Il 26, Power Cube Semi ha annunciato lo sviluppo con successo del primo semiconduttore MOSFET SiC (carburo di silicio) da 2300 V della Corea del Sud.
Rispetto ai semiconduttori esistenti a base di Si (Silicio), il SiC (Carburo di Silicio) può sopportare tensioni più elevate, il che lo rende il dispositivo di nuova generazione che guiderà il futuro dei semiconduttori di potenza. È un componente cruciale, necessario per l'introduzione di tecnologie all'avanguardia, come la proliferazione dei veicoli elettrici e l'espansione dei data center basati sull'intelligenza artificiale.
Power Cube Semi è un'azienda fabless che sviluppa dispositivi a semiconduttore di potenza in tre categorie principali: SiC (carburo di silicio), Si (silicio) e Ga2O3 (ossido di gallio). Di recente, l'azienda ha installato e venduto diodi a barriera Schottky (SBD) ad alta capacità a un'azienda globale di veicoli elettrici in Cina, ottenendo riconoscimenti per la progettazione e la tecnologia dei suoi semiconduttori.
Il lancio del MOSFET SiC da 2300 V è degno di nota in quanto è il primo caso di sviluppo del genere in Corea del Sud. Infineon, un'azienda globale di semiconduttori di potenza con sede in Germania, ha anch'essa annunciato il lancio del suo prodotto da 2000 V a marzo, ma senza una gamma di prodotti da 2300 V.
Il MOSFET CoolSiC da 2000 V di Infineon, che utilizza il package TO-247PLUS-4-HCC, soddisfa la richiesta di una maggiore densità di potenza da parte dei progettisti, garantendo l'affidabilità del sistema anche in condizioni rigorose di alta tensione e frequenza di commutazione.
Il MOSFET CoolSiC offre una tensione di collegamento in corrente continua più elevata, consentendo un aumento di potenza senza aumentare la corrente. È il primo dispositivo discreto in carburo di silicio sul mercato con una tensione di rottura di 2000 V, utilizzando il package TO-247PLUS-4-HCC con una distanza di dispersione di 14 mm e una distanza in aria di 5,4 mm. Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e sono adatti per applicazioni come inverter di stringa solari, sistemi di accumulo di energia e sistemi di ricarica per veicoli elettrici.
La serie di prodotti CoolSiC MOSFET da 2000 V è adatta per sistemi bus DC ad alta tensione fino a 1500 V DC. Rispetto al MOSFET SiC da 1700 V, questo dispositivo offre un margine di sovratensione sufficiente per sistemi a 1500 V DC. Il MOSFET CoolSiC offre una tensione di soglia di 4,5 V ed è dotato di robusti diodi di body per una commutazione rigida. Grazie alla tecnologia di connessione .XT, questi componenti offrono eccellenti prestazioni termiche e un'elevata resistenza all'umidità.
Oltre al MOSFET CoolSiC da 2000 V, Infineon lancerà a breve diodi CoolSiC complementari, disponibili nei package TO-247PLUS a 4 pin e TO-247-2, rispettivamente nel terzo e nell'ultimo trimestre del 2024. Questi diodi sono particolarmente adatti per applicazioni solari. Sono disponibili anche combinazioni di driver di gate corrispondenti.
La serie di prodotti CoolSiC MOSFET da 2000 V è ora disponibile sul mercato. Infineon offre inoltre schede di valutazione adatte: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Gli sviluppatori possono utilizzare questa scheda come piattaforma di test generale precisa per valutare tutti i MOSFET e i diodi CoolSiC con tensione nominale di 2000 V, nonché il driver di gate isolato compatto a singolo canale EiceDRIVER 1ED31xx, tramite funzionamento PWM a doppio impulso o continuo.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer di Power Cube Semi, ha dichiarato: "Siamo stati in grado di estendere la nostra esperienza esistente nello sviluppo e nella produzione di massa di MOSFET SiC da 1700 V a 2300 V.
Data di pubblicazione: 08-04-2024