SiC di tipo N su substrati compositi di Si Dia6 pollici

等级Grado

U级

P级

D级

Grado BPD basso

Grado di produzione

Grado fittizio

直径Diametro

150,0 mm±0,25 mm

厚度Spessore

500 μm±25 μm

晶foto方向Orientamento del wafer

Fuori asse: 4,0° verso < 11-20 > ±0,5° per 4H-N Sull'asse: <0001>±0,5° per 4H-SI

主定位边方向Appartamento primario

{10-10}±5,0°

主定位边长度Lunghezza piana primaria

47,5 mm±2,5 mm

边缘Esclusione del bordo

3 millimetri

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco /Deformazione

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度e基面位错MPD e BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Resistività

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosità

Polacco Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Nessuno

Lunghezza cumulativa ≤10 mm, lunghezza singola ≤2 mm

Crepe causate da luce ad alta intensità

六方空洞（强光灯观测）*

Area cumulativa ≤1%

Area cumulativa ≤5%

Piastre esagonali ad alta intensità luminosa

多型(强光灯观测)*

Nessuno

Area cumulativa ≤5%

Aree politipiche con luce ad alta intensità

Sì(强光灯观测)*&

3 graffi su 1×diametro del wafer

5 graffi su 1×diametro del wafer

Graffi da luce ad alta intensità

lunghezza cumulativa

lunghezza cumulativa

崩边# Chip di bordo

Nessuno

5 consentiti, ≤1 mm ciascuno

表面污染物（强光灯观测）

Nessuno

Contaminazione da luce ad alta intensità