Wafer LiTaO3 da 2 a 8 pollici 10x10x0,5 mm 1 sp 2 sp per comunicazioni 5G/6G

Breve descrizione:

Il wafer di LiTaO3 (wafer di tantalato di litio), un materiale fondamentale per i semiconduttori e l'optoelettronica di terza generazione, sfrutta la sua elevata temperatura di Curie (610 °C), l'ampio intervallo di trasparenza (0,4-5,0 μm), il coefficiente piezoelettrico superiore (d33 > 1.500 pC/N) e la bassa perdita dielettrica (tanδ < 2%) per rivoluzionare le comunicazioni 5G, l'integrazione fotonica e i dispositivi quantistici. Utilizzando tecnologie di fabbricazione avanzate come il trasporto fisico di vapore (PVT) e la deposizione chimica da vapore (CVD), XKH fornisce wafer con taglio X/Y/Z, taglio Y a 42° e a polarizzazione periodica (PPLT) in formati da 2 a 8 pollici, con rugosità superficiale (Ra) <0,5 nm e densità dei microtubi <0,1 cm⁻². I nostri servizi comprendono il drogaggio con ferro, la riduzione chimica e l'integrazione eterogenea Smart-Cut, per la realizzazione di filtri ottici ad alte prestazioni, rilevatori a infrarossi e sorgenti di luce quantistica. Questo materiale introduce innovazioni nella miniaturizzazione, nel funzionamento ad alta frequenza e nella stabilità termica, accelerando la sostituzione nazionale in tecnologie critiche.


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  • Caratteristiche

    Parametri tecnici

    Nome LiTaO3 di grado ottico Livello della tabella sonora LiTaO3
    Assiale Taglio Z + / - 0,2 ° Taglio a 36°Y / taglio a 42°Y / taglio a X

    (+ / - 0,2 °)

    Diametro 76,2 mm + / - 0,3 mm/

    100±0,2 mm

    76,2 mm +/-0,3 mm

    100 mm +/- 0,3 mm o 150±0,5 mm

    Piano di riferimento 22 mm +/- 2 mm 22 mm +/- 2 mm

    32 mm +/- 2 mm

    Spessore 500μm +/-5mm

    1000μm +/-5mm

    500μm +/-20mm

    350μm +/-20mm

    TTV ≤ 10 µm ≤ 10 µm
    Temperatura di Curie 605 °C + / - 0,7 °C (metodo DTA) 605 °C + / -3 °C (metodo DTA)
    Qualità della superficie Lucidatura bilaterale Lucidatura bilaterale
    Bordi smussati arrotondamento dei bordi arrotondamento dei bordi

     

    Caratteristiche principali

    1. Prestazioni elettriche e ottiche
    · Coefficiente elettro-ottico: r33 raggiunge 30 pm/V (X-cut), 1,5 volte più alto di LiNbO3, consentendo una modulazione elettro-ottica a banda ultralarga (larghezza di banda >40 GHz).
    · Ampia risposta spettrale: intervallo di trasmissione 0,4–5,0 μm (spessore 8 mm), con limite di assorbimento ultravioletto fino a 280 nm, ideale per laser UV e dispositivi a punti quantici.
    · Basso coefficiente piroelettrico: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), che garantisce stabilità nei sensori a infrarossi ad alta temperatura.

    2. Proprietà termiche e meccaniche
    · Elevata conduttività termica: 4,6 W/m·K (taglio X), quadrupla rispetto al quarzo, in grado di sostenere cicli termici da -200 a 500 °C.
    · Basso coefficiente di dilatazione termica: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), compatibile con il packaging in silicio per ridurre al minimo lo stress termico.
    3. Controllo dei difetti e precisione di elaborazione
    · Densità dei micropipe: <0,1 cm⁻² (wafer da 8 pollici), densità di dislocazione <500 cm⁻² (verificata tramite incisione con KOH).
    · Qualità della superficie: lucidata con CMP a Ra <0,5 nm, conforme ai requisiti di planarità della litografia EUV.

    Applicazioni chiave

    Dominio

    Scenari applicativi

    Vantaggi tecnici

    Comunicazioni ottiche

    Laser DWDM 100G/400G, moduli ibridi di fotonica al silicio

    L'ampia trasmissione spettrale del wafer LiTaO3 e la bassa perdita della guida d'onda (α <0,1 dB/cm) consentono l'espansione della banda C.

    Comunicazioni 5G/6G

    Filtri SAW (1,8–3,5 GHz), filtri BAW-SMR

    I wafer tagliati a Y 42° raggiungono Kt² >15%, garantendo una bassa perdita di inserzione (<1,5 dB) e un elevato roll-off (>30 dB).

    Tecnologie quantistiche

    Rilevatori di singoli fotoni, sorgenti parametriche di down-conversion

    L'elevato coefficiente non lineare (χ(2)=40 pm/V) e il basso tasso di conteggio oscuro (<100 conteggi/s) migliorano la fedeltà quantistica.

    Rilevamento industriale

    Sensori di pressione ad alta temperatura, trasformatori di corrente

    La risposta piezoelettrica del wafer LiTaO3 (g33 >20 mV/m) e la tolleranza alle alte temperature (>400°C) si adattano ad ambienti estremi.

     

    Servizi XKH

    1. Fabbricazione di wafer personalizzati

    · Dimensioni e taglio: wafer da 2–8 pollici con taglio X/Y/Z, taglio Y a 42° e tagli angolari personalizzati (tolleranza ±0,01°).

    · Controllo del drogaggio: drogaggio di Fe, Mg tramite metodo Czochralski (intervallo di concentrazione 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) per ottimizzare i coefficienti elettro-ottici e la stabilità termica.

    2. Tecnologie di processo avanzate
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    · Periodic Poling (PPLT): tecnologia Smart-Cut per wafer LTOI, che consente di ottenere una precisione del periodo di dominio di ±10 nm e una conversione di frequenza quasi in fase (QPM).

    · Integrazione eterogenea: wafer compositi LiTaO3 a base di Si (POI) con controllo dello spessore (300–600 nm) e conduttività termica fino a 8,78 W/m·K per filtri SAW ad alta frequenza.

    3.Sistemi di gestione della qualità
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    · Test end-to-end: spettroscopia Raman (verifica del politipo), XRD (cristallinità), AFM (morfologia superficiale) e test di uniformità ottica (Δn <5×10⁻⁵).

    4. Supporto della catena di fornitura globale
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    · Capacità produttiva: produzione mensile >5.000 wafer (8 pollici: 70%), con consegna di emergenza entro 48 ore.

    · Rete logistica: copertura in Europa, Nord America e Asia-Pacifico tramite trasporto aereo/marittimo con imballaggi a temperatura controllata.

    Apparecchiatura anticontraffazione olografica laser 2
    Apparecchiature anticontraffazione olografiche laser 3
    Apparecchiature anticontraffazione olografiche laser 5

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