SiC di tipo N su substrati compositi Si Dia6 pollici

等级Grado

U级

P级

D级

Grado BPD basso

Grado di produzione

Grado fittizio

直径Diametro

150,0 mm±0,25 mm

厚度Spessore

500μm±25μm

晶foto方向Orientamento dei wafer

Fuori asse: 4,0°verso < 11-20 > ±0,5°per 4H-N In asse: <0001>±0,5°per 4H-SI

主定位边方向Appartamento principale

{10-10}±5,0°

主定位边长度Lunghezza piatta primaria

47,5 mm±2,5 mm

边缘Esclusione dei bordi

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco /Deformazione

≤15μm/≤40μm/≤60μm

微管密度e基面位错MPD e BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000 cm-2

电阻率Resistività

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosità

Polacco Ra≤1 nm

CMP Ra ≤ 0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Nessuno

Lunghezza cumulativa ≤10 mm, lunghezza singola ≤2 mm

Crepe dovute a luce ad alta intensità

六方空洞（强光灯观测）*

Area cumulativa ≤1%

Area cumulativa ≤5%

Piastre esagonali mediante luce ad alta intensità

多型(强光灯观测)*

Nessuno

Area cumulativa ≤ 5%

Aree di politipo mediante luce ad alta intensità

Sì(强光灯观测)*&

3 graffi su 1×diametro del wafer

5 graffi su 1×diametro del wafer

Graffi dovuti a luce ad alta intensità

lunghezza cumulativa

lunghezza cumulativa

崩边# Chip sul bordo

Nessuno

5 consentiti, ≤1 mm ciascuno

表面污染物（强光灯观测）

Nessuno

Contaminazione da luce ad alta intensità