SiC di tipo N su substrati compositi di Si Dia6 pollici
| 等级Grado | U级 | P级 | D级 |
| Basso grado di disturbo borderline di personalità | Grado di produzione | Grado fittizio | |
| 直径Diametro | 150,0 mm±0,25 mm | ||
| 厚度Spessore | 500 μm±25 μm | ||
| 晶foto方向Orientamento del wafer | Fuori asse: 4,0° verso < 11-20 > ±0,5° per 4H-N Sull'asse: <0001>±0,5° per 4H-SI | ||
| 主定位边方向Appartamento primario | {10-10}±5,0° | ||
| 主定位边长度Lunghezza piana primaria | 47,5 mm±2,5 mm | ||
| 边缘Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco /Deformazione | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度e基面位错MPD e BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率Resistività | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Rugosità | Polacco Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤10 mm, lunghezza singola ≤2 mm | |
| Crepe causate da luce ad alta intensità | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤5% | |
| Piastre esagonali ad alta intensità luminosa | |||
| 多型(强光灯观测)* | Nessuno | Area cumulativa ≤5% | |
| Aree politipiche mediante luce ad alta intensità | |||
| Sì(强光灯观测)*& | 3 graffi su 1×diametro del wafer | 5 graffi su 1×diametro del wafer | |
| Graffi causati da luce ad alta intensità | lunghezza cumulativa | lunghezza cumulativa | |
| 崩边# Chip di bordo | Nessuno | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Nessuno | ||
| Contaminazione da luce ad alta intensità | |||
Diagramma dettagliato
