Substrati compositi SiC di tipo N Dia6inch Substrato monocristallino di alta qualità e di bassa qualità

La designazione "tipo N" si riferisce al tipo di drogaggio utilizzato nei materiali SiC. Nella fisica dei semiconduttori, il doping implica l'introduzione intenzionale di impurità in un semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Il drogaggio di tipo N introduce elementi che forniscono un eccesso di elettroni liberi, conferendo al materiale una concentrazione di portatori di carica negativa.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono:

1. Prestazioni ad alta temperatura: il SiC ha un'elevata conduttività termica e può funzionare a temperature elevate, rendendolo adatto per applicazioni elettroniche ad alta potenza e ad alta frequenza.

2. Elevata tensione di rottura: i materiali SiC hanno un'elevata tensione di rottura, che consente loro di resistere a campi elettrici elevati senza guasti elettrici.

3. Resistenza chimica e ambientale: il SiC è chimicamente resistente e può resistere a condizioni ambientali difficili, rendendolo adatto all'uso in applicazioni difficili.

4. Perdita di potenza ridotta: rispetto ai tradizionali materiali a base di silicio, i substrati SiC consentono una conversione di potenza più efficiente e riducono la perdita di potenza nei dispositivi elettronici.

5. Ampio bandgap: il SiC ha un ampio bandgap, consentendo lo sviluppo di dispositivi elettronici in grado di funzionare a temperature più elevate e densità di potenza più elevate.

Nel complesso, i substrati compositi SiC di tipo N offrono vantaggi significativi per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni, soprattutto in applicazioni in cui il funzionamento ad alta temperatura, l'elevata densità di potenza e l'efficiente conversione di potenza sono fondamentali.