Il 26, Power Cube Semi ha annunciato lo sviluppo di successo del primo semiconduttore MOSFET SiC (carburo di silicio) da 2300 V della Corea del Sud.
Rispetto ai semiconduttori esistenti a base di Si (silicio), il SiC (carburo di silicio) può resistere a tensioni più elevate, ed è quindi considerato il dispositivo di prossima generazione che guida il futuro dei semiconduttori di potenza.Serve come componente cruciale necessaria per l’introduzione di tecnologie all’avanguardia, come la proliferazione di veicoli elettrici e l’espansione dei data center guidati dall’intelligenza artificiale.
Power Cube Semi è un'azienda favolosa che sviluppa dispositivi a semiconduttore di potenza in tre categorie principali: SiC (carburo di silicio), Si (silicio) e Ga2O3 (ossido di gallio).Recentemente, l'azienda ha applicato e venduto diodi Schottky Barrier (SBD) ad alta capacità a un'azienda globale di veicoli elettrici in Cina, ottenendo riconoscimenti per il design e la tecnologia dei suoi semiconduttori.
Il rilascio del MOSFET SiC da 2300 V è degno di nota in quanto è il primo caso di sviluppo di questo tipo in Corea del Sud.Anche Infineon, azienda globale di semiconduttori di potenza con sede in Germania, ha annunciato il lancio del suo prodotto da 2.000 V a marzo, ma senza una linea di prodotti da 2.300 V.
Il MOSFET CoolSiC da 2000 V di Infineon, che utilizza il contenitore TO-247PLUS-4-HCC, soddisfa la richiesta di maggiore densità di potenza da parte dei progettisti, garantendo l'affidabilità del sistema anche in condizioni rigorose di alta tensione e frequenza di commutazione.
Il MOSFET CoolSiC offre una tensione di collegamento in corrente continua più elevata, consentendo un aumento di potenza senza aumentare la corrente.È il primo dispositivo discreto in carburo di silicio sul mercato con una tensione di rottura di 2000 V, che utilizza il contenitore TO-247PLUS-4-HCC con una distanza superficiale di 14 mm e una distanza di 5,4 mm.Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e sono adatti per applicazioni come inverter di stringhe solari, sistemi di accumulo di energia e ricarica di veicoli elettrici.
La serie di prodotti CoolSiC MOSFET 2000V è adatta per sistemi bus CC ad alta tensione fino a 1500 V CC.Rispetto al MOSFET SiC da 1700 V, questo dispositivo fornisce un margine di sovratensione sufficiente per i sistemi da 1500 V CC.Il MOSFET CoolSiC offre una tensione di soglia di 4,5 V ed è dotato di robusti diodi body per una commutazione dura.Con la tecnologia di connessione .XT, questi componenti offrono eccellenti prestazioni termiche e una forte resistenza all'umidità.
Oltre al MOSFET CoolSiC da 2000 V, Infineon lancerà presto diodi CoolSiC complementari confezionati nei package TO-247PLUS a 4 pin e TO-247-2 rispettivamente nel terzo trimestre e nell'ultimo trimestre del 2024.Questi diodi sono particolarmente adatti per applicazioni solari.Sono disponibili anche combinazioni di prodotti gate driver corrispondenti.
La serie di prodotti CoolSiC MOSFET 2000V è ora disponibile sul mercato.Inoltre, Infineon offre schede di valutazione adeguate: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Gli sviluppatori possono utilizzare questa scheda come una piattaforma di test generale precisa per valutare tutti i MOSFET e i diodi CoolSiC con tensione nominale di 2000 V, nonché la serie di prodotti 1ED31xx con gate driver di isolamento compatto a canale singolo EiceDRIVER attraverso il funzionamento PWM a doppio impulso o continuo.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer di Power Cube Semi, ha dichiarato: "Siamo stati in grado di estendere la nostra esperienza esistente nello sviluppo e nella produzione di massa di MOSFET SiC da 1700 V a 2300 V.
Orario di pubblicazione: 08 aprile 2024