Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Substrato monocristallino di alta qualità e substrato di bassa qualità
Tabella dei parametri comuni dei substrati compositi SiC di tipo N
| 项目Elementi | 指标Specificazione | 项目Elementi | 指标Specificazione |
| 直径Diametro | 150±0,2 mm | 正 面 (硅面)粗糙度 Rugosità frontale (Si-face) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Politipo | 4H | Scheggiatura, graffio, crepa sul bordo (ispezione visiva) | Nessuno |
| 电阻率Resistività | 0,015-0,025 ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Spessore dello strato di trasferimento | ≥0,4μm | 翘曲度Ordito | ≤35μm |
| 空洞Vuoto | ≤5 pezzi/cialda (2 mm>D>0,5 mm) | 总厚度Spessore | 350±25μm |
La designazione "tipo N" si riferisce al tipo di drogaggio utilizzato nei materiali SiC. Nella fisica dei semiconduttori, il drogaggio consiste nell'introduzione intenzionale di impurità in un semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Il drogaggio di tipo N introduce elementi che forniscono un eccesso di elettroni liberi, conferendo al materiale una concentrazione di portatori di carica negativa.
I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono:
1. Prestazioni ad alta temperatura: il SiC ha un'elevata conduttività termica e può funzionare ad alte temperature, il che lo rende adatto ad applicazioni elettroniche ad alta potenza e alta frequenza.
2. Elevata tensione di rottura: i materiali SiC hanno un'elevata tensione di rottura, che consente loro di resistere a campi elettrici elevati senza guasti elettrici.
3. Resistenza chimica e ambientale: il SiC è resistente agli agenti chimici e può sopportare condizioni ambientali difficili, il che lo rende adatto all'uso in applicazioni complesse.
4. Riduzione della perdita di potenza: rispetto ai tradizionali materiali a base di silicio, i substrati SiC consentono una conversione di potenza più efficiente e riducono la perdita di potenza nei dispositivi elettronici.
5. Ampio bandgap: il SiC ha un ampio bandgap, che consente lo sviluppo di dispositivi elettronici in grado di funzionare a temperature più elevate e densità di potenza più elevate.
Nel complesso, i substrati compositi SiC di tipo N offrono notevoli vantaggi per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni, soprattutto nelle applicazioni in cui il funzionamento ad alta temperatura, l'elevata densità di potenza e l'efficiente conversione di potenza sono fondamentali.