Wafer InSb da 2 pollici e 3 pollici non drogato tipo N tipo P orientamento 111 100 per rilevatori a infrarossi

Breve descrizione:

I wafer di antimoniuro di indio (InSb) sono materiali chiave utilizzati nelle tecnologie di rilevamento a infrarossi grazie al loro stretto bandgap e all'elevata mobilità elettronica. Disponibili con diametri di 2 e 3 pollici, questi wafer sono offerti nelle varianti non drogate, di tipo N e di tipo P. I wafer sono fabbricati con orientamenti di 100 e 111, offrendo flessibilità per diverse applicazioni di rilevamento a infrarossi e nei semiconduttori. L'elevata sensibilità e il basso rumore dei wafer di InSb li rendono ideali per l'uso in rivelatori a infrarossi a media lunghezza d'onda (MWIR), sistemi di imaging a infrarossi e altre applicazioni optoelettroniche che richiedono precisione e prestazioni elevate.

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Dettagli del prodotto

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Caratteristiche

Opzioni antidoping:
1. Non drogato:Questi wafer sono privi di qualsiasi agente drogante e vengono utilizzati principalmente per applicazioni specializzate come la crescita epitassiale, in cui il wafer funge da substrato puro.
2. Tipo N (drogato con Te):Il drogaggio al tellurio (Te) viene utilizzato per creare wafer di tipo N, che offrono un'elevata mobilità degli elettroni e li rendono adatti a rilevatori a infrarossi, elettronica ad alta velocità e altre applicazioni che richiedono un flusso di elettroni efficiente.
3. Tipo P (drogato con Ge):Il drogaggio al germanio (Ge) viene utilizzato per creare wafer di tipo P, che garantiscono un'elevata mobilità dei buchi e prestazioni eccellenti per sensori a infrarossi e fotodetector.

Opzioni di dimensione:
1. I wafer sono disponibili con diametri di 2 e 3 pollici. Ciò garantisce la compatibilità con vari processi e dispositivi di fabbricazione di semiconduttori.
2. Il wafer da 2 pollici ha un diametro di 50,8±0,3 mm, mentre il wafer da 3 pollici ha un diametro di 76,2±0,3 mm.

Orientamento:
1. I wafer sono disponibili con orientamenti 100 e 111. L'orientamento 100 è ideale per l'elettronica ad alta velocità e i rilevatori a infrarossi, mentre l'orientamento 111 è spesso utilizzato per dispositivi che richiedono proprietà elettriche o ottiche specifiche.

Qualità della superficie:
1. Questi wafer sono dotati di superfici lucidate/incise per una qualità eccellente, consentendo prestazioni ottimali in applicazioni che richiedono caratteristiche ottiche o elettriche precise.
2. La preparazione della superficie garantisce una bassa densità di difetti, rendendo questi wafer ideali per applicazioni di rilevamento a infrarossi in cui la costanza delle prestazioni è fondamentale.

Epi-Ready:
1. Questi wafer sono epi-ready, il che li rende adatti ad applicazioni che prevedono una crescita epitassiale, in cui strati aggiuntivi di materiale verranno depositati sul wafer per la fabbricazione avanzata di dispositivi semiconduttori o optoelettronici.

Applicazioni

1. Rilevatori a infrarossi:I wafer di InSb sono ampiamente utilizzati nella fabbricazione di rivelatori a infrarossi, in particolare nell'infrarosso a media lunghezza d'onda (MWIR). Sono essenziali per i sistemi di visione notturna, la termografia e le applicazioni militari.
2.Sistemi di imaging a infrarossi:L'elevata sensibilità dei wafer di InSb consente di ottenere immagini infrarosse precise in vari settori, tra cui sicurezza, sorveglianza e ricerca scientifica.
3. Elettronica ad alta velocità:Grazie alla loro elevata mobilità elettronica, questi wafer vengono utilizzati in dispositivi elettronici avanzati, come transistor ad alta velocità e dispositivi optoelettronici.
4. Dispositivi a pozzo quantico:I wafer di InSb sono ideali per applicazioni di pozzi quantici in laser, rilevatori e altri sistemi optoelettronici.

Parametri del prodotto

Parametro	2 pollici	3 pollici
Diametro	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Spessore	500±5μm	650±5μm
Superficie	Lucidato/inciso	Lucidato/inciso
Tipo di doping	Non drogato, drogato con Te (N), drogato con Ge (P)	Non drogato, drogato con Te (N), drogato con Ge (P)
Orientamento	100, 111	100, 111
Pacchetto	Separare	Separare
Epi-Ready	SÌ	SÌ

Parametri elettrici per Te drogato (tipo N):

Mobilità: 2000-5000 cm²/V·s
Resistività: (1-1000) Ω·cm
EPD (densità dei difetti): ≤2000 difetti/cm²

Parametri elettrici per Ge drogato (tipo P):

Mobilità: 4000-8000 cm²/V·s
Resistività: (0,5-5) Ω·cm

EPD (densità dei difetti): ≤2000 difetti/cm²

Domande e risposte (domande frequenti)

D1: Qual è il tipo di drogaggio ideale per le applicazioni di rilevamento a infrarossi?

Risposta 1:Drogato con Te (tipo N)I wafer sono in genere la scelta ideale per le applicazioni di rilevamento a infrarossi, in quanto offrono un'elevata mobilità degli elettroni e prestazioni eccellenti nei rilevatori a infrarossi a lunghezza d'onda media (MWIR) e nei sistemi di imaging.

D2: Posso utilizzare questi wafer per applicazioni elettroniche ad alta velocità?

A2: Sì, wafer InSb, in particolare quelli conDrogaggio di tipo Ne il100 orientamento, sono particolarmente adatti all'elettronica ad alta velocità, come transistor, dispositivi a pozzi quantici e componenti optoelettronici, grazie alla loro elevata mobilità elettronica.

D3: Quali sono le differenze tra gli orientamenti 100 e 111 per i wafer InSb?

A3: Il100l'orientamento è comunemente utilizzato per dispositivi che richiedono prestazioni elettroniche ad alta velocità, mentre l'111L'orientamento è spesso utilizzato per applicazioni specifiche che richiedono caratteristiche elettriche o ottiche diverse, tra cui alcuni dispositivi optoelettronici e sensori.

D4: Qual è il significato della funzionalità Epi-Ready per i wafer InSb?

A4: IlEpi-ReadyQuesta caratteristica indica che il wafer è stato pretrattato per processi di deposizione epitassiale. Questo è fondamentale per le applicazioni che richiedono la crescita di strati aggiuntivi di materiale sulla superficie del wafer, come nella produzione di dispositivi semiconduttori o optoelettronici avanzati.

D5: Quali sono le applicazioni tipiche dei wafer InSb nel campo della tecnologia a infrarossi?

A5: I wafer di InSb sono utilizzati principalmente nel rilevamento a infrarossi, nella termografia, nei sistemi di visione notturna e in altre tecnologie di rilevamento a infrarossi. La loro elevata sensibilità e il basso rumore li rendono ideali perinfrarosso a lunghezza d'onda media (MWIR)rilevatori.

D6: In che modo lo spessore del wafer influisce sulle sue prestazioni?

R6: Lo spessore del wafer gioca un ruolo fondamentale nella sua stabilità meccanica e nelle sue caratteristiche elettriche. I wafer più sottili vengono spesso utilizzati in applicazioni più sensibili, dove è richiesto un controllo preciso delle proprietà del materiale, mentre i wafer più spessi offrono una maggiore durata per alcune applicazioni industriali.

D7: Come faccio a scegliere la dimensione del wafer più adatta alla mia applicazione?

R7: La dimensione appropriata del wafer dipende dal dispositivo o sistema specifico in fase di progettazione. I wafer più piccoli (2 pollici) sono spesso utilizzati per la ricerca e applicazioni su piccola scala, mentre i wafer più grandi (3 pollici) sono in genere utilizzati per la produzione di massa e per dispositivi più grandi che richiedono più materiale.

Conclusione

Wafer di InSb in2 polliciE3 pollicidimensioni, connon drogato, Tipo N, ETipo Pvariazioni, sono di grande valore nelle applicazioni dei semiconduttori e optoelettronici, in particolare nei sistemi di rilevamento a infrarossi.100E111Gli orientamenti offrono flessibilità per diverse esigenze tecnologiche, dall'elettronica ad alta velocità ai sistemi di imaging a infrarossi. Grazie alla loro eccezionale mobilità elettronica, al basso rumore e alla precisa qualità superficiale, questi wafer sono ideali perrilevatori a infrarossi a media lunghezza d'ondae altre applicazioni ad alte prestazioni.