I wafer SiC sono semiconduttori realizzati in carburo di silicio.Questo materiale è stato sviluppato nel 1893 ed è ideale per una varietà di applicazioni.Particolarmente adatto per diodi Schottky, diodi Schottky a barriera di giunzione, interruttori e transistor ad effetto di campo semiconduttori a ossido di metallo.Grazie alla sua elevata durezza, è una scelta eccellente per i componenti elettronici di potenza.
Attualmente esistono due tipi principali di wafer SiC.Il primo è un wafer lucido, ovvero un singolo wafer di carburo di silicio.È realizzato con cristalli SiC di elevata purezza e può avere un diametro di 100 mm o 150 mm.Viene utilizzato in dispositivi elettronici ad alta potenza.Il secondo tipo è il wafer di carburo di silicio cristallino epitassiale.Questo tipo di wafer viene realizzato aggiungendo sulla superficie un singolo strato di cristalli di carburo di silicio.Questo metodo richiede un controllo preciso dello spessore del materiale ed è noto come epitassia di tipo N.
Il tipo successivo è il carburo di silicio beta.Il Beta SiC viene prodotto a temperature superiori a 1700 gradi Celsius.I carburi alfa sono i più comuni e hanno una struttura cristallina esagonale simile alla wurtzite.La forma beta è simile al diamante e viene utilizzata in alcune applicazioni.È sempre stata la prima scelta per i semilavorati di alimentazione dei veicoli elettrici.Diversi fornitori di wafer in carburo di silicio di terze parti stanno attualmente lavorando su questo nuovo materiale.
I wafer SiC ZMSH sono materiali semiconduttori molto popolari.È un materiale semiconduttore di alta qualità che ben si adatta a molte applicazioni.I wafer in carburo di silicio ZMSH sono un materiale molto utile per una varietà di dispositivi elettronici.ZMSH fornisce un'ampia gamma di wafer e substrati SiC di alta qualità.Sono disponibili nelle forme di tipo N e semi-isolate.
2---Carburo di silicio: verso una nuova era di wafer
Proprietà fisiche e caratteristiche del carburo di silicio
Il carburo di silicio ha una struttura cristallina speciale, utilizzando una struttura esagonale compattata simile al diamante.Questa struttura consente al carburo di silicio di avere un'eccellente conduttività termica e resistenza alle alte temperature.Rispetto ai tradizionali materiali in silicio, il carburo di silicio ha un gap di banda maggiore, che fornisce una maggiore spaziatura delle bande di elettroni, con conseguente maggiore mobilità degli elettroni e minore corrente di dispersione.Inoltre, il carburo di silicio ha anche una maggiore velocità di deriva della saturazione degli elettroni e una minore resistività del materiale stesso, fornendo prestazioni migliori per applicazioni ad alta potenza.
Casi applicativi e prospettive dei wafer in carburo di silicio
Applicazioni dell'elettronica di potenza
Il wafer in carburo di silicio ha ampie prospettive di applicazione nel campo dell'elettronica di potenza.Grazie alla loro elevata mobilità elettronica e all'eccellente conduttività termica, i wafer SIC possono essere utilizzati per produrre dispositivi di commutazione ad alta densità di potenza, come moduli di potenza per veicoli elettrici e inverter solari.La stabilità alle alte temperature dei wafer in carburo di silicio consente a questi dispositivi di funzionare in ambienti ad alta temperatura, fornendo maggiore efficienza e affidabilità.
Applicazioni optoelettroniche
Nel campo dei dispositivi optoelettronici, i wafer in carburo di silicio mostrano i loro vantaggi unici.Il materiale in carburo di silicio ha caratteristiche di ampio gap di banda, che gli consentono di ottenere un'elevata energia fotonica e una bassa perdita di luce nei dispositivi optoelettronici.I wafer di carburo di silicio possono essere utilizzati per preparare dispositivi di comunicazione ad alta velocità, fotorilevatori e laser.La sua eccellente conduttività termica e la bassa densità di difetti dei cristalli lo rendono ideale per la preparazione di dispositivi optoelettronici di alta qualità.
Veduta
Con la crescente domanda di dispositivi elettronici ad alte prestazioni, i wafer in carburo di silicio hanno un futuro promettente come materiale con proprietà eccellenti e ampio potenziale di applicazione.Con il continuo miglioramento della tecnologia di preparazione e la riduzione dei costi, verrà promossa l'applicazione commerciale dei wafer in carburo di silicio.Si prevede che nei prossimi anni i wafer in carburo di silicio entreranno gradualmente nel mercato e diventeranno la scelta principale per applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.
3 --- Analisi approfondita del mercato dei wafer SiC e delle tendenze tecnologiche
Analisi approfondita dei driver del mercato dei wafer in carburo di silicio (SiC).
La crescita del mercato dei wafer in carburo di silicio (SiC) è influenzata da diversi fattori chiave e un’analisi approfondita dell’impatto di questi fattori sul mercato è fondamentale.Ecco alcuni dei principali fattori trainanti del mercato:
Risparmio energetico e protezione ambientale: le elevate prestazioni e le caratteristiche di basso consumo energetico dei materiali in carburo di silicio lo rendono popolare nel campo del risparmio energetico e della protezione ambientale.La domanda di veicoli elettrici, inverter solari e altri dispositivi di conversione dell’energia sta guidando la crescita del mercato dei wafer in carburo di silicio poiché aiutano a ridurre gli sprechi energetici.
Applicazioni nell'elettronica di potenza: il carburo di silicio eccelle nelle applicazioni dell'elettronica di potenza e può essere utilizzato nell'elettronica di potenza in ambienti ad alta pressione e alta temperatura.Con la diffusione delle energie rinnovabili e la promozione della transizione dell’energia elettrica, la domanda di wafer in carburo di silicio nel mercato dell’elettronica di potenza continua ad aumentare.
Analisi dettagliata delle tendenze future dello sviluppo della tecnologia di produzione dei wafer SiC
Produzione di massa e riduzione dei costi: la futura produzione di wafer SiC si concentrerà maggiormente sulla produzione di massa e sulla riduzione dei costi.Ciò include tecniche di crescita migliorate come la deposizione chimica da vapore (CVD) e la deposizione fisica da vapore (PVD) per aumentare la produttività e ridurre i costi di produzione.Inoltre, si prevede che l’adozione di processi di produzione intelligenti e automatizzati migliorerà ulteriormente l’efficienza.
Nuove dimensioni e struttura del wafer: le dimensioni e la struttura dei wafer SiC potrebbero cambiare in futuro per soddisfare le esigenze di diverse applicazioni.Ciò può includere wafer di diametro maggiore, strutture eterogenee o wafer multistrato per fornire maggiore flessibilità di progettazione e opzioni di prestazioni.
Efficienza energetica e produzione ecologica: la produzione futura di wafer SiC porrà maggiore enfasi sull'efficienza energetica e sulla produzione ecologica.Le fabbriche alimentate da energie rinnovabili, materiali ecologici, riciclaggio dei rifiuti e processi di produzione a basse emissioni di carbonio diventeranno tendenze nel settore manifatturiero.
Orario di pubblicazione: 19 gennaio 2024