme. Inoltre, la resistenza del substrato alle alte temperature e alla corrosione garantisce prestazioni stabili in ambienti difficili. Il preciso orientamento 〈111〉± 0,5° migliora la precisione di produzione, rendendolo adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza, come sistemi radar e apparecchiature di comunicazione wireless.
I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono:
1. Elevata conduttività termica: efficiente dissipazione del calore, che lo rende adatto ad ambienti ad alta temperatura e applicazioni ad alta potenza.
2. Elevata tensione di rottura: garantisce prestazioni affidabili nelle applicazioni ad alta tensione come convertitori di potenza e inverter.
3. Grado Zero MPD (Micro Pipe Defect): garantisce difetti minimi, offrendo stabilità e alta affidabilità nei dispositivi elettronici critici.
4. Resistenza alla corrosione: durevole in ambienti difficili, garantendo funzionalità a lungo termine in condizioni impegnative.
5. Orientamento preciso 〈111〉± 0,5°: consente un allineamento accurato durante la produzione, migliorando le prestazioni del dispositivo nelle applicazioni ad alta frequenza e RF.
Nel complesso, il substrato SiC da 4 pollici di tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientamento 〈111〉± 0,5° e grado Zero MPD è un materiale ad alte prestazioni, ideale per applicazioni elettroniche avanzate. L'eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura lo rendono perfetto per l'elettronica di potenza come interruttori ad alta tensione, inverter e convertitori. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, garantendo affidabilità e stabilità nei dispositivi critici. Inoltre, la resistenza del substrato alla corrosione e alle alte temperature garantisce la durata in ambienti difficili. Il preciso orientamento 〈111〉± 0,5° consente un allineamento accurato durante la produzione, rendendolo altamente adatto per dispositivi RF e applicazioni ad alta frequenza.
Diagramma dettagliato

