Wafer LiNbO₃ da 2 pollici a 8 pollici Spessore 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3 µm Personalizzato

Wafer LiNbO₃ da 2 a 8 pollici, spessore 0,1 ~ 0,5 mm, TTV 3 µm, immagine personalizzata in evidenza

Breve descrizione:

I wafer di LiNbO₃ rappresentano il gold standard nella fotonica integrata e nell'acustica di precisione, offrendo prestazioni senza pari nei moderni sistemi optoelettronici. In qualità di produttore leader, abbiamo perfezionato l'arte di produrre questi substrati ingegnerizzati attraverso tecniche avanzate di equilibratura del trasporto di vapore, raggiungendo una perfezione cristallina leader del settore con densità di difetti inferiori a 50/cm².

Le capacità produttive di XKH coprono diametri da 75 mm a 150 mm, con un controllo preciso dell'orientamento (taglio X/Y/Z ±0,3°) e opzioni di drogaggio specializzate, inclusi gli elementi delle terre rare. La combinazione unica di proprietà dei wafer di LiNbO₃, tra cui il loro notevole coefficiente r₃₃ (32±2 pm/V) e l'ampia trasparenza dal vicino UV al medio IR, li rende indispensabili per i circuiti fotonici di nuova generazione e per i dispositivi acustici ad alta frequenza.

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Caratteristiche

Parametri tecnici

Materiale	Wafe di LiNbO3 di grado ottico
Curie Temp	1142±2,0℃
Angolo di taglio	X/Y/Z ecc.
Diametro/dimensione	2"/3"/4"/6"/8"
Toll(±)	<0,20 millimetri
Spessore	0,1 ~ 0,5 mm o più
Appartamento primario	16 mm/22 mm/32 mm
TTV	<3µm
Arco	-30
Ordito	<40µm
Orientamento piatto	Tutti disponibili
Tipo di superficie	Lucidatura su un lato / Lucidatura su due lati
Lato lucido Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Criteri di bordo	R=0,2 mm o Bullnose
Drogato ottico	Fe/Zn/MgO ecc. per wafer LN< di grado ottico
Criteri di superficie del wafer	Indice di rifrazione	No=2,2878/Ne=2,2033 a 632 nm di lunghezza d'onda
	Contaminazione,	Nessuno
	Particelle ￠>0,3 µ m	<= 30
	Graffio, scheggiatura	Nessuno
	Difetto	Nessuna crepa sui bordi, graffi, segni di sega, macchie
Confezione	Quantità/scatola di wafer	25 pezzi per scatola

Attributi principali dei nostri wafer LiNbO₃

1. Caratteristiche delle prestazioni fotoniche

I nostri wafer di LiNbO₃ mostrano straordinarie capacità di interazione luce-materia, con coefficienti ottici non lineari che raggiungono i 42 pm/V, consentendo processi di conversione della lunghezza d'onda efficienti e fondamentali per la fotonica quantistica. I substrati mantengono una trasmissione >72% tra 320 e 5200 nm, con versioni appositamente progettate che raggiungono una perdita di propagazione <0,2 dB/cm alle lunghezze d'onda delle telecomunicazioni.

2. Ingegneria delle onde acustiche

La struttura cristallina dei nostri wafer di LiNbO₃ supporta velocità delle onde superficiali superiori a 3800 m/s, consentendo il funzionamento del risonatore fino a 12 GHz. Le nostre tecniche di lucidatura proprietarie producono dispositivi a onde acustiche superficiali (SAW) con perdite di inserzione inferiori a 1,2 dB, mantenendo al contempo una stabilità termica entro ±15 ppm/°C.

3. Resilienza ambientale

Progettati per resistere a condizioni estreme, i nostri wafer LiNbO₃ mantengono la loro funzionalità dalle temperature criogeniche fino agli ambienti operativi di 500 °C. Il materiale dimostra un'eccezionale resistenza alle radiazioni, sopportando una dose ionizzante totale >1 Mrad senza un significativo degrado delle prestazioni.

4. Configurazioni specifiche dell'applicazione

Offriamo varianti progettate per il dominio, tra cui:
Strutture periodicamente polarizzate con periodi di dominio di 5-50 μm
Film sottili affettati con ioni per l'integrazione ibrida
Versioni potenziate con metamateriali per applicazioni specializzate

Scenari di implementazione per wafer LiNbO₃

1. Reti ottiche di nuova generazione
I wafer di LiNbO₃ costituiscono la struttura portante dei transceiver ottici su scala terabit, consentendo una trasmissione coerente a 800 Gbps attraverso progetti avanzati di modulatori nidificati. I nostri substrati sono sempre più utilizzati per implementazioni ottiche co-packaged nei sistemi di accelerazione AI/ML.
Frontend RF 2.6G
L'ultima generazione di wafer LiNbO₃ supporta il filtraggio a banda ultralarga fino a 20 GHz, rispondendo alle esigenze di spettro degli standard 6G emergenti. I nostri materiali consentono nuove architetture di risonatori acustici con fattori Q superiori a 2000.
3. Sistemi informativi quantistici
I wafer di LiNbO₃ con polarizzazione di precisione costituiscono la base per sorgenti di fotoni entangled con un'efficienza di generazione di coppie superiore al 90%. I nostri substrati stanno consentendo innovazioni nel campo del calcolo quantistico fotonico e delle reti di comunicazione sicure.
4.Soluzioni di rilevamento avanzate
Dai LiDAR per applicazioni automotive operanti a 1550 nm ai sensori gravimetrici ultrasensibili, i wafer di LiNbO₃ forniscono la piattaforma di trasduzione essenziale. I nostri materiali consentono risoluzioni dei sensori fino al livello di rilevamento di singole molecole.

Vantaggi principali dei wafer LiNbO₃

1. Prestazioni elettro-ottiche senza pari
Coefficiente elettro-ottico eccezionalmente elevato (r₃₃~30-32 pm/V): rappresenta il punto di riferimento del settore per i wafer commerciali di niobato di litio, consentendo modulatori ottici ad alta velocità da 200 Gbps+ che superano di gran lunga i limiti prestazionali delle soluzioni polimeriche o basate su silicio.

Perdita di inserzione ultra bassa (<0,1 dB/cm): ottenuta tramite lucidatura su scala nanometrica (Ra<0,3 nm) e rivestimenti antiriflesso (AR), migliorando significativamente l'efficienza energetica dei moduli di comunicazione ottica.

2. Proprietà piezoelettriche e acustiche superiori
Ideali per dispositivi SAW/BAW ad alta frequenza: con velocità acustiche di 3500-3800 m/s, questi wafer supportano progetti di filtri mmWave da 6G (24-100 GHz) con perdite di inserzione <1,0 dB.

Elevato coefficiente di accoppiamento elettromeccanico (K²~0,25%): migliora la larghezza di banda e la selettività del segnale nei componenti front-end RF, rendendoli adatti alle stazioni base 5G/6G e alle comunicazioni satellitari.

3. Trasparenza a banda larga ed effetti ottici non lineari
Finestra di trasmissione ottica ultra-ampia (350-5000 nm): copre gli spettri UV-IR medi, consentendo applicazioni come:

Ottica quantistica: le configurazioni a polarizzazione periodica (PPLN) raggiungono un'efficienza >90% nella generazione di coppie di fotoni entangled.

Sistemi laser: l'oscillazione ottica parametrica (OPO) fornisce un'uscita con lunghezza d'onda sintonizzabile (1-10 μm).

Soglia eccezionale di danno laser (>1 GW/cm²): soddisfa i severi requisiti per le applicazioni laser ad alta potenza.

4. Estrema stabilità ambientale
Resistenza alle alte temperature (punto di Curie: 1140°C): mantiene prestazioni stabili da -200°C a +500°C, ideale per:

Elettronica automobilistica (sensori del vano motore)

Veicolo spaziale (componenti ottici per lo spazio profondo)

Resistenza alle radiazioni (>1 Mrad TID): conforme agli standard MIL-STD-883, adatto per l'elettronica nucleare e di difesa.

5. Flessibilità di personalizzazione e integrazione
Orientamento dei cristalli e ottimizzazione del drogaggio:

Wafer tagliati X/Y/Z (precisione ±0,3°)

Drogaggio MgO (5% molare) per una maggiore resistenza ai danni ottici

Supporto all'integrazione eterogenea:

Compatibile con LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) a film sottile per l'integrazione ibrida con la fotonica al silicio (SiPh)

Consente il legame a livello di wafer per ottiche co-confezionate (CPO)

6. Produzione scalabile ed efficienza dei costi
Produzione in serie di wafer da 6 pollici (150 mm): riduce i costi unitari del 30% rispetto ai tradizionali processi da 4 pollici.

Consegna rapida: i prodotti standard vengono spediti in 3 settimane; i prototipi in piccoli lotti (minimo 5 wafer) vengono consegnati in 10 giorni.

Servizi XKH

1. Laboratorio di innovazione dei materiali
I nostri esperti di crescita cristallina collaborano con i clienti per sviluppare formulazioni di wafer LiNbO₃ specifiche per l'applicazione, tra cui:

Varianti a bassa perdita ottica (<0,05 dB/cm)

Configurazioni di gestione ad alta potenza

Composizioni resistenti alle radiazioni

2. Pipeline di prototipazione rapida
Dalla progettazione alla consegna in 10 giorni lavorativi per:

Wafer di orientamento personalizzati

Elettrodi modellati

Campioni pre-caratterizzati

3. Certificazione delle prestazioni
Ogni spedizione di wafer LiNbO₃ include:

Caratterizzazione spettroscopica completa

Verifica dell'orientamento cristallografico

Certificazione della qualità superficiale

4. Garanzia della catena di fornitura