Wafer LiTaO3 da 2 a 8 pollici 10x10x0,5 mm 1 sp 2 sp per comunicazioni 5G/6G

Breve descrizione:

Il wafer di LiTaO3 (wafer di tantalato di litio), un materiale fondamentale per i semiconduttori e l'optoelettronica di terza generazione, sfrutta la sua elevata temperatura di Curie (610 °C), l'ampio intervallo di trasparenza (0,4-5,0 μm), il coefficiente piezoelettrico superiore (d33 > 1.500 pC/N) e la bassa perdita dielettrica (tanδ < 2%) per rivoluzionare le comunicazioni 5G, l'integrazione fotonica e i dispositivi quantistici. Utilizzando tecnologie di fabbricazione avanzate come il trasporto fisico di vapore (PVT) e la deposizione chimica da vapore (CVD), XKH fornisce wafer con taglio X/Y/Z, taglio Y a 42° e a polarizzazione periodica (PPLT) in formati da 2 a 8 pollici, con rugosità superficiale (Ra) <0,5 nm e densità dei microtubi <0,1 cm⁻². I nostri servizi comprendono il drogaggio con ferro, la riduzione chimica e l'integrazione eterogenea Smart-Cut, per la realizzazione di filtri ottici ad alte prestazioni, rilevatori a infrarossi e sorgenti di luce quantistica. Questo materiale introduce innovazioni nella miniaturizzazione, nel funzionamento ad alta frequenza e nella stabilità termica, accelerando la sostituzione nazionale in tecnologie critiche.

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Caratteristiche

Parametri tecnici

Nome	LiTaO3 di grado ottico	Livello della tabella sonora LiTaO3
Assiale	Taglio Z + / - 0,2 °	Taglio a 36°Y / taglio a 42°Y / taglio a X (+ / - 0,2 °)
Diametro	76,2 mm + / - 0,3 mm/ 100±0,2 mm	76,2 mm +/-0,3 mm 100 mm +/- 0,3 mm o 150±0,5 mm
Piano di riferimento	22 mm +/- 2 mm	22 mm +/- 2 mm 32 mm +/- 2 mm
Spessore	500μm +/-5mm 1000μm +/-5mm	500μm +/-20mm 350μm +/-20mm
TTV	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Temperatura di Curie	605 °C + / - 0,7 °C (metodo DTA)	605 °C + / -3 °C (metodo DTA)
Qualità della superficie	Lucidatura bilaterale	Lucidatura bilaterale
Bordi smussati	arrotondamento dei bordi	arrotondamento dei bordi

Caratteristiche principali

1. Prestazioni elettriche e ottiche
· Coefficiente elettro-ottico: r33 raggiunge 30 pm/V (X-cut), 1,5 volte più alto di LiNbO3, consentendo una modulazione elettro-ottica a banda ultralarga (larghezza di banda >40 GHz).
· Ampia risposta spettrale: intervallo di trasmissione 0,4–5,0 μm (spessore 8 mm), con limite di assorbimento ultravioletto fino a 280 nm, ideale per laser UV e dispositivi a punti quantici.
· Basso coefficiente piroelettrico: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), che garantisce stabilità nei sensori a infrarossi ad alta temperatura.

2. Proprietà termiche e meccaniche
· Elevata conduttività termica: 4,6 W/m·K (taglio X), quadrupla rispetto al quarzo, in grado di sostenere cicli termici da -200 a 500 °C.
· Basso coefficiente di dilatazione termica: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), compatibile con il packaging in silicio per ridurre al minimo lo stress termico.
3. Controllo dei difetti e precisione di elaborazione
· Densità dei micropipe: <0,1 cm⁻² (wafer da 8 pollici), densità di dislocazione <500 cm⁻² (verificata tramite incisione con KOH).
· Qualità della superficie: lucidata con CMP a Ra <0,5 nm, conforme ai requisiti di planarità della litografia EUV.

Applicazioni chiave

Dominio	Scenari applicativi	Vantaggi tecnici
Comunicazioni ottiche	Laser DWDM 100G/400G, moduli ibridi di fotonica al silicio	L'ampia trasmissione spettrale del wafer LiTaO3 e la bassa perdita della guida d'onda (α <0,1 dB/cm) consentono l'espansione della banda C.
Comunicazioni 5G/6G	Filtri SAW (1,8–3,5 GHz), filtri BAW-SMR	I wafer tagliati a Y 42° raggiungono Kt² >15%, garantendo una bassa perdita di inserzione (<1,5 dB) e un elevato roll-off (>30 dB).
Tecnologie quantistiche	Rilevatori di singoli fotoni, sorgenti parametriche di down-conversion	L'elevato coefficiente non lineare (χ(2)=40 pm/V) e il basso tasso di conteggio oscuro (<100 conteggi/s) migliorano la fedeltà quantistica.
Rilevamento industriale	Sensori di pressione ad alta temperatura, trasformatori di corrente	La risposta piezoelettrica del wafer LiTaO3 (g33 >20 mV/m) e la tolleranza alle alte temperature (>400°C) si adattano ad ambienti estremi.

Servizi XKH

1. Fabbricazione di wafer personalizzati

· Dimensioni e taglio: wafer da 2–8 pollici con taglio X/Y/Z, taglio Y a 42° e tagli angolari personalizzati (tolleranza ±0,01°).

· Controllo del drogaggio: drogaggio di Fe, Mg tramite metodo Czochralski (intervallo di concentrazione 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) per ottimizzare i coefficienti elettro-ottici e la stabilità termica.

2. Tecnologie di processo avanzate

· Periodic Poling (PPLT): tecnologia Smart-Cut per wafer LTOI, che consente di ottenere una precisione del periodo di dominio di ±10 nm e una conversione di frequenza quasi in fase (QPM).

· Integrazione eterogenea: wafer compositi LiTaO3 a base di Si (POI) con controllo dello spessore (300–600 nm) e conduttività termica fino a 8,78 W/m·K per filtri SAW ad alta frequenza.

3.Sistemi di gestione della qualità

· Test end-to-end: spettroscopia Raman (verifica del politipo), XRD (cristallinità), AFM (morfologia superficiale) e test di uniformità ottica (Δn <5×10⁻⁵).

4. Supporto della catena di fornitura globale

· Capacità produttiva: produzione mensile >5.000 wafer (8 pollici: 70%), con consegna di emergenza entro 48 ore.

· Rete logistica: copertura in Europa, Nord America e Asia-Pacifico tramite trasporto aereo/marittimo con imballaggi a temperatura controllata.